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  • 推拉輸出電路的動(dòng)態(tài)功耗

    設(shè)計(jì)者經(jīng)常僅僅根據(jù)所接負(fù)載的直流輸入電流要求，冒險(xiǎn)使推拉輸出電路的負(fù)載達(dá)到它的最大直流扇出能力。特別是當(dāng)設(shè)計(jì)CMOS總線時(shí)這一想法尤其具有誘惑力，因?yàn)榇藭r(shí)理論上的扇出能力是無(wú)限的。實(shí)際上重負(fù)載的總路線結(jié)構(gòu)

  • 推拉輸出電路中的靜態(tài)功耗

    一旦推拉輸出電路完全轉(zhuǎn)換，靜態(tài)功耗等于源電流乘以導(dǎo)通臂上的剩余電壓。我們將分別計(jì)算出LO和HI狀態(tài)下的功率，然后取二者的平均值。圖2.6說(shuō)明了理想的TT驅(qū)動(dòng)器在LO和HI狀態(tài)下的功耗。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的TTL器件，Q2處于飽和

  • 內(nèi)部電源用于邏輯器件的內(nèi)部功率

    內(nèi)部電源用于邏輯器件內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的偏置和轉(zhuǎn)換。內(nèi)部功率包括靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。靜態(tài)內(nèi)部功耗的定義是在無(wú)負(fù)載連接、輸入端處于隨機(jī)狀態(tài)的條件下的功耗求出所有可能的輸入狀態(tài)的平均值可以得到靜態(tài)功耗。內(nèi)部動(dòng)態(tài)功耗

  • 芯片如何輸入功率

    芯片的輸入功率來(lái)自于其他器件。對(duì)于輸入電路的偏置和觸發(fā)來(lái)說(shuō)它是必需的。表2.1比較了4種不同邏輯系列的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)輸入特性，4種邏輯系列為：SIONETICS 74HCT CMOS，TEXAS INSTRUMENTS 74AS TTL，MOTOROLA 10KH ECL

  • 疊加偏置電流產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)功耗

    在圖中2.1中，TTL反相順的輸出驅(qū)動(dòng)電路在HI和LO之間交替轉(zhuǎn)換，Q1或Q2交替處于導(dǎo)通狀態(tài)，而不是兩者同時(shí)導(dǎo)通。這種電路配置有兩個(gè)激勵(lì)電路，一個(gè)把輸出電壓上拉到HI，而另外一個(gè)把輸出電壓下拉到LO，通常稱之為推拉輸

  • 驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的動(dòng)態(tài)功耗

    邏輯電路每一次跳變，都要消耗超過(guò)它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當(dāng)以一個(gè)恒定速率循環(huán)時(shí)，動(dòng)態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個(gè)周期額外的功率動(dòng)態(tài)功耗最常見(jiàn)的兩個(gè)起因是負(fù)載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說(shuō)明了驅(qū)

  • 磁耦合環(huán)路的反向

    讓我們來(lái)驗(yàn)證一個(gè)關(guān)于互感耦合的理論，即：如果其中一個(gè)環(huán)路反向，耦合的極性也反向。首先回到圖1.20中的測(cè)量裝置，把輸出電纜重新邊接到RB的另一端，然后把RB的左端接地。實(shí)際上類(lèi)似于把R和RB之間感性耦合變壓器的引

  • 互感的測(cè)量實(shí)例

    圖1.20描述了互感的一種簡(jiǎn)單測(cè)量方法。與“互容的測(cè)量”的固定方式相同，兩個(gè)碳膜電阻的中心間距0.1IN。兩個(gè)電阻的右端都接地，而測(cè)量電纜的輸入和輸出端分別接在每個(gè)電阻的左端，電阻RA作為信號(hào)源的端接。信號(hào)源上升

  • 基于表面等離子激元的新型可調(diào)諧微共振環(huán)濾波器分析

    本文分析了基于表面等離子激元的可調(diào)諧共振環(huán)濾波器結(jié)構(gòu)原理，并分別對(duì)環(huán)半徑R為1.0μm和1.1 μm時(shí)進(jìn)行了仿真。

  • 基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

    目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。

    模擬
    2010-06-10
    LED 金屬 反射 GAN

  • 基于PCI-9812的太赫茲成像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    基于PCI-9812數(shù)據(jù)采集卡，針對(duì)P4-42熱釋電探測(cè)器，設(shè)計(jì)一個(gè)逐點(diǎn)掃描式的太赫茲成像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)通過(guò)掃描控制裝置中控制樣品的移動(dòng)，使數(shù)據(jù)采集卡采集由P4-42熱釋電探測(cè)器探測(cè)到的太赫茲信號(hào)。再在計(jì)算機(jī)中根據(jù)采集到的信號(hào)重建被測(cè)物體的太赫茲圖像，可以實(shí)現(xiàn)樣品的運(yùn)動(dòng)控制、太赫茲信號(hào)采集以及圖像重建等功能。這對(duì)于太赫茲成像的實(shí)際應(yīng)用具有一定的意義。

  • 互感的原理與計(jì)算

    無(wú)論在何處，只要存在兩個(gè)電流回路，就會(huì)有互感。一個(gè)回路的電流產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)，而該磁場(chǎng)會(huì)影響第二個(gè)回路。兩個(gè)回路相互作用，其相互作用的系數(shù)隨距離的增加快速地減小。兩個(gè)回路之間相互作用的系數(shù)稱為它們的互感，

  • 端接電路之間的互容

    如果將“互容的測(cè)量”例中的電阻接地，將會(huì)發(fā)生什么呢？如果把“互容的測(cè)量”例中的每個(gè)電阻的一端接地，容性耦合噪聲電壓值大約除以6。直觀地來(lái)分析，如果用連接在兩個(gè)電阻正中間的寄生電容來(lái)表示這個(gè)互容，電阻RA的

  • 互容與串?dāng)_的關(guān)系

    假設(shè)已知一個(gè)互容的值為CM，電路的上升時(shí)間為T(mén)，接收電路的阻抗為RB，我們可以按驅(qū)動(dòng)波形VA的相對(duì)值來(lái)估算串?dāng)_。首先求出波形VA的單位時(shí)間電壓變化的最大值，其中△V為驅(qū)動(dòng)波形的階躍幅度，TR是驅(qū)動(dòng)波形的上升時(shí)間：

  • 互容簡(jiǎn)介與計(jì)算

    無(wú)論何處，只要存在兩個(gè)電路，就會(huì)有互容。一個(gè)電路的電壓產(chǎn)生電場(chǎng)，該電場(chǎng)會(huì)影響第二個(gè)電路。兩個(gè)電路之間的電場(chǎng)相互影響，其互相影響的系數(shù)隨距離的增加快速地減小。在兩個(gè)電路之間，電的相互作用系數(shù)稱為它們的互

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