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西安變電站爆炸 新一代蘋果Flash生產受影響
據(jù)報道，18 日凌晨位于西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火，火光沖天照亮夜空，幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電，附近商店窗戶玻璃被震碎，汽車也有損壞。官方初步勘察后沒有發(fā)現(xiàn)人為破壞跡像，
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新日本無線發(fā)布的小型低功耗模擬前端NJU9101
21ic訊，新日本無線最近發(fā)布了一款用于電化學氣體傳感器檢測信號處理用的小型低功耗模擬前端(AFE)※1「NJU9101」，該器件可應用檢測處理最多7種不同氣體。
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ADI公司推出兩款新型單芯片多核SHARC®處理器
21ic訊， Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理應用半導體解決方案供應商，近日宣布其日益壯大的單芯片多核SHARC處理器系列迎來兩款新處理器——ADSP-SC57x和ADSP-2157x。利用這些器件可實現(xiàn)出色的音質和更高性價比、更可靠的音頻系統(tǒng)，提升音頻體驗。
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國家集成電路產業(yè)基金將關注三大問題
在15日于南通召開的第十四屆中國半導體封裝測試技術與市場年會上，國家集成電路產業(yè)投資基金(CICF大基金)總經理丁文武表示，大基金接下來需要關注存儲器戰(zhàn)略、新興產業(yè)和熱點、行業(yè)并購等三大問題。 首先是中國的存儲
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高通涉足服務器芯片PK霸主英特爾
談及高通和英特爾的關系，首先要說說英特爾敗走移動芯片市場。作為PC處理器領域最大的廠商，英特爾卻在智能手機移動芯片市場栽了跟頭，經過幾年的不懈努力，最終仍以失敗告終，不久前正式宣布停止對Broxton和SoFIA兩
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東芝采用0.13μm工藝的靜電放電(ESD)保護器件適用于模擬功率半導體
東芝公司(TOKYO：6502)成功研發(fā)出一款適用于模擬功率半導體應用的靜電放電(ESD)保護器件，產品采用先進的0.13μm工藝技術制造，優(yōu)化了晶體管結構，顯著提高了靜電放電特性。靜電放電保護魯棒性提高多達四倍，標準偏
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直流穩(wěn)壓電源之二：濾波電路
濾波(要濾的波是交流)的基本概念：濾波電路利用電抗性元件對交、直流阻抗的不同，實現(xiàn)濾波。電容器C對直流開路，對交流阻抗小，所以C應該并聯(lián)在負載兩端。電感器L對直流阻抗小，對交流阻抗大，因此L應與負載串聯(lián)。經
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TVS管的選型指南，你要知道的都在這里了
一、選用指南1、 首先確定被保護電路的最大直流或連續(xù)工作電壓，電路的額定標準電壓和“高端”容限。2、 TVS的額定反向關斷電壓VWM應大于或等于被保護電路的最大工作電壓，若選用的VWM太低，器件有可能進入
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Σ-Δ型ADC改善儀器儀表、能源和醫(yī)療保健應用中的信號質量監(jiān)控
21ic訊 Analog Devices, Inc.最近推出24位同步采樣Σ-Δ型ADC系列，可用于寬帶寬、高密度儀器儀表、能源和醫(yī)療保健設備。最新AD7768系列的每一條通道均集成功率可擴展調制器和數(shù)字濾波器，可實現(xiàn)儀器儀表應用中交流和直流信號的同步、精確測量——包括調制器數(shù)據(jù)采集、音頻測試和資產狀態(tài)監(jiān)控。
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臺積電：10nm已量產7nm工藝合同簽到手軟
臺積電7nm工藝，Willy Chen表示“已簽訂了20多個合同”。已有用戶開始設計，將于2017年下半年送廠生產。7nm工藝的量產將于2018年開始。據(jù)Willy Chen介紹，7nm工藝與10nm工藝相比，邏輯集成度將提高60%，性能和耗電量將改善30～40%.....
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張忠謀︰臺積電7nm優(yōu)勢領先三星
全球晶圓代工龍頭廠臺積電董事長張忠謀昨指出，7納米先進制程是非常重要的戰(zhàn)爭，主角是臺積電與韓國三星電子，他看好臺積電的競爭優(yōu)勢會超過三星電子......
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三星7nm工藝將采用EUV技術
三星電子在近日該公司與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會議上公開了該公司代工業(yè)務的工藝路線圖。此次會議與第53屆設計自動化大會(53rd Design Automation Conference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行)同在美國奧斯汀舉行......
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精密全波整流電路（利用單電源供電運放）
利用單電源運放的跟隨器的工作特性，也可以實現(xiàn)精密全波整流。單電源供電的運放構成的跟隨器，當輸入信號大于0時，輸出跟隨輸入變化。當輸入信號小于0的時候，輸出為0。利用這個特性可以構成如下的電路。當輸入為正電
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精密全波整流電路（單運放型）
利用單運放構成的精密全波整流電路主要有兩種，一種稱之為 T 型，另一種稱為△型。T 型精密全波整流電路的原理圖如下。圖1 T型精密全波整流電路上面電路中 R1 = R3 = 2*R2當輸入為正電壓時，D1 導通D2截止，這時運放
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告別小白：固態(tài)硬盤內外結構解析
固態(tài)硬盤(Solid State Drive)，簡稱固態(tài)盤(SSD)，是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)以及緩存單元組成。
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