從各種“感覺”帶給你真實(shí)性的VR技術(shù),到底是如何做到讓你置身“幻境”?除了游戲,我們還能在哪兒運(yùn)用VR技術(shù)?虛擬現(xiàn)實(shí)未來(lái)又要在哪個(gè)領(lǐng)域發(fā)展呢?
如圖所示為三極管電路圖,以NPN為例,Ib:指代基極B流到發(fā)射極E的電流。Ic:指代集電極C流到發(fā)射極E的電流?;颈憩F(xiàn)原理:放大:集電極流出的電流會(huì)受到基極電流的控制,基極電流很小的變化就會(huì)引起集電極電流很大的
如圖:為二極管與門電路,Vcc = 10v,假設(shè)3v及以上代表高電平,0.7及以下代表低電平,下面根據(jù)圖中情況具體分析一下,1.Ua=Ub=0v時(shí),D1,D2正偏,兩個(gè)二極管均會(huì)導(dǎo)通,此時(shí)Uy點(diǎn)電壓即為二極管導(dǎo)通電壓,也就是D1,D2導(dǎo)
消費(fèi)者電子、通訊IC、傳感器芯片等制造不需使用最先進(jìn)的制程,因此隨著產(chǎn)品市場(chǎng)需求的激增,也讓8寸晶圓廠產(chǎn)能出現(xiàn)了短缺,全球芯片廠都希望能取得市場(chǎng)上為數(shù)不多的8寸晶圓設(shè)備......
全球晶圓代工廠8寸產(chǎn)能需求走下坡,指紋辨識(shí)IC扮演救星角色,臺(tái)積電和中芯國(guó)際受惠成大贏家!聯(lián)發(fā)科轉(zhuǎn)投資的大陸匯頂2016年指紋辨識(shí)IC大爆發(fā),第二季投片量從上季3,000片暴增至3萬(wàn)片,神盾投片也放量......
全球集成電路產(chǎn)業(yè)重心正在向中國(guó)轉(zhuǎn)移,這給中國(guó)企業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。如今,中芯國(guó)際生產(chǎn)的芯片早已隨智能手機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的普及飛入尋常百姓家,改寫了外資、跨國(guó)企業(yè)長(zhǎng)期占據(jù)壟斷地位的無(wú)芯時(shí)代...
“二季度中芯依然表現(xiàn)優(yōu)異,中芯國(guó)際已經(jīng)連續(xù)第17個(gè)季度盈利。”——中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士近日,中芯國(guó)際發(fā)布了二季財(cái)報(bào)......
報(bào)告稱,英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會(huì)上市。估計(jì)第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會(huì)大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒,東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
為存儲(chǔ)、云基礎(chǔ)設(shè)施、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、互聯(lián)和多媒體應(yīng)用提供半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,Nasdaq:MRVL)今日宣布拓展SSD產(chǎn)品線,推出88NV1160高速非易失性閃存(NVMe)DRAM-less SSD控制器。Marve
隨著自動(dòng)售貨機(jī)在國(guó)內(nèi)的快速普及,運(yùn)營(yíng)商對(duì)眾多售貨機(jī)的高效管理依賴于連接數(shù)據(jù)中心的它。
國(guó)家能源局公布數(shù)據(jù)顯示,2015年全國(guó)風(fēng)電棄風(fēng)率達(dá)到15%,成為中國(guó)有史以來(lái)?xiàng)夛L(fēng)最嚴(yán)重的年份,而2016年一季度棄風(fēng)率繼續(xù)攀升至26%。千億瓦風(fēng)電電量被棄原因究竟出現(xiàn)在哪里?
不論是提升比賽結(jié)果的精度,還是改善運(yùn)動(dòng)員的賽場(chǎng)表現(xiàn),技術(shù)發(fā)展都在里約奧運(yùn)會(huì)的蛻變中扮演著重大角色。而對(duì)傳感器和大數(shù)據(jù)分析的大規(guī)模運(yùn)用,預(yù)計(jì)將會(huì)帶來(lái)下一輪的重大蛻變,其影響甚至更加重大。
鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。
美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼:MU)今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)(納斯達(dá)克股票代碼:LRCX)今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝,標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS® 產(chǎn)品系列又添新成員。