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在壓力下成長(zhǎng)的封裝材料市場(chǎng)

半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)在2009年收縮，出貨量及材料消耗量在今年二季度開始恢復(fù)，并且有望延續(xù)到四季度。塑料封裝材料（包括熱介面材料）預(yù)計(jì)將達(dá)到158億美元，較2008年的172億美元下降8%。由于材料消耗量的增加，該市場(chǎng)

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2010-02-23

封裝 PACKAGING MATERIALS MARKET
芯片廠商下一個(gè)角逐戰(zhàn)場(chǎng)在移動(dòng)設(shè)備

芯片行業(yè)一直都是巨人之間的游戲之地。目前建造一座先進(jìn)芯片工廠的成本大約是30億美元。這種廠子通常要耗時(shí)數(shù)年才能建成。芯片電路的微型化使得工程師幾乎要逆物理學(xué)原理而動(dòng)。過去幾十年，眾多公司在這場(chǎng)以最低價(jià)格

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2010-02-23

移動(dòng)設(shè)備芯片廠商智能手機(jī) GLOBALFOUNDRIES
蘋果iPad的A4芯片開發(fā)成本約10億美元

2月23日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，雖然蘋果與芯片代工生產(chǎn)廠家簽有協(xié)議，不必在制造設(shè)施方面進(jìn)行投資，但其iPad平板電腦A4芯片的開發(fā)成本預(yù)計(jì)仍將達(dá)到10億美元左右。據(jù)悉A4芯片是“為這項(xiàng)產(chǎn)品特別設(shè)計(jì)的芯片”，“A4芯片

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2010-02-23

蘋果 iPhone 芯片 IPAD
臺(tái)積電宣布28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，臺(tái)積電此番作出這種決定是要

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2010-02-23

節(jié)點(diǎn) 臺(tái)積電 ST TE
臺(tái)積電宣布驚人之舉28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nmHKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，臺(tái)積電此番作出這種決定是要“

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2010-02-23

節(jié)點(diǎn) 臺(tái)積電 ST TE
三星與ARM深推動(dòng)未來移動(dòng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品圖形處理能力

世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商三星電子與ARM公司（倫敦證交所：ARM；納斯達(dá)克：ARMH）近日在于巴塞羅那舉行的世界移動(dòng)通信大會(huì)上共同宣布：三星電子已經(jīng)采用ARMMali圖形處理器架構(gòu)，用于未來具有圖形處理功能的

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2010-02-23

移動(dòng) 三星 ARM 消費(fèi)電子產(chǎn)品
英特爾計(jì)劃將Moorestown芯片用于平板電腦

據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾宣布，正在積極向平板電腦市場(chǎng)進(jìn)軍，其平板電腦將使用英特爾的低能耗處理器，包括專為手機(jī)設(shè)計(jì)的一種新一代凌動(dòng)(Atom)處理器代號(hào)為Moorestown的芯片。此前，通信設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)公司OpenPeak設(shè)

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2010-02-23

芯片英特爾平板電腦 ST
臺(tái)積電宣布與中國IC產(chǎn)業(yè)育成中心擴(kuò)大合作

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)宣布擴(kuò)大與中國地區(qū)的集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)化基地和技術(shù)中心合作，積極推展這種成功的合作模式與經(jīng)驗(yàn)，運(yùn)用臺(tái)積電的專業(yè)IC制造技術(shù)與服務(wù)支持IC產(chǎn)業(yè)「育成中心(incubator，編按：大陸用詞為“孵

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2010-02-23

臺(tái)積電 BAT IC制造 IC產(chǎn)業(yè)
達(dá)能晶圓二廠周四動(dòng)土，年底產(chǎn)能將達(dá)200MW

太陽能硅晶圓廠商達(dá)能(3686)今年展開擴(kuò)廠計(jì)劃，繼其晶圓一廠產(chǎn)能利用率漸升，且訂單能見度明朗下規(guī)劃擴(kuò)建晶圓二廠，達(dá)能表示，晶圓二廠預(yù)計(jì)于本周四(25)日動(dòng)土，將在年底前可望加入生產(chǎn)貢獻(xiàn)行列，依該公司計(jì)劃，今年

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2010-02-23

太陽能晶圓晶圓廠硅晶圓
2009年MEMS慣性傳感器現(xiàn)狀及2010年趨勢(shì)

MEMS技術(shù)最早由Richard Pfeynman(1965年獲得諾貝爾物理獎(jiǎng))，在1959年提出設(shè)想。1962年硅微型壓力傳感器問世。1979年Roylance和Angell開始?jí)鹤枋轿⒓铀儆?jì)的研制。1991年Cole開始電容式微加速度計(jì)的研制。慣性傳感器包

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2010-02-23

加速度傳感器慣性傳感器 MEMS ADI
[圖]惠普研發(fā)出超靈敏加速度傳感器

惠普實(shí)驗(yàn)室今天宣布發(fā)明了一種新的加速度傳感器買這種新傳感器的敏感度是現(xiàn)有批量生產(chǎn)產(chǎn)品的1000倍。這種傳感器是惠普CeNSE (Central Nervous System for the Earth)研究計(jì)劃的一部分，主要用來建立一個(gè)全球性監(jiān)測(cè)網(wǎng)

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2010-02-23

惠普加速度傳感器 FOR CENTRAL
臺(tái)積攻22奈米添利多

臺(tái)積電（2330）昨（22）日宣布，將取得艾司摩爾（ASML）超紫外光 (Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，將使得臺(tái)積在22奈米以下的最先進(jìn)制程領(lǐng)先全球。臺(tái)積電目前40奈米擁有90%以上高市占率，今將舉行一年一度

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2010-02-23

先進(jìn)制程臺(tái)積電 ASML EUV
Xilinx傳將委托臺(tái)積電生產(chǎn)28nm制程FPGA

日本媒體日刊工業(yè)新聞23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，可程序邏輯組件廠商Xilinx, Inc.將委托臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)和南韓三星電子生產(chǎn)采用28奈米(nm)制程的可編程邏輯門陣列組件(Field-Programmable Gate Arrays, FPGA)；此也將為Xilinx首度委

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2010-02-23

Xilinx Altera FPGA 臺(tái)積電
臺(tái)積電領(lǐng)軍晶圓代工全紅

〔記者洪友芳／新竹報(bào)導(dǎo)〕虎年開市，晶圓雙雄股價(jià)持穩(wěn)上漲，帶動(dòng)晶圓代工類股皆收紅，奪得新春好采頭，臺(tái)積電（2330）并宣布取得荷商ASML公司的超紫外光微影設(shè)備，以發(fā)展新世代制程技術(shù)，有機(jī)會(huì)降低生產(chǎn)成本。臺(tái)

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2010-02-23

晶圓代工臺(tái)積電制程技術(shù) 紫外光
半導(dǎo)體大廠提高委外亞洲晶圓代工業(yè)錢景佳

隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇帶動(dòng)需求，加上半導(dǎo)體大廠面臨定價(jià)壓力與投資先進(jìn)晶圓廠的負(fù)荷，勢(shì)必將更多生產(chǎn)外包出去，亞洲晶圓代工業(yè)者今年獲利可能大幅躍升。分析師表示，來自NEC電子、富士通微電子等整合組件制造商（IDM

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2010-02-23

半導(dǎo)體富士通晶圓代工 DM

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在壓力下成長(zhǎng)的封裝材料市場(chǎng)

芯片廠商下一個(gè)角逐戰(zhàn)場(chǎng)在移動(dòng)設(shè)備

蘋果iPad的A4芯片開發(fā)成本約10億美元

臺(tái)積電宣布28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

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英特爾計(jì)劃將Moorestown芯片用于平板電腦

臺(tái)積電宣布與中國IC產(chǎn)業(yè)育成中心擴(kuò)大合作

達(dá)能晶圓二廠周四動(dòng)土，年底產(chǎn)能將達(dá)200MW

2009年MEMS慣性傳感器現(xiàn)狀及2010年趨勢(shì)

[圖]惠普研發(fā)出超靈敏加速度傳感器

臺(tái)積攻22奈米添利多

Xilinx傳將委托臺(tái)積電生產(chǎn)28nm制程FPGA

臺(tái)積電領(lǐng)軍晶圓代工全紅

半導(dǎo)體大廠提高委外亞洲晶圓代工業(yè)錢景佳

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