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基于PCB板的高性能大功率濾波器設(shè)計(jì)
摘要 介紹了一種減小大功率濾波器的插入損耗和提高濾波器帶外抑制的實(shí)現(xiàn)技術(shù)，通過(guò)合理選擇濾波器的結(jié)構(gòu)和元器件，以及印制板的板材，并在濾波器設(shè)計(jì)過(guò)程中充分考慮印制板布線對(duì)不同頻率的影響，盡量采用均勻傳輸線
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高通蘋(píng)果FinFET芯片落誰(shuí)家? 三星臺(tái)積電14/16nm 新制程大戰(zhàn)
目前半導(dǎo)體業(yè)界中，晶圓代工領(lǐng)域最熱門(mén)的話題就是高通 (Qualcomm) 新的手機(jī)晶片代工訂單花落誰(shuí)家?以及蘋(píng)果 iPhone 6的 A8 晶片后續(xù)動(dòng)向，韓廠三星與臺(tái)廠臺(tái)積電之間的新制程競(jìng)爭(zhēng)，越演越烈，雙方都在20奈米 (nm) 以下
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意法半導(dǎo)體（ST）最新元器件獲得全球等級(jí)最高的航天產(chǎn)品認(rèn)證
21ic訊 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、市場(chǎng)領(lǐng)先的高性能航天元器件供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)進(jìn)一步擴(kuò)大抗輻射產(chǎn)品組合，新推出一系列通過(guò)美國(guó) 300kr
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Microchip推出全新零漂移儀表放大器
21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出全新的MCP6N16零漂移器件以進(jìn)一步擴(kuò)展其儀表放大器產(chǎn)品組合。這款新器件具備自校正架構(gòu)，可以通過(guò)超低失調(diào)、低失調(diào)漂移以及優(yōu)異的共模和電源抑制功能來(lái)
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MEMS加速度計(jì)的GPS終端的低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)
摘要：鋰電池供電的便攜式GPS定位終端，其待機(jī)時(shí)間是影響產(chǎn)品實(shí)際應(yīng)用的一個(gè)主要因素。采用MEMS加速度計(jì)作為運(yùn)動(dòng)檢測(cè)開(kāi)關(guān)，在后臺(tái)辨別目標(biāo)體的動(dòng)靜狀態(tài)，決定系統(tǒng)CPU工作的工作狀態(tài)，合理配置GPS、GSM各模塊的工作模
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Gartne：2014年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可成長(zhǎng)6.7%
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner 發(fā)布最新預(yù)測(cè)， 2014年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售業(yè)績(jī)將穩(wěn)步達(dá)到3,360億美元，較2013年成長(zhǎng)6.7%，高于上一季所預(yù)測(cè)的5.4%。2014年第二季較諸前一季之成長(zhǎng)幅度已超出預(yù)期，連同晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSM
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小衛(wèi)星平臺(tái)某電子設(shè)備電磁兼容性設(shè)計(jì)
摘要：針對(duì)小衛(wèi)星平臺(tái)某電子設(shè)備內(nèi)部電磁環(huán)境，給出了電磁兼容性(EMC)設(shè)計(jì)原則和具體方法，包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、屏蔽設(shè)計(jì)、濾波設(shè)計(jì)及PCB板設(shè)計(jì)等，EMC試驗(yàn)表明該設(shè)備電磁兼容設(shè)計(jì)合理，這對(duì)星載電子設(shè)備的電磁兼容設(shè)計(jì)有較
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2．5 Gbps收發(fā)器中1：2解復(fù)用電路的設(shè)計(jì)
摘要：在2.5 Gbps高速串行收發(fā)系統(tǒng)接收端中1到2解復(fù)用電路位對(duì)于降低內(nèi)核工作速度，減輕設(shè)計(jì)壓力，提高電路穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。本文描述了基于電流模式邏輯的解復(fù)用電路工作原理，按照全定制設(shè)計(jì)流程采用SMIC0.18u
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什么是光耦？
光耦：光耦合器(opticalcoupler，英文縮寫(xiě)為OC)亦稱(chēng)光電隔離器或光電耦合器，簡(jiǎn)稱(chēng)光耦。它是以光為媒介來(lái)傳輸電信號(hào)的器件，通常把發(fā)光器(紅外線發(fā)光二極管LED)與受光器(光敏半導(dǎo)體管)封裝在同一管殼內(nèi)。當(dāng)輸入端加電
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鎖相環(huán)PLL
PLL可以用來(lái)提供芯片時(shí)鐘，是由PLLSTAT(PLL狀態(tài)寄存器)來(lái)控制的，由第9位來(lái)控制，用來(lái)讀出PLL的連接位。當(dāng)?shù)?位PLLE和第9位PLLC都為1時(shí)，PLL作為時(shí)鐘源連接到處理器。當(dāng)PLLC或PLLE為0時(shí)，PLL被旁路，處理器直接使用振
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三極管非門(mén)電路原理（反相器）
<該圖來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)>如圖，所示，為三極管的一個(gè)最基礎(chǔ)應(yīng)用，非門(mén)，還是如前面一樣，分情況介紹，1、當(dāng)Ui=0v時(shí)，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)Y點(diǎn)輸出電壓Uy=Vcc=5v.2、當(dāng)Ui=5v時(shí)，三極管飽和導(dǎo)通，Y點(diǎn)輸出為低.Thanks
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如何判斷發(fā)光二級(jí)管正負(fù)極？
用萬(wàn)用表R×1K擋，紅、黑兩表筆交替接自閃發(fā)光二極管的兩根引線，當(dāng)發(fā)現(xiàn)其中一次測(cè)量，表針先向右擺動(dòng)一定距離，然后表針在此位置上開(kāi)始輕微抖動(dòng)(振蕩)，擺動(dòng)幅度在一小格左右。這種現(xiàn)象說(shuō)明自閃發(fā)光二極管內(nèi)部
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發(fā)光二極管之一——工作原理圖解分析
發(fā)光二極管,通常稱(chēng)為L(zhǎng)ED,是在電子學(xué)世界里面的真正無(wú)名英雄。它們做了許多不同工作和在各種各樣的設(shè)備都可以看見(jiàn)它的存在。基本上,發(fā)光二極管只是一個(gè)微小的電燈泡。但不像常見(jiàn)的白熾燈泡，發(fā)光二極管沒(méi)有燈絲，而且
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帶三線式補(bǔ)償?shù)?2位、300 kSPS、單電源、完全隔離式RTD溫度測(cè)量系統(tǒng)
評(píng)估和設(shè)計(jì)支持電路評(píng)估板CN0337電路評(píng)估板(EVAL-CN0337-PMDZ)SDP/PMD轉(zhuǎn)接板(SDP-PMD-IB1Z)系統(tǒng)演示平臺(tái)(EVAL-SDP-CB1Z)設(shè)計(jì)和集成文件原理圖、布局文件、物料清單電路功能與優(yōu)勢(shì)圖1所示電路是只采用了三個(gè)有源器件
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傳三星擠下臺(tái)積電獲高通首批14納米FinFET芯片訂單
業(yè)界消息稱(chēng)，高通已經(jīng)將首批FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)芯片訂單下給了三星電子，而不是業(yè)界普遍認(rèn)為的臺(tái)積電。三星將使用14納米制程工藝生產(chǎn)FinFET芯片，而臺(tái)積電使用的是16納米。消息稱(chēng)，盡管16納米晶粒(Die)尺寸大于1
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- 叮叮當(dāng)，叮叮當(dāng) ADI化身圣誕老人送禮物啦
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- TI圣誕狂歡月，答題禮不停
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