超結(jié)MOS/IGBT在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
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IGBT是一個(gè)發(fā)熱源,其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗,損耗越大,發(fā)熱量自然就會(huì)越多。而IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷并不是瞬間完成的,有開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間。
關(guān)鍵字: IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
關(guān)鍵字: IGBT【2025年6月18日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(PHEV)銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng),電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年,電動(dòng)汽車(chē)的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),從2024年的2...
關(guān)鍵字: IGBT RC-IGBT 芯片 電動(dòng)汽車(chē)