IDT與臺積電(TSMC)日前簽署制造協(xié)議,將其位于美國奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造移轉(zhuǎn)給臺積電。此項協(xié)議預(yù)計在兩年內(nèi)完成所有產(chǎn)品的移轉(zhuǎn),目前已獲得雙方公司與IDT董事會的同意。IDT全球制造副總經(jīng)理Mike Hunter
臺積電周二表示,董事會通過核準資本預(yù)算5,000萬美元,用于太陽能相關(guān)產(chǎn)業(yè)的可能投資。臺積電稱董事會另核準資本預(yù)算11億1,680萬美元以擴充十二寸晶圓廠的45奈米制程產(chǎn)能與設(shè)置32奈米制程產(chǎn)能。臺積電董事長張忠謀6月
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進的速度和加速控制,確保強健地處
8月12日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾和美光科技今天宣布,雙方已將當今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費存儲設(shè)備。 新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝,每單元可儲存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
據(jù)國外媒體報道,全球最大的芯片制造設(shè)備生產(chǎn)商應(yīng)用材料公司(Applied Materials Inc)周二預(yù)計,由于新訂單增長和成本大幅削減,本財季公司至少能實現(xiàn)盈虧平衡。此消息推動該公司當日股價上漲約4%。 周二應(yīng)用材料還
爾必達和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單,計劃在2009年中期開始量產(chǎn),如今要推遲到2010年的上半年。 盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資,可
日本京都大學大學院工學研究科的一個研究小組發(fā)布消息稱,他們開發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片,在下
電子元器件信息和供應(yīng)鏈服務(wù)商PartMiner WorldWide Inc.將全新的PowerBuyer帶來中國。PowerBuyer是連接 PartMiner全球元器件采購平臺的在線窗口,背后有近300名元器件采購專家及由超過15000個元器件供應(yīng)渠道組成的供
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器是模擬世界與數(shù)字世界之間進行轉(zhuǎn)換的橋梁。近年來,隨著人們的生活設(shè)施不斷被數(shù)字化,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求量也越來越大。今天,在我們所使用的手機、數(shù)碼相機、MP3、數(shù)字電視以及數(shù)字化儀表中,都有多個數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)
為提升于MEMS市場競爭力,升全球MEMS供應(yīng)大廠亞德諾(ADI)近期傳出自9月起,將正式關(guān)閉位于英國劍橋MEMS生產(chǎn)線,同時將MESM生產(chǎn)火力集中到美國Wilmington生產(chǎn)線,不僅如此,以往由于MEMS測試成本占總制造成本過高,AD
上個月,GlobalFoundries紐約州晶圓廠Fab 2正式破土動工,相隔幾周后,GlobalFoundries宣布,他們將盡快著手Fab 3計劃。隨著紐約州晶圓廠的破土動工,GlobalFoundries的信心也更加充足,GlobalFoundries主席Hector R
——編者點評:這是個令人鼓舞的規(guī)劃,因為只有IC設(shè)計業(yè)搞上去,中國半導(dǎo)體業(yè)才有希望,也是作為中國半導(dǎo)體業(yè)的每一個從業(yè)者夢寐以求的大事。但是懷疑者仍有。所以至少我們要能找出此次有什么做法不同于從前,否則很
在各種單片機應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對系統(tǒng)的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對
電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國際會議(ICEPT-HDP)是每年中國大陸最具代表性的IC電子封裝國際會議。本屆第十屆,由北京清華大學主辦,於2009年8月11日在北京擴大召開,會議為期三天至8月13日結(jié)束,將為學術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的