臺積電昨(29)日股價收漲1.9元,報98.7元,今(30)日是否挑戰(zhàn)100元關(guān)卡備受關(guān)注。雖然臺積電對手如美商格羅方德與三星不斷挖墻角搶訂單,但麥格理資本證券指出,臺積電28奈米HKMG訂單依舊有強勁優(yōu)勢,建議股價在100元以
OptimalTest宣布超微半導體(AMD)選擇該公司為其主要測試管理供應(yīng)商。兩家公司簽訂1年多的合約,于雙方全球供應(yīng)鏈內(nèi)的設(shè)備以及工廠里的測試機臺共同合作改善良率、品質(zhì)以及使用率。 OptimalTest總裁執(zhí)行長Dan Glot
鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14奈米市場商機,臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市
根據(jù)臺灣產(chǎn)業(yè)鏈上游消息來源表示,目前,全球28nm芯片代工開始呈現(xiàn)三國大戰(zhàn)走勢。 其中,TMSC臺積電是28nm產(chǎn)品代工大戶,每月代工10萬顆28nm芯片。目前,臺積電28nm產(chǎn)品代工客戶有高通、NVIDIA、AMD、聯(lián)發(fā)科等芯片設(shè)
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺,喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進度比臺積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
即使多數(shù)晶圓代工廠并不愿切入20奈米制程(聯(lián)電(2303)將跳過20奈米直接進入14/16奈米,英特爾也在28奈米之后直接跳14奈米),惟外資小摩(JP Morgan)出具最新報告指出,20奈米「不再是一個非主流制程」(small node),將
IBM日前宣布與Google、Nvidia等公司共組OpenPower聯(lián)盟(OpenPowerConsortium),為聯(lián)盟合作夥伴提供Power架構(gòu)。由于這項決定對于藍色巨人的未來發(fā)展影響舉足輕重,OpenPower聯(lián)盟可能成為IBM在微處理器領(lǐng)域的最后生存之
雖然失去節(jié)能補貼政策助攻,不過,今年中國大陸十一長假仍展現(xiàn)拉貨動能,電視芯片供應(yīng)鏈指出,下一波旺季將是11月,為明年元旦和農(nóng)歷春節(jié)展開的備貨效應(yīng),目前看來,第4季來自大陸的需求有機會比第3季好。受到歐洲需
8月29日消息,據(jù)外媒venturebeat報道,隨著可穿戴計算機的起飛,芯片制造商們開始著手設(shè)計硅谷芯片以使它們可運用于最小設(shè)備上。英國CPU制造商ImaginationTechnologies宣稱今日與InedaSystems合作研發(fā)可穿戴設(shè)備芯片
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,在28nm產(chǎn)品供過于求的情況下,芯片代工制造商計劃使用28nm生產(chǎn)設(shè)備來制造20nm產(chǎn)品。芯片代工廠商這種計劃,也可以滿足部分客戶技術(shù)轉(zhuǎn)型,對更先進的20nm產(chǎn)品需求。同時,部分現(xiàn)有20nm生產(chǎn)設(shè)備,也可
21ic訊 京瓷連接器制品株式會社日前開發(fā)出用于智能手機等小型電子產(chǎn)品的0.4mm間距電路板對電路板連接器5806系列。產(chǎn)品側(cè)寬僅1.9mm,是業(yè)界最小※1尺寸,嵌合高度0.6mm。隨著智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機(DSC)、數(shù)字
21ic訊 TDK株式會社近期推出了最新的EPCOS(愛普科斯) B82476B1*M100系列的SMT功率電感器,其電流處理能力比舊型號提高10%。改進后的產(chǎn)品性能更加可靠,額定電流為0.33 A至7.5 A,電感范圍為1.0 µH至1000 &m
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,在28nm產(chǎn)品供過于求的情況下,芯片代工制造商計劃使用28nm生產(chǎn)設(shè)備來制造20nm產(chǎn)品。芯片代工廠商這種計劃,也可以滿足部分客戶技術(shù)轉(zhuǎn)型,對更先進的20nm產(chǎn)品需求。同時,部分現(xiàn)有20nm生產(chǎn)設(shè)備,也可
近日消息,從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,該所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組與超導課題組,采用化學氣相淀積法,在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科
東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET,包括兩種電池。隨著更多功能添加至智能手機和手機、平板電腦和筆記本電腦等移動設(shè)備以及對它們的電