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如何更好地進(jìn)行數(shù)據(jù)采集

工程師經(jīng)常需要進(jìn)行數(shù)據(jù)采集來(lái)驗(yàn)證產(chǎn)品的性能和指標(biāo)，或者對(duì)一些特定的應(yīng)用進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制，以便確定其物理參數(shù)，例如溫度、應(yīng)力、壓力和流量。在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，工程師需要進(jìn)行各種測(cè)量以確保其產(chǎn)品能夠達(dá)到預(yù)期的技術(shù)

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2010-01-01
碩達(dá)今90元興柜掛牌

楊青山認(rèn)為，碩達(dá)已建構(gòu)優(yōu)異的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售體系，正朝全球最大的記憶卡代工、SIP系統(tǒng)級(jí)封裝模塊廠目標(biāo)邁進(jìn)。圖文/張秉鳳小型記憶卡封測(cè)、模塊廠－碩達(dá)科技今（31）日以90元登錄興柜掛牌交易，興柜市場(chǎng)半導(dǎo)體

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2009-12-31

系統(tǒng)級(jí)封裝 CMOS SIP PACKAGE
ITC判Tessera控侵權(quán)敗訴，力成毛利率可望提升

美國(guó)封裝專利業(yè)者Tessera控告國(guó)內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權(quán)利金的封測(cè)廠力成科技（6239）指出，若未來(lái)不需要再繳交權(quán)利金予Tessera，力成代工價(jià)格將更具優(yōu)勢(shì)，

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2009-12-31

DRAM TE SE TC
晶圓代工春暖欣銓臺(tái)積電權(quán)證嗆熱

由于晶圓代工廠產(chǎn)能利用率快速提升，晶圓偵測(cè)訂單自第二季起大幅回籠，欣銓近期營(yíng)運(yùn)也明顯好轉(zhuǎn)，2010年將因晶圓代工廠持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能，有利于欣銓接單，可在2010年第一季底留意拉回買點(diǎn)。晶圓偵測(cè)回溫欣銓營(yíng)運(yùn)好轉(zhuǎn)

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2009-12-31

晶圓代工太陽(yáng)能電池臺(tái)積電發(fā)電廠
英飛凌上調(diào)2010財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)期

英飛凌科技股份公司近日上調(diào)2009/10財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)期。英飛凌預(yù)計(jì)，較2008/09財(cái)年第四季度的營(yíng)收，2009/10財(cái)年第一季度的營(yíng)收將出現(xiàn)高個(gè)位數(shù)的增長(zhǎng)，合并分部業(yè)績(jī)?cè)龇矊⑦_(dá)到高個(gè)位數(shù)。增長(zhǎng)主要來(lái)自于汽車部和工

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2009-12-31

英飛凌汽車電子市場(chǎng) PETER
記取DRAM再造失敗教訓(xùn)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”擬推動(dòng)“產(chǎn)業(yè)再造法”

臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無(wú)望，“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥29日首度松口表示，若國(guó)發(fā)基金無(wú)法投資臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)，或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會(huì)遇到再造的需求，“經(jīng)濟(jì)部

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2009-12-31

DRAM 爾必達(dá) PID
武漢新芯計(jì)劃擴(kuò)充代工業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)入邏輯IC工藝

由中芯國(guó)際管理的12英寸晶圓廠武漢新芯透露了從存儲(chǔ)芯片向邏輯IC工藝擴(kuò)張的計(jì)劃。總裁王繼增表示，轉(zhuǎn)入邏輯IC代工業(yè)務(wù)后，武漢新芯將繼續(xù)與中芯國(guó)際保持緊密的合作關(guān)系。王繼增表示，中芯國(guó)際和武漢新芯的關(guān)系沒(méi)

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2009-12-31

中芯國(guó)際晶圓廠存儲(chǔ)芯片 IC
傳輸快10倍 USB3.0明年問(wèn)世

12月28日，在“和芯科技研發(fā)中心項(xiàng)目”開(kāi)工儀式上，成都高新區(qū)近年孵化培育的代表企業(yè)之一——四川和芯微電子宣布，公司將在明年1月推出USB3.0傳輸技術(shù)，從而躋身全球首批推出該技術(shù)企業(yè)的行列。

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2009-12-31

移動(dòng)硬盤傳輸技術(shù) 微電子 USB3.0
硅統(tǒng)12月?tīng)I(yíng)收續(xù)降明年1月回升

硅統(tǒng)（2363）11月?tīng)I(yíng)收比上個(gè)月4.65億元大減47%，來(lái)到2.67億元，主要是因占60%多的PC芯片組客戶全在10月備貨完畢，11、12月進(jìn)入淡季建立庫(kù)存意愿不高，公司表示，12月?tīng)I(yíng)收還會(huì)往下，明年1月可望回升

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2009-12-31

芯片組 PC芯片
聯(lián)電計(jì)劃明年新加坡Fab12i單月產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)3成

聯(lián)電（2303）看好明年景氣進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，其中，明年擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)在新加坡12i單月產(chǎn)能將由3.1萬(wàn)片提高至4.1萬(wàn)片，增幅30%。

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2009-12-31

聯(lián)電新加坡 FAB
艾笛森開(kāi)發(fā)新款線光源

艾笛森光電開(kāi)發(fā)新的線光源EdiLine III，導(dǎo)入最新的封裝技術(shù)，大幅提升發(fā)光效率與信賴性。新款線光源EdiLine III有兩種封裝形式，一為長(zhǎng)度4cm（41.25mm×4.0mm×0.8mm）的1W光源，冷白光的發(fā)光效率可達(dá)100lm/W；

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2009-12-31

光電線性發(fā)光效率 LM
力成毛利率可望提升

美國(guó)封裝專利業(yè)者Tessera控告國(guó)內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權(quán)利金的封測(cè)廠力成科技（6239）指出，若未來(lái)不需要再繳交權(quán)利金予Tessera，力成代工價(jià)格將更具優(yōu)勢(shì)，

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2009-12-31

DRAM TE SE TC
看好LED前景　聯(lián)電與晶元光電合資于大陸設(shè)廠

根據(jù)業(yè)界消息，晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)與臺(tái)灣LED供應(yīng)商晶元光電(Epistar)已在中國(guó)大陸合資成立一家LED芯片廠。根據(jù)晶元光電日前在臺(tái)灣證券交易所發(fā)佈的兩項(xiàng)重大訊息，其一是該公司計(jì)劃分別針對(duì)中國(guó)投資業(yè)務(wù)注入1.28億

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2009-12-31

聯(lián)電 LED 晶元光電 LED芯片
臺(tái)積電等三大晶圓代工廠下季度同步擴(kuò)充產(chǎn)能

晶圓代工產(chǎn)業(yè)明年上半年淡季不淡，全球前三大晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電、特許明年第一季同步擴(kuò)充產(chǎn)能，為歷年來(lái)首度在淡季中加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，為明年半導(dǎo)體業(yè)帶來(lái)好消息。臺(tái)積電新竹12吋產(chǎn)能明年首季將增加1萬(wàn)片，擴(kuò)幅為7

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2009-12-31

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電 FAB
艾法斯：搶鮮TD-LTE測(cè)試看好明年市場(chǎng)

艾法斯公司(Aeroflex)日前在深圳舉辦新一代無(wú)線通信和多媒體測(cè)試技術(shù)研討會(huì)，會(huì)議就亞太地區(qū)應(yīng)急通信保障技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)、中國(guó)及全球LTE市場(chǎng)和技術(shù)、LTE手機(jī)和芯片集成面臨的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)以及手機(jī)生產(chǎn)測(cè)試技術(shù)和方

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2009-12-31

測(cè)試儀器 4G 3G TD-LTE

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如何更好地進(jìn)行數(shù)據(jù)采集

碩達(dá)今90元興柜掛牌

ITC判Tessera控侵權(quán)敗訴，力成毛利率可望提升

晶圓代工春暖欣銓臺(tái)積電權(quán)證嗆熱

英飛凌上調(diào)2010財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)期

記取DRAM再造失敗教訓(xùn)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”擬推動(dòng)“產(chǎn)業(yè)再造法”

武漢新芯計(jì)劃擴(kuò)充代工業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)入邏輯IC工藝

傳輸快10倍 USB3.0明年問(wèn)世

硅統(tǒng)12月?tīng)I(yíng)收續(xù)降明年1月回升

聯(lián)電計(jì)劃明年新加坡Fab12i單月產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)3成

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力成毛利率可望提升

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