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美科學(xué)家已研制出半導(dǎo)體芯片硅替代品
據(jù)國外媒體報(bào)道，美國科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵，尤其是砷化鎵（
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臺(tái)積電和英飛凌加強(qiáng)合作開發(fā)先進(jìn)制程技術(shù)
北京時(shí)間11月5日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)灣頂級(jí)芯片代工廠商臺(tái)積電和德國半導(dǎo)體廠商英飛凌今日宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大雙方合作范圍，共同為汽車和其他安全應(yīng)用開發(fā)先進(jìn)的制程技術(shù)。 雙方就擴(kuò)大技術(shù)及生產(chǎn)合作達(dá)成了一致，這
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SIA：市場(chǎng)情況持續(xù)改善 芯片銷售將漸年增長
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation，SIA)周四(5日)表示，估計(jì)全球半導(dǎo)體銷售情況，將優(yōu)于先前預(yù)期，也反映出經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)已有所改善。 據(jù)國外媒體報(bào)道，SIA聲稱，今(2009)年全球半導(dǎo)體銷售額將為219
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達(dá)40.7％
根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且
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三星拓展新研發(fā)中心 開發(fā)邏輯晶圓代工制程
三星電子近日宣布其新半導(dǎo)體研發(fā)中心開始著手開發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項(xiàng)技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的重要主力。三星半導(dǎo)體研發(fā)中心將三星電子的邏輯開發(fā)團(tuán)隊(duì)和記憶體開發(fā)團(tuán)隊(duì)集中在一起，以實(shí)現(xiàn)包括新材料，元件
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臺(tái)積電勝訴 中芯或被罰10億美元
一對(duì)老冤家——臺(tái)積電與中芯國際[0.38 0.00%](00981.HK)，再次在法庭上打了起來。臺(tái)積電先勝一輪。臺(tái)積電的委托律師杰弗里?查寧表示，美國加州法院周二裁定中芯違反了2005年和解協(xié)議條款，因盜竊、使用商業(yè)秘密將面臨
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三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm
三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項(xiàng)技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設(shè)
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三星拓展新研發(fā)中心 開發(fā)邏輯晶圓代工制程
三星電子近日宣布其新半導(dǎo)體研發(fā)中心開始著手開發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項(xiàng)技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的重要主力。三星半導(dǎo)體研發(fā)中心將三星電子的邏輯開發(fā)團(tuán)隊(duì)和記憶體開發(fā)團(tuán)隊(duì)集中在一起，以實(shí)現(xiàn)包括新材料，元件
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期待傳感網(wǎng)中國行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和平臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)
美國MEAS(精量電子)是一家專業(yè)的設(shè)計(jì)生產(chǎn)銷售傳感器以及傳感器應(yīng)用產(chǎn)品的公司。在MEAS公司的種類繁多的傳感器產(chǎn)品系列里，基于MEMS技術(shù)的微型新型傳感器有很多種，廣泛的涉及壓力、加速度、溫度濕度、磁阻位移等各測(cè)
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Intel芯片組2011年前不會(huì)加入U(xiǎn)SB3.0功能
據(jù)從Nvidia處得到的確切消息，Intel公司已確定不會(huì)在2011年之前將USB3.0功能加入其芯片組中。這樣，那些需要在主板上加入U(xiǎn)SB3.0功能的廠商必須使用第三方芯片，USB3.0短期內(nèi)恐無法普及。Nvidia的發(fā)言人Brian Burke為
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大斗法！中芯反控臺(tái)積 并求償
編按：原文刊登于 【2006-09-13/聯(lián)合晚報(bào)/13版/證券理財(cái)】 據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，中芯已在美國法院對(duì)臺(tái)積電(2330)提出控告，用此行動(dòng)來響應(yīng)臺(tái)積電在8月25日在美國加州向中芯提出的控告，中芯反訴臺(tái)積電違反去年雙方達(dá)成的協(xié)議
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臺(tái)積電勝訴 中芯國際或被巨罰10億美元
一對(duì)老冤家——臺(tái)積電與中芯國際（00981.HK），再次在法庭上打了起來。臺(tái)積電先勝一輪。昨天，臺(tái)積電的委托律師杰弗里·查寧表示，美國加州法院周二裁定中芯違反了2005年和解協(xié)議條款，因盜竊、使用商業(yè)秘密將面臨處
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臺(tái)積電訴中芯國際獲勝：處罰額度或超10億美元
一對(duì)老冤家――臺(tái)積電與中芯國際(00981.HK)，再次在法庭上打了起來。臺(tái)積電先勝一輪。昨天，臺(tái)積電的委托律師杰弗里?查寧表示，美國加州法院周二裁定中芯違反了2005年和解協(xié)議條款，因盜竊、使用商業(yè)秘密將面臨處罰。
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英飛凌攜手臺(tái)積電開發(fā)65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項(xiàng)協(xié)議，英飛凌與臺(tái)積
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特許半導(dǎo)體接受阿扎比公司18億美元收購要約
全球第三大芯片代工制造商特許半導(dǎo)體董事會(huì)主席吉姆•諾靈(Jim Norling)周三宣布，公司控股股東已通過了由阿聯(lián)酋阿布扎比主權(quán)基金控股的阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)以18億美元收購公司的收購要約。ATIC在9月
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