今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOS管" target="_blank">MOS管驅(qū)動電路設(shè)計的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOS管驅(qū)動電路設(shè)計具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。

一、mos管

MOS管，全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），是一種常用的電子元件。它主要由三個電極組成：柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。MOS管的工作原理是通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流流動，這種控制方式屬于電壓控制型器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，MOS管可分為N溝道和P溝道兩種類型，進一步細(xì)分為增強型和耗盡型。

MOS管的主要作用包括但不限于：

1、作為電子開關(guān)，通過控制柵極電壓來實現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通與截止。

2、在放大電路中，利用其輸入阻抗高的特點，實現(xiàn)電流放大。

3、在電源管理、電機驅(qū)動等應(yīng)用中，通過其快速開關(guān)特性來控制負(fù)載。

4、測試MOS管的好壞通常涉及測量其柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，以及在特定條件下檢查源極與漏極之間的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)。

MOS管與三級管（即晶體管）的主要區(qū)別在于它們的工作原理和結(jié)構(gòu)上。晶體管是一種電流控制型器件，通過基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。而MOS管則是電壓控制型器件，通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流，具有更高的輸入阻抗和更快的開關(guān)速度。此外，MOS管在制造工藝上更為簡單，有利于高度集成化。

二、MOS管驅(qū)動電路設(shè)計集錦

MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。

1、電源IC直接驅(qū)動

電源IC直接驅(qū)動是最簡單的驅(qū)動方式，應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。

①查看電源IC手冊的最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。

②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達不到想要的效果。

2、推挽驅(qū)動

當(dāng)電源IC驅(qū)動能力不足時，可用推挽驅(qū)動。

這種驅(qū)動電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

3、加速關(guān)斷驅(qū)動

MOS管一般都是慢開快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。

為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時間減小，同時減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。

如上圖，是我之前用的一個電路，量產(chǎn)至少上萬臺，推薦使用。

用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時的交叉損耗。

還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。

經(jīng)由小編的介紹，不知道你對MOS管驅(qū)動電路設(shè)計是否充滿了興趣？如果你想對MOS管驅(qū)動電路設(shè)計有更多的了解，不妨嘗試在我們的網(wǎng)站里進行搜索哦。