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Vishay推首款采用2726和4026外形尺寸的 Power Metal Strip檢流電阻
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2726和4026外形尺寸，工作溫度高達(dá)+275℃的表面貼裝、4接頭的Power Metal Strip®檢流電阻--- WSLT2726和WSLT4026。Vishay Dale WSLT2726和W
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基于C8051F350的多路高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)及應(yīng)用
摘要：為針對(duì)一般的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)精度較低、價(jià)格較高的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種低成本、高精度的多路數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)系統(tǒng)由上、下位機(jī)兩部分組成，上、下位機(jī)通過(guò)RS-485總線進(jìn)行通信。下位機(jī)選用C8051F350作為主控制器，A/D轉(zhuǎn)換
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Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP
21ic訊—2014年5月20日，全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶
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e絡(luò)盟為亞太區(qū)電子產(chǎn)品制造新增1000余種分立器件
21ic訊 e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自飛兆半導(dǎo)體、NXP、安森美半導(dǎo)體 及威世等行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商的1000多種適用于電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造的最重要的高性能晶體管、 MOSFET及二極管，以進(jìn)一步擴(kuò)展其帶卷分立器件產(chǎn)品系列。該新增系
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臺(tái)積電16納米猛催油三星14納米緊跟添柴火
臺(tái)積電為讓16納米FinFET制程能成功出擊，推出升級(jí)版的16納米FinFET Plus版本，目前多數(shù)客戶都以此版本為主，近期競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(Samsung Electronics)亦跟進(jìn)效法，同樣推出14納米升級(jí)版本LPP(Low Power Plus)，目前
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2014年全球半導(dǎo)體手機(jī)營(yíng)收排名
市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights統(tǒng)計(jì)今年全球前20大半導(dǎo)體首季營(yíng)收表現(xiàn)，其中，前5大排名不變，唯一入列的臺(tái)廠是第3名的臺(tái)積電，聯(lián)發(fā)科則由去年16名躍升至12名，首季營(yíng)收年成長(zhǎng)率48%則居第1，另聯(lián)電首季營(yíng)收排名擠進(jìn)前20大，較去
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一種低噪聲高增益零中頻放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘要：文中介紹了一種低噪聲的零中頻放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，通過(guò)選用合適的集成運(yùn)算放大器芯片，完成低噪聲、高增益并具備濾波效果的零中頻放大器的設(shè)計(jì)。闡述了運(yùn)放芯片的選擇依據(jù)，電路的工作原理并使用Cadence制板軟
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RFID技術(shù)及其在溫度傳感器方面的應(yīng)用
摘要：基于歷史發(fā)展現(xiàn)狀簡(jiǎn)要介紹RFID技術(shù)概念、組成、主要特點(diǎn)及技術(shù)局限，同時(shí)通過(guò)總結(jié)搜索的國(guó)內(nèi)外相關(guān)資料論述了RFID技術(shù)在溫度傳感器方面的應(yīng)用(包括學(xué)術(shù)研究和商業(yè)化)、目前的種類(lèi)和所能達(dá)到的特性，從而提出RF
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具有0.5°C精度的隔離式4通道熱電偶/RTD溫度測(cè)量系統(tǒng)
優(yōu)勢(shì)和特性· 4通道熱電偶/RTD測(cè)量· 完全隔離· 輸入保護(hù)連接/參考器件AD7193：4通道、4.8 kHz、超低噪聲、24位ADT7310：±0.5°C精度、16位數(shù)字SPI溫度傳感器AD8603：精密微功耗、低噪
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三星Galaxy S5 Synaptics Natural ID™ ClearPad®（采用3D觸控™技術(shù)）評(píng)測(cè)人員指南
三星Galaxy S5的哪些功能通過(guò)Synaptics技術(shù)實(shí)現(xiàn)?Synaptics技術(shù)再次實(shí)現(xiàn)了Galaxy S5的關(guān)鍵人機(jī)界面元素。Synaptics Natural ID™指紋ID技術(shù)是Galaxy S5中指紋識(shí)別功能背后的技術(shù)支撐。Galaxy S5機(jī)身正面的Home
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Vishay新款柵極電阻具有6.5kW高功率和+400℃工作溫度
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大電流柵極電阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作溫度，以及穩(wěn)健的設(shè)計(jì)，可直接替換競(jìng)爭(zhēng)的解決方案。今天發(fā)布
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應(yīng)用材料公司推出15年來(lái)在互連科技中最大的材料變革
21ic訊 應(yīng)用材料公司推出Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt 系統(tǒng)，這是現(xiàn)今唯一一款在邏輯芯片銅互連工藝中能夠通過(guò)化學(xué)氣相沉積實(shí)現(xiàn)鈷薄膜的系統(tǒng)。鈷薄膜在銅工藝有兩種應(yīng)用，平整襯墊(Liner)與選擇性覆
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高通對(duì)蘋(píng)果拉攏臺(tái)積電感到不安 考慮與三星合作
5月14日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士透露，高通打算將20納米工藝訂單從臺(tái)積電轉(zhuǎn)給三星電子或哥羅芳德(Globalfoundries)。知情人士解釋說(shuō)，高通之所以打算這么做是因?yàn)榕_(tái)積電已經(jīng)從今年第二季度開(kāi)始利用20納米工藝量產(chǎn)蘋(píng)果A8
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接不到蘋(píng)果大單 英特爾進(jìn)軍代工市場(chǎng)純屬浪費(fèi)
近日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾從不掩飾成為一家主要高端芯片代工廠商的意圖。迄今為止，英特爾芯片代工業(yè)務(wù)最知名的客戶是FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列)廠商Altera，而且業(yè)界普遍預(yù)期英特爾在吸引更多對(duì)其先進(jìn)制造
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TI高性能DAC在提高精確度同時(shí)，縮小板級(jí)空間 降低系統(tǒng)成本
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出最新系列數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，其可幫助工程師在縮減整體系統(tǒng)尺寸與成本的同時(shí)，為可編程邏輯控制器 (PLC) I/O 模塊、電場(chǎng)傳感器與發(fā)送器以及樓宇自動(dòng)化系統(tǒng)提高準(zhǔn)確度與性能。該
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