Vishay上線(xiàn)業(yè)內(nèi)首個(gè)鐵氧體磁珠阻抗計(jì)算器

Vishay推出業(yè)內(nèi)首個(gè)在線(xiàn)磁珠阻抗計(jì)算器。能幫助設(shè)計(jì)者有效節(jié)省時(shí)間，簡(jiǎn)單明了地算出Vishay最常用的表面貼裝磁珠在任何給定頻率下的阻抗，并計(jì)算出在有直流偏壓時(shí)規(guī)定頻率下的有效阻抗。

16Gbps！下代顯卡存儲(chǔ)器GDDR6零八年問(wèn)世

三星公開(kāi)討論了后GDDR5時(shí)代的顯卡存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，提出新一代顯卡存儲(chǔ)器速率在14-16Gbps，電壓1.35V，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是在保持時(shí)鐘頻率1.75GHz的情況下，將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。

宇宙才是你的極限，貿(mào)澤電子攜手格蘭特•今原開(kāi)啟國(guó)際空間站3D打印設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體與電子元器件頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子宣布與貿(mào)澤電子的長(zhǎng)期客戶(hù)、全球備受贊譽(yù)的工程師、“流言終結(jié)者”格蘭特·今原開(kāi)啟“國(guó)際空間站設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)”。

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移——3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)明年來(lái)臨

NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃來(lái)看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開(kāi)出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)。

一線(xiàn)ODM/OEM廠(chǎng)生產(chǎn)鏈或添新丁——鈺創(chuàng)USB-PD控制IC

鈺創(chuàng)下半年受惠于英特爾Kaby Lake平臺(tái)放量出貨，以及PC市場(chǎng)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，總體出貨量在8月之后已見(jiàn)明顯增溫。其中，USB-PD控制IC獲得英特爾Kaby Lake平臺(tái)參考設(shè)計(jì)認(rèn)證通過(guò)，可望順利打進(jìn)一線(xiàn)ODM/OEM廠(chǎng)生產(chǎn)鏈。

英特爾成長(zhǎng)策略的制勝法寶——FPJA

科再奇在主題演講中明確闡述FPGA是英特爾成長(zhǎng)策略的關(guān)鍵，其動(dòng)力來(lái)自成長(zhǎng)引發(fā)的良性循環(huán)。在智慧化與連網(wǎng)化的世界中，“萬(wàn)物”能被擷取成一段資料、即時(shí)量測(cè)、還能從任何地方存取這些資料。

穩(wěn)壓二極管基礎(chǔ)知識(shí)，快來(lái)復(fù)習(xí)啦！

穩(wěn)壓管正向接法時(shí)與普通二極管特性一樣。當(dāng)穩(wěn)壓管在反向接法時(shí)，當(dāng)反向電壓小于擊穿電壓時(shí)，反向電流很小，呈現(xiàn)的動(dòng)態(tài)電阻很大。通常工作電流越大，動(dòng)態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好。當(dāng)反向電壓大于擊穿電壓時(shí)，流過(guò)二極

3D NAND技術(shù)大戰(zhàn)爆發(fā)前廠(chǎng)商們?cè)谧錾?/a>

手機(jī)缺少LPDD4和雙通道RAM就Out啦

據(jù)悉，今年的iPhone 7系列可能會(huì)搭載3GB RAM，提升整體性能。至于Android 7.0，一個(gè)醒目的新功能分屏多任務(wù)，將成為系統(tǒng)的基本功能，或許多RAM容量的要求會(huì)更高。

慧榮科技于2016全球閃存峰會(huì)中展出最新SM2260 交鑰匙式PCIe SSD 控制芯片解決方案

在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司在本次峰會(huì)中展出首款PCIe SSD 控制芯片解決方案SM2260，作為PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片，SM2260為8通道設(shè)計(jì)，最高可支持2TB 容量。

英特爾CEO科再奇:融合現(xiàn)實(shí)——讓虛擬世界和真實(shí)世界渾然一體

英特爾公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期間撰文，闡述英特爾推動(dòng)“融合現(xiàn)實(shí)”(Merged Reality)世界的愿景，及其為開(kāi)發(fā)者、創(chuàng)客和發(fā)明者提供的革命性技術(shù)進(jìn)步。

聊聊模電中的場(chǎng)管和運(yùn)放

按理說(shuō)，場(chǎng)管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)雙極型晶體管(BJT)。場(chǎng)效應(yīng)管，包括最常見(jiàn)的MOSFET，在電源、照明、開(kāi)關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見(jiàn)。

3D NAND 高壓競(jìng)爭(zhēng)，三星獨(dú)家領(lǐng)先

平面NAND閃存的制程己經(jīng)達(dá)15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲(chǔ)器的容量及帶寬，向3D NAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢(shì)。

從閉著眼“做夢(mèng)”到睜著眼“做夢(mèng)”

從各種“感覺(jué)”帶給你真實(shí)性的VR技術(shù)，到底是如何做到讓你置身“幻境”?除了游戲，我們還能在哪兒運(yùn)用VR技術(shù)?虛擬現(xiàn)實(shí)未來(lái)又要在哪個(gè)領(lǐng)域發(fā)展呢?

基礎(chǔ)知識(shí)系列！三極管工作原理(表現(xiàn)形式)

如圖所示為三極管電路圖，以NPN為例，Ib：指代基極B流到發(fā)射極E的電流。Ic：指代集電極C流到發(fā)射極E的電流?；颈憩F(xiàn)原理：放大：集電極流出的電流會(huì)受到基極電流的控制，基極電流很小的變化就會(huì)引起集電極電流很大的