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e絡(luò)盟最新調(diào)研顯示：近80%的工程師通過(guò)開(kāi)發(fā)套件設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)最終量產(chǎn)

21ic訊 e絡(luò)盟日前公布一份全新調(diào)研報(bào)告表明：開(kāi)發(fā)套件有助于工程師將電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)方案運(yùn)用于終端產(chǎn)品生產(chǎn)。調(diào)研結(jié)果進(jìn)一步顯示，79%的工程師不僅在原型設(shè)計(jì)及測(cè)試階段，還在最終的量產(chǎn)設(shè)計(jì)階段使用全部或部分開(kāi)發(fā)套件

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2014-11-13

工程師開(kāi)發(fā)套件 E絡(luò)盟調(diào)研報(bào)告
臺(tái)積電布局芯片封裝領(lǐng)域計(jì)劃收購(gòu)高通工廠

中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)積電公司，已經(jīng)是全世界最大的半導(dǎo)體代工制造廠商，也是蘋(píng)果公司主要的芯片制造商。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電正在擴(kuò)大在半導(dǎo)體上下游領(lǐng)域的布局，目前正在考慮收購(gòu)美國(guó)高通公司在臺(tái)灣的一座芯片封裝測(cè)

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2014-11-11

芯片封裝臺(tái)積電封裝測(cè)試
Diodes負(fù)載開(kāi)關(guān)妥善保護(hù)USB接口

21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)AP22802，能夠全面保護(hù)相連部件免受浪涌及短路的風(fēng)險(xiǎn)。這款高度集成的器件為一般USB和其它熱插拔應(yīng)用作出優(yōu)化，并采用了SOT25小型封裝，占位面積僅9mm2

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2014-11-10

器件負(fù)載開(kāi)關(guān) USB接口 DIODES
半導(dǎo)體制程進(jìn)展：明年進(jìn)入3D設(shè)計(jì)FinFET制程

近日消息，據(jù)digitimes報(bào)道，移動(dòng)裝置如智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)于半導(dǎo)體芯片的需求走到超低功耗，制程技術(shù)從28納米制程，到20納米制程，將于2015年進(jìn)入第一代3D設(shè)計(jì)架構(gòu)的FinFET制程，也就是14/16納米世代

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2014-11-06

半導(dǎo)體臺(tái)積電 FINFET 3D設(shè)計(jì)
功耗降十倍　ULV制程催生下世代物聯(lián)網(wǎng)SoC

超低電壓(ULV)制程將成物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。半導(dǎo)體廠除加緊投入先進(jìn)納米制程外，亦已積極開(kāi)發(fā)超低電壓制程;相較于現(xiàn)今電壓約1伏特(V)的標(biāo)準(zhǔn)制程，超低電壓制程可降至0.7或0.3～0.4伏特，讓系統(tǒng)單芯片(SoC)動(dòng)態(tài)功耗

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2014-11-06

物聯(lián)網(wǎng) SoC 轉(zhuǎn)換器低電壓
Vishay提高PTN系列精密薄膜片式電阻性能

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，提高其PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的性能，提供±10ppm/℃的更低絕對(duì)TCR和± 0.05 %的更嚴(yán)格公差。Vishay Dale Thin Film器件使用自鈍化、耐潮的

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2014-11-06

薄膜電阻 Vishay 膜片
ECS在德國(guó)慕尼黑電子展上展示ECSpressCON時(shí)鐘器件

21ic訊 ECS Inc. International將于11月參展德國(guó)慕尼黑電子展 (electronica Munich) 展示世界領(lǐng)先的全系列時(shí)鐘器件產(chǎn)品，包括世界上功能最強(qiáng)大的先進(jìn)ECSpressCON™系列可配置振蕩器產(chǎn)品。ECS公司將在慕尼黑國(guó)際

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2014-10-31

電子慕尼黑時(shí)鐘器件 PRESS
FPGA與DSP相互依存 ADI專(zhuān)注信號(hào)處理技術(shù)突破

在目前模擬IC工藝技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求攀升的推動(dòng)下，代表著現(xiàn)代信號(hào)處理技術(shù)發(fā)展新起點(diǎn)的FPGA也逐漸從外圍邏輯應(yīng)用進(jìn)入到整體信號(hào)處理系統(tǒng)的核心，而且看似還將威脅到傳統(tǒng)DSP應(yīng)用領(lǐng)域?？紤]到FPGA在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域曾一

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2014-10-30

DSP FPGA 信號(hào)處理技術(shù) ADI
貿(mào)澤電子開(kāi)始供應(yīng)ADI的AD9625 12位ADC評(píng)估板

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供應(yīng)Analog Devices Inc (ADI)的AD9625 12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 評(píng)估板。ADI AD9625 12位ADC具有2.5Gsps的數(shù)據(jù)采樣速率、3.2GHz的寬模擬輸入范圍，并可采樣高至第二奈奎斯特

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2014-10-27

評(píng)估板貿(mào)澤電子 ADC ADI
倒貼15億美元？IBM終于甩掉芯片業(yè)務(wù)

據(jù)路透社報(bào)道，知情人士透露，IBM已經(jīng)同意向芯片代工企業(yè)GlobalFoundries支付15億美元，讓后者收購(gòu)其尚未盈利的芯片制造業(yè)務(wù)。知情人士表示，IBM還將獲得價(jià)值2億美元的資產(chǎn)，使得這筆交易的凈價(jià)值為13億美元。IBM計(jì)劃

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2014-10-20

IBM 芯片 MIDDOT GLOBALFOUNDRIES
臺(tái)積電:明年量產(chǎn)16nm FinFET

繼與海思16nm合作之后，臺(tái)積電16nm更近了。近日消息，臺(tái)積電聯(lián)合CEO魏哲家(CC Wei)宣布，將在2015年第二季度或者第三季度初批量投產(chǎn)下一代工藝16nm FinFET，將成為僅次于Intel 14nm的最先進(jìn)制造技術(shù)。根據(jù)今天發(fā)布的

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2014-10-17

Intel 臺(tái)積電 CE FINFET
德州儀器在銅線鍵合技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)導(dǎo)者地位產(chǎn)品出貨量逾220億件

21ic訊日前，德州儀器(TI)宣布其內(nèi)部組裝點(diǎn)的銅線鍵合技術(shù)產(chǎn)品出貨量已超過(guò)220億件，目前正在為汽車(chē)和工業(yè)等高可靠性應(yīng)用進(jìn)行批量生產(chǎn)。TI現(xiàn)有的模擬和CMOS硅芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)大多數(shù)已用銅線標(biāo)準(zhǔn)來(lái)限定，且所有新技術(shù)和

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2014-10-17

IC AN MIDDOT
手機(jī)業(yè)務(wù)下滑三星花血本投資半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

近日消息，據(jù)路透韓國(guó)首爾報(bào)道，三星擬投資147億美元新建一家芯片工廠，這是該公司在一座工廠上投資規(guī)模的最高紀(jì)錄。原因是，三星在智能手機(jī)領(lǐng)域的主導(dǎo)地位日益被削弱，被迫加大對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的倚重。目前，三星的智能

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2014-10-08

三星晶片
德州儀器最新100G互阻抗放大器助力高性能光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

28 Gbps 4通道器件支持100G 數(shù)據(jù)速率及快速處理21ic訊—2014 年9月30日消息，德州儀器 (TI) 日前宣布推出其首款面向 100G 光學(xué)網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)的互阻抗放大器 (TIA)。作為系統(tǒng)的重要組件， ONET2804T 能夠以幾乎可以忽

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2014-09-30

放大器網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 阻抗
LG與塔塔攜手在電動(dòng)車(chē)方面展開(kāi)合作

日前，《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》發(fā)表了一篇報(bào)道稱(chēng)，塔塔汽車(chē)與LG集團(tuán)的雙方高管目前正在進(jìn)行磋商，在未來(lái)雙方可能會(huì)在零部件供應(yīng)的方面展開(kāi)合作。據(jù)悉，LG集團(tuán)董事長(zhǎng)具本茂(Koo Bon-moo)8月份曾在韓國(guó)與塔塔汽車(chē)董事長(zhǎng)Cyrus P

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2014-09-29

電動(dòng)車(chē) 汽車(chē)零部件 LG BSP

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e絡(luò)盟最新調(diào)研顯示：近80%的工程師通過(guò)開(kāi)發(fā)套件設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)最終量產(chǎn)

臺(tái)積電布局芯片封裝領(lǐng)域計(jì)劃收購(gòu)高通工廠

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