www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當前位置:首頁 > > TsinghuaJoking
[導讀]MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中,延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。

簡 介: 本文對于 MOS 管工作在開關狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現(xiàn)電源的緩啟動。
關鍵詞 Miller_EffectMOS

01 Miller效應

一、簡介

MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中,延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。


下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形。可以看到柵極電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應所帶來的 MOS 管驅動電壓波形的變化。

▲ 圖1.1.1  LTspice仿真ZVS振蕩器電路圖▲ 圖1.1.1  ZVS振蕩電路MOS管柵極電壓波形

二、仿真波形

為了說明 MOS 管的 Miller 效應,下面在 LTspice 中搭建了最簡單的 MOS 管開關電路。

▲ 圖1.2.1 MOS管開關電路

下面給出了 MOS 管 M1 的漏極與柵極電壓波形,可以清楚的看到柵極電壓在上升與下降階段都出現(xiàn)了小臺階。

▲ 圖1.2.2 Miller效應仿真結果 R1=5kOhm

為了分析臺階產生的過程, 下圖給出了仿真電路中 MOS 管的柵極電壓與電流波形。

▲ 圖1.2.3 MOS管柵極電壓與電流波形

可以看到 MOS 管柵極電流包括三個階段:

  • 階段1:柵極電壓快速上升,電流呈現(xiàn)先快后慢的電容充電過程;
  • 階段2:柵極電壓呈現(xiàn)平臺,電流急劇線性增加;
  • 階段3:柵極電壓與電流都呈現(xiàn)電容充電過程;
▲ 圖1.2.4 MOS管導通過程的三個階段

三、Miller 原理說明

下圖是一般 MOS 管三個電極之間的分布電容示意圖。其中:Cgs稱為GS寄生電容,Cgd稱為GD寄生電容,輸入電容Ciss=Cgs+Cgd,輸出電容Coss=Cgd+Cds,反向傳輸電容Crss=Cgd,也叫米勒電容。

▲ 圖1.3.1 MOS管分布電容

米勒效應的罪魁禍首就是米勒電容,米勒效應指其輸入輸出之間的分布電容Cgd在反相放大的作用下,使得等效輸入電容值放大的效應,米勒效應會形成米勒平臺。

上面描述柵極電壓、電流變化三個階段分別是:

  • 階段1:柵極電壓從 0V 開始增加到 MOS 管導通過程。在此過程中, Miller 電容不起作用,是驅動電壓通過柵極電阻給 Cgs 充電過程;
  • 階段2:MOS 管導通,使得 MOS 管漏極電壓下降,通過 Miller 電容將柵極充電電流吸收到漏極,造成 Cgs 充電減小,形成電壓平臺;
  • 階段3:Miller 電容充滿,柵極電流向 Cgs, Cgd 充電,直到充電結束。

那米勒效應的缺點是什么呢?下圖顯示了在電感負載下,由于 Miller 效應 MOS管的開關過程明顯拉長了。MOS管的開啟是一個從無到有的過程,MOS管D極和S極重疊時間越長,MOS管的導通損耗越大。因為有了米勒電容,有了米勒平臺,MOS管的開啟時間變長,MOS管的導通損耗必定會增大。

▲ 圖1.3.2 MOS管在電感負載下的電流電壓圖

四、消除Miller效應

首先我們需要知道的一個點是:因為MOS管制造工藝,必定產生Cgd,也就是米勒電容必定存在,所以米勒效應不可避免。在上述 MOS 開關電路中,徹底消除Miller 效應是不可能的。但可以通過減少柵極電阻 Rg來減少 Miller 效應的 影響。下圖是將柵極電阻 Rg 減少到 100Ω,可以看到柵極電壓中的 Miller 平臺就變得非常微弱了。

▲ 圖1.3.4 減少MOS管柵極電阻 Rg=100Ω對應的柵極電壓與電流波形

MOS管的開啟可以看做是輸入電壓通過柵極電阻R1對寄生電容Cgs的充電過程,R1越小,Cgs充電越快,MOS管開啟就越快,這是減小柵極電阻,米勒平臺有改善的原因。

五、利用Miller效應

MOS 管的 Miller 也不是一無是處,也可以利用 Miller 效應,實現(xiàn)電路緩啟動的目的。認為的增加 MOS 管的柵極電阻,并在 MOS 管的漏極與柵極之間并聯(lián)大型電容,可以人為拉長 Miller 臺階。

在下面電路中,認為的增加了柵極電阻和漏極和柵極之間的并聯(lián)電容,這樣就可以大大延長 Miller臺階的過程。輸出的波形形成了一個三角脈沖的形式。

▲ 圖1.5.1 人為增加柵極電阻和漏柵極之間的電容▲ 圖1.5.2 人為拉長 Miller 臺階過程

下面電路是利用了 PMOS 管上的 Miller 電容,實現(xiàn)了輸出電壓的緩啟動,是用于一些電源上升速率有嚴格要求的場合。

▲ 圖1.5.3 利用PMOS的Miller 效應完成電源的緩啟動

結 ※

文對于 MOS 管工作在開關狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現(xiàn)電源的緩啟動。

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

MOS管,其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管。這種管子屬于場效應管的一個分類,即絕緣柵型,因此,它...

關鍵字: MOS管 場效應管

在開關電源等高頻應用場景中,MOS管在導通和關斷的瞬間,會經歷短暫的電壓電流交疊過程。這個過程中產生的損耗被稱為開關損耗。

關鍵字: MOS管

在開關電源中,如果MOS管的關斷和導通速度不夠快,也會產生附加的功率損耗?。

關鍵字: MOS管

?米勒效應?是指MOS管在開關過程中,柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開關作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會導致驅動電壓和漏源電流在一段時間內維持不變,形成一個“米勒平臺”,從而增加開關損耗,降低效率。

關鍵字: MOS管 電容

IGBT的工作原理結合了MOSFET和BJT的優(yōu)點,通過控制MOSFET的柵電壓來控制BJT的導通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開關任務,具有低導通壓降和高功率處理能力?。

關鍵字: MOS管 IGBT管

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對MOSFET具備清晰的認識,主要內容如下。

關鍵字: MOSFET MOS管

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,...

關鍵字: MOS管 IGBT管

MOS管的工作原理基于電場效應,即通過控制柵極電壓來改變柵源之間的電場,從而控制源極和漏極之間的電流。當柵極電壓超過一定閾值時,會在柵極下方的半導體表面形成一層導電溝道,使源極和漏極之間導通。反之,當柵極電壓低于閾值時,...

關鍵字: MOS管 電壓

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OS管的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對MOS管具備清晰的認識,主要內容如下。

關鍵字: MOS MOS管

在這篇文章中,小編將對MOS管的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對MOS管的了解程度,和小編一起來閱讀以下內容吧。

關鍵字: MOS MOS管 尖峰
關閉