VCVS低通濾波器電路原理與函數(shù)計(jì)算

VCVS低通濾波器電路原理與函數(shù)計(jì)算電路如圖5.4-55所示。對(duì)圖中電路列寫節(jié)點(diǎn)方程，可求出該電路的傳輸函數(shù)為H（S）=上式和式“低通濾波器”比較可得電容C值的選取C2=C和C5=KC由上式得式中K值必須滿足式：K≤HO-1+A2/4

基于Matlab的模擬濾波器設(shè)計(jì)與仿真

巴特沃思、切比雪夫模擬低通濾波器通常是設(shè)計(jì)模擬高通、帶通和帶阻濾波器的原型，先按給定頻率響應(yīng)巴特沃思、切比雪夫低通Ha(s)逼近，然后由選定Ha(s)實(shí)現(xiàn)二端口網(wǎng)絡(luò)的電路結(jié)構(gòu)和參數(shù)值。在此對(duì)達(dá)林頓T型和∏型電路結(jié)構(gòu)的濾波器元件參數(shù)進(jìn)行了編程計(jì)算，并對(duì)其系統(tǒng)函數(shù)的幅頻特性進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果符合設(shè)計(jì)要求，該方法便捷，程序具有可擴(kuò)展性。

MFB低通濾波器電路參數(shù)與設(shè)計(jì)步驟

MFB低通濾波器電路如圖5.4-50所示分析圖5.4-50的電路，可得出其傳輸函數(shù)為H（S）=將上式與式“低通濾波器”公式相比較，可求得：濾波器參數(shù)對(duì)各無源元件變化的靈敏度為：靈敏度標(biāo)志著濾波器某個(gè)特性的穩(wěn)定程度，是濾

二階有源濾波器的傳輸函數(shù)

在有源濾波器的設(shè)計(jì)中，高階濾波器的傳輸函數(shù)都可以分解成一階和多個(gè)二階傳輸函數(shù)的乘積。一階傳輸函數(shù)比較簡(jiǎn)單，二階函數(shù)分析如下。1、低通濾波器2、高通濾波器式中，HO為傳輸增益雙稱通頻帶增益：A為阻尼系數(shù)，WO為

串聯(lián)電感的作用及解決方案

方法1 電感為什么在低頻時(shí)要把并聯(lián)改為串聯(lián)？從感抗與電阻的比值來分析Q值，不容易找到答案，并改串應(yīng)該是不能提高Q值的。但通過今天的試驗(yàn)，開始明白為什么要串聯(lián)。同時(shí)提高電感和電阻，雖然不能提高Q，但可以提高電

脈沖-寬度-高度調(diào)制乘法器

脈沖-寬度-高度調(diào)制乘法器雙稱為時(shí)間分割乘法器。這類乘法器電路原理圖如圖5.4-24A所示。圖中，三角波電壓UT和模擬輸入電壓UY相加，然后通過零電平比較器，得到不對(duì)稱方波控制電壓U2。U2的工作周期取決于UY的大小和極

太陽能發(fā)電系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集與傳輸?shù)挠布O(shè)計(jì)

為了保證太陽能發(fā)電系統(tǒng)的可靠性。需要時(shí)系統(tǒng)中一些主要參數(shù)(如電流、電壓、頻率等)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，以了解整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行狀態(tài)。這里以ST公司的ARM9芯片作為硬件平臺(tái)的核心芯片，主要敘述監(jiān)控系統(tǒng)中數(shù)據(jù)采集和傳輸部分的硬件設(shè)計(jì)，開發(fā)基于ARM的RS 232，RS 485和以太網(wǎng)通信接口。通過這些通信接口實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽能發(fā)電系統(tǒng)中一些主要參數(shù)的監(jiān)控，從而可以實(shí)時(shí)地掌握太陽能發(fā)電系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)，提高太陽能發(fā)電系統(tǒng)的效率。這里提出一種利用RS 485串口代替RS 232串口進(jìn)行通信的新方法。

用FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測(cè)厚系統(tǒng)A／D與ARM接口設(shè)計(jì)

在基于ARM的超聲波測(cè)厚系統(tǒng)中，ARM處理器的數(shù)據(jù)接收能力往往與A／D芯片的工作速率不匹配，為避免有效數(shù)據(jù)丟失，提高系統(tǒng)工作效率，用FIFO作為高速A／D與ARM處理器之間的中轉(zhuǎn)接口會(huì)得到很好的效果。這里以FIFO存儲(chǔ)器CY7C4261作為中轉(zhuǎn)器件實(shí)現(xiàn)了A／D芯片AD9283與ARM處理器S3C2410的接口設(shè)計(jì)，并敘述了數(shù)據(jù)從A／D芯片到ARM的整個(gè)數(shù)據(jù)采集過程。該接口電路用FIFO實(shí)現(xiàn)了超聲測(cè)厚系統(tǒng)中A／D與ARM之間的無縫連接，提高了系統(tǒng)測(cè)厚精度。它的電路簡(jiǎn)單，調(diào)試方便，具有較高的應(yīng)用價(jià)值。

可獲得大電感量的仿真電感電路

電路的功能數(shù)100MH以上的電感，重量重，體積大，不適合現(xiàn)在的使用要求，除特殊用途外，低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器，本電路用正反饋電路對(duì)電容器C的頻率-阻抗特性進(jìn)行倒相，形成等效的電感，線圈L的一端被

用可變電阻改變?nèi)萘康碾娙荼对銎麟娐?/a>

測(cè)量超低噪聲的OP放大器噪聲測(cè)量電路

電路的功能采用OP放大器的直流放大器，失調(diào)漂移固然重要，而低頻噪聲也必須小。不同種類的OP放大器基噪聲差別很大，必須進(jìn)行實(shí)測(cè)，以掌握具體參數(shù)。本電路是OP放大器的噪聲電壓測(cè)定電路，測(cè)量帶寬為0.1HZ~10HZ，側(cè)重

不用電感L的無調(diào)節(jié)石英晶體振蕩電路

電路的功能晶體管的集電極負(fù)載若采用LC諧振回路，為了使振蕩穩(wěn)定，皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調(diào)偏，如不用電感L，則可采用本電路這種無調(diào)節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L，則可將其

選擇高壓場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能

高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或

頻率和振幅穩(wěn)定的正弦波輸出電路

電路的功能要求振蕩頻率和輸出電平非常穩(wěn)定的正弦波振蕩電路，如采用普通CR振蕩電路，很難實(shí)現(xiàn)，若采用本電路則可達(dá)到這一要求。使用低通濾波器可把方波轉(zhuǎn)換成正弦波，但波形失真取決于濾波器的截止特性，要想獲得低