這一次，臺(tái)積電真的被美、日“坑”了美國、日本都曾邀請(qǐng)臺(tái)積電到臺(tái)灣投資，以發(fā)展半導(dǎo)體工業(yè)。美國有5nm芯片廠，日本有28nm到22nm的芯片廠?？梢娒廊辗浅？粗嘏c臺(tái)積電的合作。但現(xiàn)在，臺(tái)積電卻被日、美“坑”了。美國與日本達(dá)成了一項(xiàng)關(guān)于2nm芯片的合作協(xié)議，以減少對(duì)臺(tái)積電等企業(yè)的依賴性。

美，日在降低對(duì)臺(tái)積電的依賴性的同時(shí)，還主動(dòng)提出要建工廠，這是要干嘛?臺(tái)積電已經(jīng)做好了充分的準(zhǔn)備?

臺(tái)積電是世界上最大的晶圓生產(chǎn)商，臺(tái)積電是美國及日本欲大幅提升其芯片制造業(yè)的“香餑餑”。美、日等國家分別提出了建廠要求。

臺(tái)積電經(jīng)過長時(shí)間的研究與市場調(diào)查，再加上雙方承諾的補(bǔ)助，終于同意前往美，到日建廠。現(xiàn)在臺(tái)積電、美國、日本的工廠，都已經(jīng)開始動(dòng)工了。

根據(jù)工廠的建設(shè)進(jìn)度，2024年開始生產(chǎn)。臺(tái)積電在美、日兩國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上，都起到了舉足輕重的作用。

然而臺(tái)積電萬萬沒有料到，作為“座上賓”的他，竟然會(huì)被主人“坑”。據(jù)日本經(jīng)濟(jì)報(bào)道，美、日兩國正準(zhǔn)備在2nm制程上進(jìn)行合作，以降低與臺(tái)積電等廠商的依賴性。

美國、日本都有意在晶片制造領(lǐng)域進(jìn)行更多的研究，如果能請(qǐng)到臺(tái)積電，就能為國內(nèi)的晶圓制造企業(yè)創(chuàng)造一個(gè)封閉的市場。

再加上臺(tái)積電在晶片行業(yè)的地位，美，日要做2nm芯片，臺(tái)積電肯定也會(huì)參與進(jìn)來。臺(tái)積電在2026年就宣布了2nm芯片的大量生產(chǎn)。

除了美和日兩國的合作，他們到底在搞什么鬼?很顯然，他們是想要從臺(tái)積電手中，搶走他們的生產(chǎn)線，然后自己做主。

美國政府對(duì)自己公司的一系列政策，明顯是在偏袒英特爾，給了他們數(shù)十億美元的資金，但對(duì)于臺(tái)積電的補(bǔ)貼，他們還沒有任何回應(yīng)。難道美國還想保留實(shí)力?否則如何能向英特爾提供各種補(bǔ)貼和優(yōu)惠政策，而臺(tái)積電呢?

美國需要什么，從數(shù)據(jù)，人才，到供應(yīng)鏈，一目了然。而且，他還和日本的2nm芯片公司合作，將臺(tái)積電拒之門外，準(zhǔn)備閉門造車，這不是給自己留點(diǎn)后手嗎?

臺(tái)積電很清楚美芯片的未來，張忠謀曾經(jīng)說過，美國沒有任何成本，也沒有任何的供應(yīng)鏈優(yōu)勢。

但他已經(jīng)邁出了第一步，臺(tái)積電的主要收入，就是美國，美企業(yè)的訂單，占了很大一部分。美國政府的補(bǔ)貼，可以彌補(bǔ)臺(tái)積電在國內(nèi)的投資，為客戶提供芯片，可以降低成本。

被大客戶砍單之后，臺(tái)積電還是交出了一份超出市場預(yù)期的成績單。營收181.6億美元，同比增長43.5%;凈利潤80.5億美元，利潤率達(dá)49.5%，毛利率更是接近了6成。此外，還給出了繼續(xù)延續(xù)上漲的預(yù)期，說Q3可能收入198-206億美元。這份成績單發(fā)生在市場傳聞其被貢獻(xiàn)了4成收入客戶砍單之后。今年Q2，市場上傳出臺(tái)積電被蘋果、AMD(超微半導(dǎo)體)和NAVIDIA(英偉達(dá))砍單的消息，從過去三年臺(tái)積電的客戶結(jié)構(gòu)來看，這三者對(duì)臺(tái)積電收入貢獻(xiàn)分別為35.6%、39.1%和40.4%。

這樣的數(shù)字確實(shí)超出了市場預(yù)期。因?yàn)?6氪觀察到，自上個(gè)月開始，業(yè)內(nèi)就開始有芯片即將進(jìn)入供過于求狀態(tài)的預(yù)判，臺(tái)積電也在本次財(cái)報(bào)電話會(huì)上說，“2023年將出現(xiàn)一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于2008年。”

為什么整體預(yù)期下行時(shí)，臺(tái)積電還能越賺越多?在這家作為半導(dǎo)體行業(yè)晴雨表的企業(yè)身上，有哪些能夠展現(xiàn)行業(yè)整體狀態(tài)的樣貌、又有哪些獨(dú)特性?按照TrendForce(研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢)數(shù)據(jù)，2021年臺(tái)積電占全球市場份額53%，并預(yù)計(jì)今年還將上升3%，毫無疑問，臺(tái)積電的成績單是否存在復(fù)用性，對(duì)于整個(gè)行業(yè)剩下一半的市場，也具有參考價(jià)值。那么，現(xiàn)在半導(dǎo)體行業(yè)供求關(guān)系是怎么樣的?前兩年的“缺芯潮”剛剛平緩，為什么就開始供過于求了?未來又會(huì)有哪些趨勢?36氪將從半導(dǎo)體行業(yè)的周期性特點(diǎn)出發(fā)，試圖回答以上問題。

半導(dǎo)體是周期性極明顯的行業(yè)，上一輪被廣泛大眾都知道的缺芯，根本原因就是疫情引發(fā)的周期預(yù)判錯(cuò)誤，這一輪，也是一樣。導(dǎo)火索是疫情沖擊導(dǎo)致的需求下降，2020年Q2，由于芯片廠商出于對(duì)下游的悲觀預(yù)期，減少芯片制造端的訂單，轉(zhuǎn)為消化庫存，這就使供過于求、價(jià)格出現(xiàn)下降趨勢。

按理來說，疫情帶來的線上辦公紅利，智能手機(jī)和智能平板的需求增加，給了終端廠商增加庫存的機(jī)會(huì)。但需求向上要到芯片廠時(shí)，卻難以被滿足，就是在預(yù)判整體下行的情況下，庫存量不足、產(chǎn)能也跟不上，計(jì)劃增產(chǎn)時(shí)間滯后，行業(yè)就進(jìn)入了想造造不出的“被動(dòng)去庫存”階段。

因此，去年消費(fèi)者們熬夜搶的最新款手機(jī)，發(fā)貨總要等上幾個(gè)月，主要原因就是供給跟不上。然后就是被訂單趕著走的階段。既然產(chǎn)能不足，那就“主動(dòng)補(bǔ)庫存”。但問題是，晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)周期一般在1-2年，投產(chǎn)后產(chǎn)能爬坡也需要一定的時(shí)間，供給增加的速度跟不上需求，價(jià)格上升。

然而，需求等不到這個(gè)周期結(jié)束了，智能手機(jī)和平板的出貨量均開始下滑。IDC數(shù)據(jù)顯示，2022Q1全球智能手機(jī)和智能平板出貨量分別下降9%和3.9%，預(yù)測全年出貨量將下降7%和6.2%。所以，終端廠商賣不動(dòng)了，但芯片廠商還在造，這就是“被動(dòng)補(bǔ)庫存階段”：由于生產(chǎn)的“慣性”，庫存還在不斷增加，無法及時(shí)消化，庫存量被迫上升，半導(dǎo)體行業(yè)走向下行階段——供大于求，價(jià)格下降。

這是過去兩年間半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生的供求關(guān)系變化，可以說是周期性難逃、被市場趕著走。臺(tái)積電說這次的下行周期將會(huì)持續(xù)到2023H1，但這次的下行周期會(huì)更加溫和，下降幅度比2008年更小。未來，當(dāng)工藝制程得到突破，下游出現(xiàn)新的需求，半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)重復(fù)上述四個(gè)階段，形成一個(gè)新的周期。 我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體大部分是硅基電路，問世已經(jīng)60年了，多年來都是按照摩爾定律2年一次微縮的規(guī)律發(fā)展，但它終究是有極限的。臺(tái)積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后，下一步就要進(jìn)軍1nm工藝了。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，今年會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，2022年則會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，2nm工藝已經(jīng)在研發(fā)中了，預(yù)計(jì)會(huì)在2024年問世。

2nm之后呢?臺(tái)積電在日前的股東大會(huì)上也表態(tài)，正在研究2nm以下的工藝，正在一步步逼近1nm工藝。

1nm工藝不僅僅是這個(gè)數(shù)字看上重要，它還有更深的含義——1nm級(jí)別的工藝有可能是硅基半導(dǎo)體的終結(jié)，再往下走就需要換材料了，比如納米片、碳納米管等等，2017年IBM領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)就成功使用碳納米管制造出了1nm晶體管。

硅基半導(dǎo)體工藝的極限其實(shí)一直在突破，之前的說法中，10nm、7nm、5nm、3nm甚至2nm都被當(dāng)做過硅基工藝的極限，現(xiàn)在來看還是一步步被突破了，如果不考慮臺(tái)積電、三星在工藝命名上的營銷套路的話。

在2019年的Hotchips會(huì)議上，臺(tái)積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森(Philip Wong)在演講中就談到過半導(dǎo)體工藝極限的問題，他認(rèn)為到了2050年，晶體管來到氫原子尺度，即0.1nm。

關(guān)于未來的技術(shù)路線，黃漢森認(rèn)為像碳納米管(1.2nm尺度)、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你;同時(shí)，相變內(nèi)存(PRAM)、旋轉(zhuǎn)力矩轉(zhuǎn)移隨機(jī)存取內(nèi)存(STT-RAM)等會(huì)直接和處理器封裝在一起，縮小體積，加快數(shù)據(jù)傳遞速度;此外還有3D堆疊封裝技術(shù)。