單結(jié)晶體管構(gòu)成的弛張振蕩電路如圖2-55（a）所示。設(shè)電容器的初始電壓為0。接通電源后電源通過電阻R 向電容充電，單結(jié)晶體管內(nèi)部的UA決定于電源電壓E（即Ubb）和器件的伏安特性，峰點與谷點也由此而確定。電容電壓UC依指數(shù)規(guī)律上升，在發(fā)射極電壓達到峰點之前，發(fā)射極電流很小，由于流過R1的電流很小，其兩端的電壓可以忽略。當(dāng)電壓上升的峰點，UC=UP 時，單結(jié)晶體管進入負(fù)阻區(qū)，內(nèi)部的二極管導(dǎo)通，電容通過導(dǎo)通著的二極管、R1放電，放電電流呈指數(shù)規(guī)律衰減，該電流經(jīng)過R1產(chǎn)生壓降。此時通過R1的電流由兩部分組成，其一是電容的放電電流，其二為電源通過電阻R 和導(dǎo)通著的二極管供給R1的電流。當(dāng)電容放電使發(fā)射極電流Ie到達谷點時，單結(jié)晶體管脫離負(fù)阻區(qū)，內(nèi)部電阻Rb1的增大，使UA增高，內(nèi)部二極管再度承受反壓，呈阻斷狀態(tài)，Ie消失，電路進入下一次電
容充電階段。當(dāng)電容電壓在一次達到峰點電壓時，出現(xiàn)又一次放電。電路中不斷重復(fù)充電和放電過程，形成振蕩，電容電壓在峰點電壓和谷點電壓之間變化，每一次放電都會在R1上產(chǎn)生一個電壓脈沖。電容電壓和R1上電壓的波形如圖2-55（b）所示。