在工業(yè)生產(chǎn)過程中，變頻器是一種常見的電力設備，其穩(wěn)定性和可靠性對生產(chǎn)過程至關重要。然而，在實際使用過程中，我們可能會遇到變頻器的IGBT頻繁損壞的問題。這不僅會影響生產(chǎn)進度，還會增加維修成本。那么，變頻器IGBT頻繁損壞的原因是什么呢?又該如何解決這個問題呢?

首先，我們需要了解IGBT的工作特性。IGBT是一個發(fā)熱源，其導通與關斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關斷并不是瞬間完成的，有開通時間與關斷時間。驅動電壓低時，IGBT會處于微導通狀態(tài)，管壓降就會增大，驅動電壓過低時，IGBT在正驅動作用下，并不會導通，而會工作在放大狀態(tài)，此時的IGBT功率會非常大，秒燒IGBT是有可能的。因此，當我們發(fā)現(xiàn)變頻器的IGBT頻繁損壞時，首先需要檢查的是開關電源。因為IGBT的開通與關斷是受驅動電路控制的，而驅動電源是由開關電源提供的。若開關電源故障，導致驅動電壓過低，造成IGBT燒壞是非常有可能的。為了驗證這一懷疑，可以在變頻器空載的運行模式下，測量IGBT的正向驅動電壓，若低于10V，就要對開關電源進行檢查或是更換了。

然而，更換開關電源并不是一件簡單的事情?，F(xiàn)在的設備，集成化程度越來越高，什么都往一塊板上湊。一方面技術高度保密，好不讓同行竊取，另一方面就是想著法的讓客戶更換新板。因此，我們在遇到變頻器IGBT頻繁損壞的問題時，不僅需要具備一定的專業(yè)知識，還需要有足夠的耐心和毅力?？偟膩碚f，變頻器IGBT頻繁損壞的原因可能有很多，但大多數(shù)情況下，都與開關電源有關。因此，我們在解決這一問題時，應首先從開關電源入手。同時，我們也需要提高自己的專業(yè)技能，以便更好地應對各種復雜的問題。

在電子領域，雙極結型晶體管BJT和MOS管是應用最為廣泛的元器件。然而，IGBT，這一絕緣柵雙極型晶體管的融合體，正逐漸成為新的佼佼者。它結合了BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性，不僅提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，還具備更高的工作電壓和更低的MOS管輸入損耗。

1. 最大額定電壓：這是指在正常工作條件下，IGBT能夠承受的最大集電極-發(fā)射極電壓。超過這個電壓可能導致器件損壞。

2. 最大額定電流：這是指在正常工作條件下，IGBT能夠承受的最大集電極電流。超過這個電流可能導致器件過熱或損壞。

3. 最大額定功率：這是指在正常工作條件下，IGBT能夠承受的最大功率。超過這個功率可能導致器件過熱或損壞。

4. 開關速度：IGBT的開關速度指的是從導通到截止(或反之)所需的時間?？焖俚拈_關速度有助于減少功率損耗和提高效率，但過快的開關速度可能會增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降，導致器件損壞。

那么，究竟什么是IGBT呢?它是一種三端半導體開關器件，簡稱絕緣柵雙極晶體管，廣泛應用于各類電子設備中，實現(xiàn)高效快速開關。IGBT在放大器和脈沖寬度調(diào)制(PWM)處理復雜波形方面發(fā)揮著關鍵作用。其結構獨特，輸入側類似于具有柵極端子的MOS管，而輸出側則類似于具有集電極和發(fā)射極的BJT。其中，集電極和發(fā)射極作為導通端子，而柵極則是控制開關操作的關鍵控制端子。

接下來，讓我們進一步探索IGBT的內(nèi)部構造。首先映入眼簾的是，最接近集電極的區(qū)域是由(p+)襯底，也就是注入?yún)^(qū)所占據(jù)。其上則是N漂移區(qū)，包含N層，負責將大部分載流子(空穴電流)從(p+)注入N-層。值得注意的是，漂移區(qū)的厚度對IGBT的電壓阻斷能力產(chǎn)生直接影響。再往上，是主體區(qū)域，由(p)基板構成，它緊鄰發(fā)射極，內(nèi)部還設有(n+)層。注入?yún)^(qū)與N漂移區(qū)之間的連接點標為J2，而N-區(qū)域與主體區(qū)域之間的結點則稱為結點J1。值得一提的是，IGBT的結構在某種程度上類似于“MOS”柵極的晶閘管。然而，晶閘管的動作和功能是可抑制的，僅在IGBT的工作范圍內(nèi)允許晶體管動作。這使得IGBT相較于晶閘管更為出色，后者在等待過零時的快速切換特性不及前者。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在變頻器中扮演著核心的角色，其工作原理和作用對于變頻器的性能至關重要。首先，我們來了解IGBT的工作原理。IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個極控制。其開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通。反之，加反向門極電壓會消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。這一過程的控制非常關鍵，它決定了IGBT能否穩(wěn)定、高效地工作。

我們探討IGBT在變頻器中的作用。變頻器是一種電力電子裝置，主要用于改變交流電源的頻率和電壓，以滿足不同負載的需求。IGBT作為變頻器內(nèi)部的核心部件，其主要作用是將直流電轉換為交流電，供電機使用。通過精確控制IGBT的開關狀態(tài)，變頻器可以實現(xiàn)電源頻率和電壓的靈活調(diào)節(jié)，從而滿足各種復雜負載的需求。

IGBT還具有高可靠性、驅動簡單、節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定、開關頻率高等特點。這些特性使得IGBT在變頻器中能夠穩(wěn)定運行，并且能夠提高變頻器的整體性能和效率。IGBT的開啟與關閉完全取決于其柵極端子的激活狀態(tài)。當正輸入電壓施加于柵極時，發(fā)射極驅動電路將保持開啟狀態(tài);而當柵極端電壓為零或略為負時，電路則會被關閉。由于IGBT兼具BJT和MOS管的特點，其放大量表現(xiàn)為輸出信號與控制輸入信號之間的比率。對于傳統(tǒng)的BJT，增益量與輸出電流與輸入電流的比率相近，通常稱為Beta，以β表示。而對于MOS管，由于其柵極端子是隔離的，不承載電流，因此增益量是通過輸出電流變化與輸入電壓變化的比值來確定的。

IGBT選型四個基本要求

1、安全工作區(qū)

在安全上面，主要指的就是電的特性，除了常規(guī)的變壓電流以外，還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護。這個是開通和關斷時候的波形，這個是相關的開通和關斷時候的定義。我們做設計時結溫的要求，比如長期工作必須保證溫度在安全結溫之內(nèi)，做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關的應用參數(shù)提供出來。這樣結合這個參數(shù)以后，結合選擇的IGBT的芯片，還有封裝和電流，來計算產(chǎn)品的功耗和結溫，是否滿足安全結溫的需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面，在結構上面，其實也會和封裝相關，因為設計的時候會布局和結構的問題，不同的設計它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題，剛才說到結溫波動，其中最擔心就是結溫波動以后，會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接，時間久了，這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異，所以在結溫波動情況下，長時間下來，如果工藝不好的話，就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂，這樣就會影響保護壓降，進一步導致ICBT失效。第二個就是熱循環(huán)，主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個材料之間，他們之間的差異性。如果失效了以后，就分層了，材料與材料之間特性不一樣，就變成這樣情況的東西，這個失效很明顯。