今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)碡撾妷豪擞康挠嘘P報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內容如下。

一、負電壓浪涌

負電壓浪涌?是指在電路中由于某些操作引起的電壓瞬間下降到低于正常工作電壓的現象。這種現象通常發(fā)生在電路中的電感元件被突然切斷或電容元件突然充電時，導致電勢發(fā)生瞬間的變化。

1、產生機制

?電感元件的突然切斷?：當電路中的電感元件被突然切斷時，其內部的磁場能量迅速釋放，導致電勢瞬間變化，從而產生負電壓浪涌?。

?電容元件的突然充電?：當電路中的電容元件突然充電時，電容內部的電荷迅速積累，也會導致電勢瞬間變化，從而產生負電壓浪涌?。

2、對電路的影響

負電壓浪涌會對電路產生以下危害：

?燒毀電路元件?：負電壓浪涌的高電壓和低電壓會對電路元件產生巨大的沖擊，可能導致電路元件燒毀?。

?干擾電子設備?：負電壓浪涌會產生大量的電磁波干擾，對周圍的電子設備產生影響?。

?降低電路可靠性?：負電壓浪涌會降低電路的可靠性，增加電路的故障率?。

3、防止措施

為了減少負電壓浪涌對電路的危害，可以采取以下措施：

?加裝浪涌電壓抑制器?：安裝浪涌電壓抑制器可以有效地消除負電壓浪涌的危害，保護電路元件不受影響?。

?合理設計電路?：合理設計電路可以減少負電壓浪涌的產生，降低電路故障率?。

二、負電壓浪涌的對策及其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS關斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關側）的VGS的負浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。

下面的電路是上一篇中用來驗證正浪涌對策的抑制電路。使用“（a）無抑制電路、（b）僅有米勒鉗位用的MOSFET（Q2）、（c）僅有鉗位用的肖特基勢壘二極管、（d）僅有誤導通抑制電容器C1”這四種電路，通過“雙脈沖測試”確認了VGS的浪涌電壓。

下面是雙脈沖測試中關斷時的波形、從上到下依次顯示了開關側柵極－源極電壓（VGS_HS）、非開關側柵極－源極電壓（VGS_LS）、漏極－源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）。圖中一并列出了前述的抑制電路（a）、（b）、（c）、以及同時具備抑制電路（b）和（c）的電路（e）的波形。

從這個波形圖中可以看出，除了沒有對策電路的（a）外，其他任何一個抑制電路都可以消除負浪涌。

接下來，請看僅連接了誤導通抑制電容器C1的驗證電路（d）在雙脈沖測試中的關斷波形。電路圖與上面給出的電路圖一樣。波形（a）是沒有C1的比較用波形，波形（b）、（c）和（d）是有C1、C1分別為2.2nF、3.3nF和4.7nF時的波形。與不加C1的（a）相比，加了C1的波形（b）、（c）、（d）中，VGS_LS的負浪涌略有降低，但效果并不明顯。因此，作為對策，需要從抑制電路（b）和（c）中作出選擇，但由于（c）不能抑制正浪涌，所以最終選擇（b）。如果米勒鉗位控制困難且無法選擇抑制電路（b），則需要通過結合使用（c）和（d）來測試和優(yōu)化整個系的效率。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關負電壓浪涌的內容，如果你對本文內容感到滿意，不妨持續(xù)關注我們網站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！