芯片" target="_blank">存儲芯片，又稱“半導體存儲器”，是集成電路中用于存儲數(shù)據(jù)的一種數(shù)字芯片。它能夠存儲數(shù)字信號，包括二進制碼、字符、圖像、聲音等信息，是半導體產(chǎn)業(yè)的重要分支。存儲設備是指計算機系統(tǒng)中用于存儲和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件，按存儲技術不同可分為磁性存儲、光學存儲和半導體存儲。磁性存儲，是指利用磁能方式存儲信息的磁介質(zhì)設備，其存儲與讀取過程需要磁性盤片的機械運動，一般指HDD硬盤、軟盤和磁帶;光學存儲是指用光學方法從光存儲媒體上讀取和存儲數(shù)據(jù)的一種設備，一般指DVD光盤、藍光光盤等;存儲芯片，又稱為半導體存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導體介質(zhì)設備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應用于內(nèi)存、U盤、 消費電子、智能終端、固態(tài)硬盤等領域。?

工作原理?：存儲芯片通過電子的存儲或釋放來實現(xiàn)信息的存儲與讀取，這一過程完全依賴于電能。

?應用領域?：存儲芯片廣泛應用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)硬盤等領域。

定義

存儲芯片又叫做半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，通過對存儲介質(zhì)進行電子或電荷的充放電標記不同的存儲狀態(tài)，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲功能。

分類

(1)易失性存儲芯片： 這類存儲芯片在斷電后會丟失其存儲的數(shù)據(jù)。它們通常用于臨時存儲數(shù)據(jù)，如運行中的程序和處理器的緩存。

RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)：快速臨時數(shù)據(jù)存儲，用于CPU的運算處理。DRAM(Dynamic RAM，動態(tài)隨機存取存儲器)：需要定期刷新電子信息，以維持存儲的數(shù)據(jù)。SRAM(Static RAM，靜態(tài)隨機存取存儲器)：不需要定期刷新，比DRAM更快但更貴，常見于高速緩存中。(2)非易失性存儲芯片： 這些芯片即使在沒有電源的情況下也能長期保存數(shù)據(jù)，適用于存儲程序代碼和用戶數(shù)據(jù)。

ROM(Read-Only Memory，只讀存儲器)：預先編程的存儲芯片，通常包含不能或難以更改的數(shù)據(jù)。PROM(Programmable ROM，一次性編程的只讀存儲器)：可以由用戶編程一次，之后就變成只讀。EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦寫可編程只讀存儲器)：可以通過紫外線擦除數(shù)據(jù)并重編程。EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦寫可編程只讀存儲器)：可以電流擦除和重編程，操作更加方便。Flash Memory：一種廣泛使用的電腦擦寫可編程存儲技術，用于USB閃存驅動器、固態(tài)硬盤等設備。NAND Flash：具有高存儲密度、較低的每位成本，適用于大容量存儲。NOR Flash：具有更快的讀取速度，適用于代碼執(zhí)行和較小容量存儲。其中，DRAM、NAND、NOR 是三大主流存儲。存儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失， 可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲器斷電后會丟失數(shù)據(jù)，主 要包括DRAM，非易失性存儲器斷電后能保留數(shù)據(jù)，主要包括NAND、NOR FLASH。

?分類?：存儲芯片可分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器如DRAM和SRAM，斷電后數(shù)據(jù)會丟失;非易失性存儲器如Flash和EEPROM，斷電后數(shù)據(jù)仍能保存。

存儲芯片的重要性

存儲芯片在半導體市場中占據(jù)重要地位。2023年全球存儲芯片市場規(guī)模達到896.01億美元，占整個半導體行業(yè)的17%，預計2024年將增長至1,297.68億美元，成為半導體營收增長的主要驅動力。

存儲芯片的技術發(fā)展

存儲芯片的技術不斷進步，從早期的PROM到現(xiàn)在的Flash，再到新興的鐵電存儲器(FRAM)、相變存儲器(PRAM)等，技術更新迅速，性能不斷提升。

總結來說，存儲芯片是現(xiàn)代電子設備中不可或缺的組件，其高效、穩(wěn)定的存儲能力推動了信息技術的發(fā)展。

存儲設備是指計算機系統(tǒng)中用于存儲和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件，按存儲技術不同可分為磁性存儲、光學存儲和半導體存儲。磁性存儲，是指利用磁能方式存儲信息的磁介質(zhì)設備，其存儲與讀取過程需要磁性盤片的機械運動，一般指HDD硬盤、軟盤和磁帶;光學存儲是指用光學方法從光存儲媒體上讀取和存儲數(shù)據(jù)的一種設備，一般指DVD光盤、藍光光盤等;存儲芯片，又稱為半導體存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導體介質(zhì)設備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應用于內(nèi)存、U盤、 消費電子、智能終端、固態(tài)硬盤等領域。

存儲芯片屬于半導體中集成電路的范疇，是目前應用面最廣、標準化程度最高的集成電路基礎性產(chǎn)品之一。

存儲芯片市場有多大?有何行業(yè)特點?

半導體產(chǎn)品可劃分為集成電路(Integrated Circuits)、分立器件(Discrete Semiconductors)、光電子器件(Optoelectronics)和傳感器(Sensors)。其中集成電路占據(jù)超過81%的市場份額，光電子器件占比約9%，分立器件占約6%，傳感器約占4%。其中集成電路又可劃分為邏輯器件(Logic Device)、存儲器(Memory Device)、模擬器件(Analog Device)、微處理器(Microprocessor)。邏輯器件和存儲器總共約占集成電路市場份額中的65%，模擬器件約占20%，微處理器約占15%。

根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2023年全球半導體市場規(guī)模為5201.26億美元，集成電路占比達81%， 其中存儲芯片市場規(guī)模為896.01億美元，占整個半導體行業(yè)的17%，預計2024年將重回1,297.68億美元(見下圖：全球半導體市場規(guī)模)，暴增44.8%，其中DRAM和NAND各占約一半。存儲芯片將是半導體營收增長的主要驅動力，占據(jù)整個半導體市場的22%。

存儲芯片(Memory)，主要分為非易失性存儲器(Non-volatile Memory)、易失性存儲器(Volatile Memory)和新型存儲器(非易失性)。非易失性存儲器主要包括PROM(可編程只讀存儲器：EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)、EEPROM(帶電可擦可編程只讀存儲器))、MROM/Mask ROM(掩模式只讀存儲器)和Flash Memory(閃存：NAND Flash、NOR Flash)，即使在斷電后也能保留存儲的數(shù)據(jù)信息;易失性存儲器主要包括DRAM(動態(tài)隨機存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)， 斷電后不會保存數(shù)據(jù);新型存儲器主要包括FeRAM(鐵電存儲器)、PCRAM(相變存儲器)、ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)和MRAM(磁性隨機存儲器)等。

存儲芯片，也被稱為半導體存儲器，是一種以半導體電路為存儲介質(zhì)的記憶設備，它能夠保存二進制數(shù)據(jù)。這種技術已成為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)不可或缺的組成部分，憑借其小巧的體積和迅速的存儲速度，在內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端以及固態(tài)存儲硬盤等多個領域得到了廣泛應用。

此外，易失性存儲器與非易失性存儲器是計算機存儲技術中的兩大類別。它們在數(shù)據(jù)存儲方式和特性上有所不同。易失性存儲器，如隨機存取存儲器(RAM)，其數(shù)據(jù)存儲依賴于電力，一旦電源被切斷，存儲的數(shù)據(jù)將會丟失。這類存儲器的訪問速度通常非?？?，因此常被用于計算內(nèi)存中，以臨時存儲正在處理的數(shù)據(jù)和程序。

而非易失性存儲器，如閃存(Flash Memory)和只讀存儲器(ROM)，其數(shù)據(jù)存儲不依賴于電力，即使電源被斷開，數(shù)據(jù)也不會丟失。此外，還有諸如磁性隨機存儲器(MRAM)、鐵電隨機存儲器(FeRAM)以及相變存儲器(PCM)等新技術。盡管這類存儲器的訪問速度通常較慢，但它們非常適合長期存儲數(shù)據(jù)，例如操作系統(tǒng)、應用程序和用戶文件。特別是MRAM等新技術，它們結合了高速讀寫、非易失性和高耐久性等多個優(yōu)點。

存儲芯片行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈解析

上游行業(yè)主要由原材料與半導體設備供應商占據(jù)，其中原材料涵蓋硅片、光刻膠、CMP拋光液等關鍵成分，而半導體設備則包括光刻機、檢測與測試設備、CVD、刻蝕設備、清洗設備等。硅片作為影響芯片性能的關鍵因素，其產(chǎn)品質(zhì)量及一致性要求極高，純度需接近100%。然而，我國在高端硅片領域的自主研發(fā)能力尚顯不足，主要集中于中低端市場。光刻膠同樣面臨技術挑戰(zhàn)，其制造工藝難度大且定制化要求高，而我國目前主要聚焦于g線和i線光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)。此外，高端光刻機市場幾乎被荷蘭ASML壟斷，我國在光刻機國產(chǎn)化方面仍有長足進步的空間。

中游行業(yè)則是存儲芯片制造廠商的領域，涵蓋芯片設計、晶圓制造及封測等環(huán)節(jié)。半導體存儲器芯片以其高技術壁壘和開發(fā)難度而著稱。在商業(yè)模式上，IDM廠商憑借從設計到制造的全鏈條能力，擁有顯著的技術和資金優(yōu)勢。我國的長江存儲便是一個典型的IDM成功案例，其全產(chǎn)業(yè)鏈布局使得在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)領域具有強大的競爭力。然而，該領域長期被三星、海力士、美光三家企業(yè)主導，市占率高達95%，我國企業(yè)在這一領域的突破仍需時日。

下游行業(yè)則是存儲芯片的應用領域，廣泛涵蓋消費電子、計算機、網(wǎng)絡通信、智能車載、物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)控制等多個領域。這些應用領域的發(fā)展將直接推動存儲芯片市場的需求增長。