?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產(chǎn)品

?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術

?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢

【2025年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mmSiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。

英飛凌200mm SiC晶圓

英飛凌科技首席運營官Rutger Wijburg博士表示：“我們正在按計劃實施SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)，并且十分高興將開始為客戶提供首批產(chǎn)品。通過菲拉赫和居林生產(chǎn)基地的SiC產(chǎn)品分階段進入量產(chǎn)，我們正在提升成本效益并持續(xù)保證產(chǎn)品質(zhì)量，同時確保我們的產(chǎn)能滿足客戶對SiC功率半導體的需求?！?

英飛凌200mm SiC晶圓

SiC半導體為大功率應用帶來了變革，它進一步提高了電源開關的效率、在極端條件下具有高度的可靠性和穩(wěn)健性，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸的設計。借助英飛凌的SiC產(chǎn)品，客戶能夠為電動汽車、快速充電站和鐵路運輸，以及可再生能源系統(tǒng)和AI數(shù)據(jù)中心開發(fā)節(jié)能解決方案。向客戶提供首批基于200 mm晶圓技術的SiC產(chǎn)品標志著英飛凌在SiC產(chǎn)品路線圖上邁出了實質(zhì)性的一步，該路線圖的重點是為客戶提供全面的高性能功率半導體產(chǎn)品組合，推動綠色能源的發(fā)展并對二氧化碳的減排做出貢獻。

作為專注于高度創(chuàng)新寬禁帶（WBG）技術的“英飛凌虛擬協(xié)同工廠”，英飛凌位于菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地通過共享技術和制程工藝，實現(xiàn)了SiC和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品制造的快速進入量產(chǎn)和平穩(wěn)高效的運營?，F(xiàn)在，200 mm SiC的生產(chǎn)為英飛凌業(yè)界領先的半導體技術和功率系統(tǒng)解決方案錦上添花，鞏固了公司在硅以及碳化硅和氮化鎵等整個功率半導體領域的技術領先優(yōu)勢。