垂直氮化鎵設(shè)備能夠達到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場上找到解決方案?

一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)是基質(zhì)。就基底的尺寸而言，我都看到了4英寸。我想有些公司聲稱自己的規(guī)模更大了，但這就是我所看到的。此外，這些基質(zhì)的質(zhì)量，根據(jù)各種類型的缺陷，以及它們的均勻性和再現(xiàn)性。這當(dāng)然是非常關(guān)鍵的，一切都從基底開始。但就器件本身而言，漂移層，當(dāng)然，為了提供更高的電壓，人們必須增加那么厚，并獲得較低的摻雜。所以，這里也有一些挑戰(zhàn)。這取決于生長技術(shù)，以及補償缺陷等，這些缺陷往往會對抗有意的摻雜。這再次指出了對其中一些非常厚的層的基本生長和缺陷的研究。所以這是一個關(guān)鍵的問題。

在處理我之前提到的設(shè)備方面，如果你看看一個垂直的氮化鎵PN二極管或MOSFET的橫截面，它再次類似于你在硅或碳化硅中看到的，但同樣，材料是不同的。這就意味著在處理過程上的顯著差異。其中一個最大的挑戰(zhàn)是實現(xiàn)選擇性區(qū)域摻雜，所以P型和N型摻雜的交替區(qū)域。對于一些更先進的設(shè)備體系結(jié)構(gòu)，JBS二極管，或雙井mosfet，你需要它。因此，不同的研究小組用不同的方法來在這些PN連接中實現(xiàn)高質(zhì)量的接口。所以，在這方面有了很多進展，但還有更多的工作要做。另一個方面與電介質(zhì)、柵極電介質(zhì)、鈍化電介質(zhì)有關(guān)。

因此，這些都是存在基本問題的東西，但隨后需要將所有這些都帶到標(biāo)準(zhǔn)流程和制造類型的環(huán)境中。這是我們團隊一直在努力做的事情。所以我認為很多工作仍然是學(xué)術(shù)和實驗室，我知道至少有一個公司，也許幾家公司看著這個，但是我們的團隊，這是我們一直在考慮試圖成熟的東西制造可重復(fù)的過程與良好的產(chǎn)量等等。

因此，正如你所知，市場正在繼續(xù)爭奪更多的權(quán)力。碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體在電力應(yīng)用方面比硅半導(dǎo)體具有優(yōu)勢，特別是在電源市場上。然而，正如你所說的，正如你所提到的，使用這些寬帶隙半導(dǎo)體的設(shè)計師必須在設(shè)計基板晶圓方面面臨一些真正的挑戰(zhàn)。那么，你對下一代抱有什么期望呢?氮化鎵和碳化硅的未來是什么，特別是垂直和橫向氮化鎵技術(shù)?你認為在哪些領(lǐng)域會有重大的技術(shù)擴張機會?

我的觀點是，我認為所有這些技術(shù)都有一席之地，我們看到的電動汽車市場擴張得非常迅速。碳化硅已經(jīng)在那里找到了一個不錯的家。我認為這將會進一步推動該技術(shù)的成熟。我們正在看車輛的傳動系統(tǒng)。我的意思是，我們正在研究垂直氮化鎵在這一領(lǐng)域的潛在應(yīng)用，我們認為可能會有一些優(yōu)勢。橫向氮化鎵傾向于更低功率，低電壓應(yīng)用，但非常高的開關(guān)頻率。所以，我可能看到這在那個領(lǐng)域繼續(xù)。

在其他交通領(lǐng)域，除了汽車，道路地面車輛，目前正在推動電氣化，我認為這真的很令人興奮，飛機，鐵路，海運，這些往往更容易進入中壓狀態(tài)。例如，飛機，你必須推動更高的電壓來減少一些電纜的重量。所以，我認為，這些中壓型器件可以在那里得到應(yīng)用。你知道的，垂直的氮化鎵可以在那里找到一個家。另一個大的領(lǐng)域當(dāng)然是電網(wǎng)，特別是當(dāng)我們整合了可再生能源，存儲，重點是彈性，固態(tài)變電站和變壓器之類的東西。

在其中一些技術(shù)中，碳化硅和垂直氮化鎵可以在那里找到使用。我們一直在考慮一些與電網(wǎng)相關(guān)的垂直氮化鎵的專門應(yīng)用，與避雷器和類似的東西相關(guān)。所以這是我們的團隊一直關(guān)注的一個領(lǐng)域。 但是，是的，我們看到所有這些領(lǐng)域都在擴張，對吧?而且，作為一個結(jié)論，我也想提到，甚至還有更新的材料即將出現(xiàn)，超寬帶隙材料。有很多小組在工作，我們的團隊一直在研究其中一些。所以，這些都是像其他氮化物，氮化鋁鎵，氮化硼……氧化鎵是另一個，也是鉆石。甚至還有其他人想過，但這些都處于更早的階段。但我認為這是人們可能想要關(guān)注的另一個令人興奮的領(lǐng)域。