電路板或格式電子系統(tǒng)中有各式各樣的電源電路,隔離型、非隔離型,AC-DC、DC-DC,升壓、降壓等。他們都是為負載供電,負載多種多樣,對應電源也多種多樣。
分析師表示,時序邁入第3季出貨旺季,由于三星旗艦機Note 7剛上市、新一代iPhone即將推出,加上中國品牌手機出貨未見停歇,都讓移動式存儲器的需求同步大增。
Vishay推出業(yè)內首個在線磁珠阻抗計算器。能幫助設計者有效節(jié)省時間,簡單明了地算出Vishay最常用的表面貼裝磁珠在任何給定頻率下的阻抗,并計算出在有直流偏壓時規(guī)定頻率下的有效阻抗。
三星公開討論了后GDDR5時代的顯卡存儲器標準,提出新一代顯卡存儲器速率在14-16Gbps,電壓1.35V,簡單來說就是在保持時鐘頻率1.75GHz的情況下,將數據頻率至少翻倍。
半導體與電子元器件頂尖工程設計資源與全球授權分銷商貿澤電子宣布與貿澤電子的長期客戶、全球備受贊譽的工程師、“流言終結者”格蘭特·今原開啟“國際空間站設計挑戰(zhàn)”。
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴產計劃來看,3D NAND產能將在明年大量開出,明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場。
鈺創(chuàng)下半年受惠于英特爾Kaby Lake平臺放量出貨,以及PC市場進入傳統(tǒng)備貨旺季,總體出貨量在8月之后已見明顯增溫。其中,USB-PD控制IC獲得英特爾Kaby Lake平臺參考設計認證通過,可望順利打進一線ODM/OEM廠生產鏈。
科再奇在主題演講中明確闡述FPGA是英特爾成長策略的關鍵,其動力來自成長引發(fā)的良性循環(huán)。在智慧化與連網化的世界中,“萬物”能被擷取成一段資料、即時量測、還能從任何地方存取這些資料。
穩(wěn)壓管正向接法時與普通二極管特性一樣。當穩(wěn)壓管在反向接法時,當反向電壓小于擊穿電壓時,反向電流很小,呈現(xiàn)的動態(tài)電阻很大。通常工作電流越大,動態(tài)電阻越小,穩(wěn)壓性能越好。當反向電壓大于擊穿電壓時,流過二極
平面NAND閃存的量產己經達15納米,幾乎接近它的物理極限,因此為了提高存儲器的容量及帶寬,向3DNAND技術邁進是必然趨勢。但是3DNAND技術很復雜,相比較而言由于成品率低,導致成本高。
據悉,今年的iPhone 7系列可能會搭載3GB RAM,提升整體性能。至于Android 7.0,一個醒目的新功能分屏多任務,將成為系統(tǒng)的基本功能,或許多RAM容量的要求會更高。
在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司在本次峰會中展出首款PCIe SSD 控制芯片解決方案SM2260,作為PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片,SM2260為8通道設計,最高可支持2TB 容量。
英特爾公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期間撰文,闡述英特爾推動“融合現(xiàn)實”(Merged Reality)世界的愿景,及其為開發(fā)者、創(chuàng)客和發(fā)明者提供的革命性技術進步。
按理說,場管不是教材的重點,但目前實際中應用最廣,遠遠超過雙極型晶體管(BJT)。場效應管,包括最常見的MOSFET,在電源、照明、開關、充電等等領域隨處可見。
平面NAND閃存的制程己經達15納米,幾乎接近它的物理極限,因此為了提高存儲器的容量及帶寬,向3D NAND技術邁進是必然趨勢。