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[導讀]如果采用網格節(jié)點(mesh-node)分析能很好地求解電路的傳遞函數(shù),那么立即獲得一個有意義的符號公式通常是不可能的,需要額外的工作才能得出。應用經典的分析技術來獲得所謂的低熵表達式–即分數(shù)形式,從中您可識別增益、極點和零點–往往導致如Middlebrook博士曾在他的文獻[ 1 ]、[ 2 ]中提到的代數(shù)失效(algebraic paralysis)。在此,快速分析電路技術(FACTs)可幫助您基于您在大學里學到的東西而擴展,以大大簡化分析。通過使用FACTs,不僅加快您的執(zhí)行速度,而且最終結果將以有序的多項式形式出現(xiàn),通常無需進一步的因子分解工作。

如果采用網格節(jié)點(mesh-node)分析能很好地求解電路的傳遞函數(shù),那么立即獲得一個有意義的符號公式通常是不可能的,需要額外的工作才能得出。應用經典的分析技術來獲得所謂的低熵表達式–即分數(shù)形式,從中您可識別增益、極點和零點–往往導致如Middlebrook博士曾在他的文獻[ 1 ]、[ 2 ]中提到的代數(shù)失效(algebraic paralysis)。在此,快速分析電路技術(FACTs)可幫助您基于您在大學里學到的東西而擴展,以大大簡化分析。通過使用FACTs,不僅加快您的執(zhí)行速度,而且最終結果將以有序的多項式形式出現(xiàn),通常無需進一步的因子分解工作[3]、[4]。

本文首先介紹后文用于確定開關轉換器的控制到輸出傳遞函數(shù)的FACTs。這個主題很大,在此我們只談及表面,希望激勵您進一步挖掘這個主題。我們選擇了電壓模式耦合電感單端初級電感轉換器(SEPIC)工作于非連續(xù)導電模式(DCM)。PWM開關[5]將用于形成小信號模型。

快速分析技術(FACTs)簡介

FACTs背后的基本原理在于電路時間常數(shù)的確定– t = RC或t = L/R –此時在兩種不同的條件下觀察所研究的電路:當激勵信號降至0時和響應清零時。通過使用這種技術,您將體會到確定特定傳遞函數(shù)有多快和直觀?;谶@種方法的分析技術始于幾十年前,如 [ 6 ]和[ 7 ]中記載的。

傳遞函數(shù)是一種數(shù)學關系,它把激勵信號、激勵物,和由這種激勵產生的響應信號聯(lián)系起來。如果我們考慮一個線性時不變(LTI)系統(tǒng)無延時,具有靜態(tài)增益H0 –例如開關轉換器的線性理想功率級-其連接控制信號Verr(激勵)和輸出Vout(響應)的傳遞函數(shù)H可表示為:

(1)

首項H0是系統(tǒng)在s = 0評估表現(xiàn)出的增益或衰減。該項將帶傳遞函數(shù)的單位(或維度),如果有的話。如果響應和激勵都用伏特表示,在此我們表示為Verr和Vout,H是沒有單位的。分子N(s)控制傳遞函數(shù)的零點。數(shù)學意義上,零點是函數(shù)幅值為零的根。通過FACTs,我們用數(shù)學抽象思維以輕松地揭開這些零點。我們不會像通常在諧波分析(s = jw)中所做的僅僅考慮在s平面的垂直軸,而是覆蓋考慮到負數(shù)根的整個平面。因此,如果電路存在零點,將表現(xiàn)為當輸入信號調到零角頻率sz時無信號的輸出響應。在這種情況下,在變形的電路中的一些阻抗阻擋了信號傳播,響應為零,盡管存在激勵源:當變形的電路在s = sz點被激勵時,在信號路徑的串聯(lián)阻抗趨于無窮或分支將該激勵分流到地面。請注意,這種方便的數(shù)學抽象通過觀察提供了巨大的幫助來找到零點,通常無需寫一行無源電路的代數(shù)。圖1提供了簡單的流程圖,詳細介紹了過程。關于這種方法的更多細節(jié)見[ 8 ]。

Bring the excitation signal – the stimulus – back in place:將該激勵信號 – 激勵-帶回原處

Null the output:將輸出清零

Identify in the transformed network, one or several impedances combinations that could block the stimulus propagation: a transformed open circuit or a transformed short circuit.:在變形的電路中找到一個或一些可阻擋激勵傳播的阻抗組合:一個變形的開路電路或變形的短路電路

Signal:信號

To response : 到響應

If inspection is not possible, go for a Null Double Injection(NDI):若觀察無用,則進行雙重抵消注入(NDI)

圖1:這個簡單的流程圖將指導您用最簡單的方法確定零點。在觀察無用時,您將需要進行雙重抵消注入或NDI。

分母D(s)由電路自然時間常數(shù)構成。通過設置激勵信號為0和確定從電路中臨時移除的所考慮的電容或電感“所示”的阻抗,來得出這些時間常數(shù)。通過“觀察”,您可想象把一個歐姆表置于暫時移除的儲能元件(C或L),并讀取它顯示的電阻。這其實是個相當簡單的運用,正如圖2中的第二個流程圖所詳述的。

Count energy-storing elements with independent state variables:計算具有獨立狀態(tài)變量的儲能元件

Assume there are two energy-storing element, L1 and C2:假設有兩個儲能元件,L1和C2

The denominator follow the form:分母遵循此公式

Open the capacitor, short the inductor, determine the dc gain H0 if it exists:電容開路,電感短路,確定直流增益H0,若H0存在

Reduce the excitation to 0 and determine time constants for b1 and b2:減小激勵至零,并確定b1和b2的時間常數(shù)

Determine the resistance Ri driving LI while C2 is open circuited:確定驅動L1而C2 開路時的阻抗Ri

Determine the resistance Rj driving C2 while LI is short circuited:確定驅動C2 而L1短路時的阻抗Rj

Sum the time constants:將時間常數(shù)相加

Determine the resistance Rk driving LI while C2 is short circuited:確定驅動L1而C2 短路時的阻抗Rk

Determine the resistance Rl driving C2 while LI is open circuited:確定驅動C2 而L1開路時的阻抗Rl

Choose the simplest combination:選擇最簡單的組合

圖2:該流程圖解釋了用于確定電路時間常數(shù)的方法。

看到圖3,是一個涉及注入源的一階無源電路—該激勵源—加偏壓于左邊網絡。輸入信號Vin通過網格和節(jié)點傳播,形成您看到的電阻R3上的響應Vout。我們感興趣的是導出連接Vout和Vin的傳遞函數(shù)G。[!--empirenews.page--]


The response:響應

圖3:確定電路的時間常數(shù)需要將激勵源設為0,并看看從電路中暫時移除的能量存儲元件所提供的電阻。

為確定本例電路的時間常數(shù),我們將激勵源設為0(由短路代替0V電壓源,開路代替0A電流源),拆下電容器。然后,我們連接一個歐姆表來確定電容器端提供的電阻。圖4指導您進行這些步驟。

The excitation is set to 0:激勵源設為零

For example:例如

圖4:由短路代替0V源后確定電容器端的電阻。

如果用圖4的做法,您“看到” R1與R2并聯(lián)后與R4串聯(lián),所有這些與R3并聯(lián)后與rC串聯(lián)。該電路的時間常數(shù)只通過R和C1即可計算得出:

(2)

我們可證明第一階系統(tǒng)的極點是其時間常數(shù)的倒數(shù)。因此:

(3)

現(xiàn)在,s = 0時該電路的準靜態(tài)增益是多少?在直流條件下,電感器短路,電容器開路。把這概念應用于圖3的電路,繪制成如圖5所示。想象在R 4前斷開連接,會看到一個含R1和R2的電阻分壓器。R2上的戴維寧(Thévenin)電壓為:

(4)

輸出電阻Rth是R1與R2并聯(lián)的值。因此完整的傳遞函數(shù)涉及到電阻分壓器(由與Rth串聯(lián)的R4和加載的R3所構成)。rC是斷開的,由于電容C1在這直流分析中被移除。因此:

(5)

圖5:您斷開直流電路中的電容器,計算這簡單的電阻配置的傳遞函數(shù)。

 

基本就是這些了,我們正錯過零點。我們在前文提到,零點通過阻斷激勵信號的傳播而在電路中表現(xiàn)出來,產生一個無信號的輸出響應(見圖1)。若我們考慮一個變形的電路–其中C1由 代替–如圖6,當激勵源加偏壓于電路,有什么特定的條件意味著無信號響應?無信號響應只意味流過R3的電流為0。這不是短路,而是相當于虛擬的接地。

圖6:在這變形的電路中,當串聯(lián)的rC和C1轉化為變形的短路,響應消失,R3中無電流流過。

如果在R3中沒有電流,那么串聯(lián)的rC和 轉化為短路:

(6)

根sz是我們想要的零點位置:

(7)

從而有:

(8)

現(xiàn)在我們可組合所有這些結果,形成以圖3電路為特征的最終的傳遞函數(shù):

(9)

這就是所謂的低熵表達式,從中您可立即識別靜態(tài)增益G0、極點wp和零點wz。高熵表達式將在考慮阻抗分壓器時通過施加大規(guī)模外力到原來的電路來獲得,如:

(10)

您不只在推導表達式時可能會出錯—而且將結果格式化到像(9)這樣需要更多的精力。另外,請注意,在這特定的例子中,在寫(9)時我們沒有寫一行代數(shù)。如果我們后來發(fā)現(xiàn)一個錯誤,那么很容易回到一個單獨的圖紙并單獨修復它。(9)的校正很簡單。現(xiàn)嘗試對(10)進行相同的修正,您可能會從頭開始。

FACTs應用于二階系統(tǒng)

FACTs同樣適用于n階無源或有源電路。通過計算狀態(tài)變量是獨立的儲能元件的數(shù)量來確定電路的階數(shù)。若我們考慮一個具有有限的靜態(tài)增益H0的二階系統(tǒng),其傳遞函數(shù)可表示如下:

(11)

當H0帶傳遞函數(shù)的單位,那么N:D的比值是沒有單位的。這意味著a1和b1的單位是時間[s]。當a1無信號響應,b1的激勵源為零,您將確定的時間常數(shù)相加。對于二階系數(shù),a2或b2,維度是時間的平方[s²],你將時間常數(shù)結合為一個產物。然而,在這時間常數(shù)產物中,您重用了已經確定為a1或b1的一個時間常數(shù),而二階時間常數(shù)的確定需要一個不同的符號:[!--empirenews.page--]

(12)

在這個定義中,您設置標號出現(xiàn)在“冪” 中的儲能元件處于高頻狀態(tài)(電容被短路,電感被開路),當我們暫時從電路中移除二階元件端(參見下標),您可從中確定電阻。當a2必須為無信號的輸出和b2的激勵源減為0時,您可運用此法。當然,當觀察有用時,它總是最快和最高效的得出N的方法。乍一看有點難以理解,但沒有什么不可克服的,我們用幾句話解釋您就會明白。

圖7是一個經典的二階濾波器,用于確定在連續(xù)導通模式(CCM)中工作的電壓模式降壓轉換器的輸出阻抗。阻抗是連接一個激勵信號Iout與響應信號Vout的一個傳遞函數(shù)。此處,Iout是我們已安裝的測試生成器,而Vout是其兩端產生的電壓。要從(11)中確定各種系數(shù),我們可按照圖2的流程圖,從s = 0開始:如圖所示,電感短路,電容開路。該電路是簡單的,電流源的電阻R0不過是rL和Rload簡單的并列組合:

(13)

這個電路中有零點嗎?我們看看圖8所示的變形電路。我們看看當激勵源電流Iout調為零角頻率sz時,什么樣的元件組合將使響應Vout為零。我們可發(fā)現(xiàn)兩個變形的短路涉及rL–L1和rc–C2。

Voltage-mode:電壓模式

Small-signal mode:小信號模式

圖7:工作于CCM的降壓轉換器的輸出阻抗的確定是一個很好的例子,演示了FACTs如何簡化分析。

圖8:如果阻抗Z1或Z2轉換為短路,響應Vout為無信號輸出。

立即確定這兩個阻抗的根:

(14)

(15)

因此分母N(s)表示為

(16)

分母D(s)的一階系數(shù)b1是由L1兩端的阻抗提供,而C2處于直流狀態(tài)(開路):有t1。然后看驅動C2而L1設置為直流狀態(tài)(短路)時的阻抗:得出t2。如圖9所示,從該草圖可立即得出b1的定義:

(17)

圖9:在選定的組件終端中,當?shù)诙€組件處于直流狀態(tài)時,您會得出阻抗為多少?

二階系數(shù)b2是用(12)中引入的符號來確定的。L1設置在其高頻狀態(tài)(開路),驅動C2以得到 的阻抗,C2處于高頻狀態(tài)(短路),則驅動L1而得到 的阻抗。圖10顯示了兩種可能的整理結果。您通常選擇最簡單的表達式,或避免不確定性的一個,如果有的話(如∞×0或∞/∞)。下面對于b2的兩個定義是相同的,您看上面的是最簡單的:

(18)

現(xiàn)在我們有所有的成分來組合最終的傳遞函數(shù),定義為:

(19)

我們已經確定了這個傳遞函數(shù),而沒有寫一行代數(shù),只是拆分該電路為幾個簡單的草圖個別解決。此外,正如預期的那樣,(19)已經是一個規(guī)范的表達式,您可輕易的看到一個靜態(tài)增益、兩個零點和一個可用一個諧振分量w0和一個品質因數(shù)Q進一步整理的二階分母。如果不是迅速考慮Z1、Z2 和Rload的并聯(lián)組合,我們不可能得到這一結果。

圖10:在選定的組件終端中,當?shù)诙€組件處于高頻狀態(tài)時,您會得出阻抗為多少?

采用FACTs,通過觀察可導出傳遞函數(shù),特別是對于無源電路。由于電路復雜,包括電壓或電流控制源,觀察起來沒那么明顯,您需要利用經典的網格和節(jié)點分析。但FACTs提供了幾個優(yōu)點:由于您將電路拆分為用于確定最終的多項式表達式系數(shù)的小的單個草圖,因此如果在最終的表達式中發(fā)現(xiàn)一個錯誤,您總是可以回到一個特定的繪圖并個別修正。此外,當您確定與傳遞函數(shù)的ai 和bi相關的項時,您自然會得到一個多項式表達式,而不用投入進一步的精力來收集和重新排列這些項。最后,如[4]所示,在復雜的無源和有源電路中,SPICE對驗證個別極點和零點的計算有很大幫助。

工作于DCM的帶耦合電感的SEPIC

SEPIC是一種流行的結構,常用于輸出電壓必須小于或大于輸入的應用,不會像采用Buck-Boost轉換器那樣損失極性。SEPIC可采用耦合或非耦合電感工作在連續(xù)導通模式(CCM)或非連續(xù)導通模式(DCM)。[ 9 ]中談討了耦合電感的好處,這里不作討論。我們的興趣在于確定耦合電感的SEPIC 在工作于DCM時的輸出到控制的傳遞函數(shù)。圖11代表[ 10 ]中所述的自動切換電壓控制模式的PWM開關和采用一個SEPIC配置的連接。特意減少載荷以強制實施DCM。在啟動序列完成后施加一個臨時步驟。在類似的工作條件下捕獲并仿真一個逐周期電路。[!--empirenews.page--]

Cycle-by-cycle simulation:逐周期仿真

Average model:平均模型

圖11:第一個SEPIC采用平均模型,而右邊第二個實施逐周期法。

運行一個仿真來比較兩個電路的輸出響應。如圖12所示,兩個電路的響應非常相近。曲線的左邊描述了啟動序列,右邊部分顯示了兩個模型對負載階躍的響應。在這一階段具有相同的響應第一次表明平均大信號模型正確地仿真SEPIC內部,我們可進行小信號版本。

DCM PWM開關的大信號模型由(10)中推導出的小信號版本所代替,與[ 5 ]中描述的不同。兩個模型得出了相同的分析,但Vorpérian博士在[ 5 ]中考慮的是一個常見的配置(C端是接地的),而我為了建立一個自動切換的DCM-CCM模型,保留了原普通無源配置。采用DCM PWM開關的小信號模型更新的電路圖如圖13所示。右邊的參數(shù)列表計算分析所需的所有系數(shù)k。

圖12:平均模型與逐周期模型的瞬態(tài)響應完全符合。

Parameters:參數(shù)

圖13:這是工作在DCM模式的SEPIC的小信號模型。節(jié)點d1是占空比偏差和注入點。所有小信號系數(shù)都自動出現(xiàn)在參數(shù)窗口。

確定準靜態(tài)增益

為了確定準靜態(tài)增益,您需要照圖2使所有電感短路,所有電容開路。這正是SPICE在計算工作偏置點時所做的工作。然后重新排列所有的源和組件以簡化電路,使其更易于分析。當您做這工作時,我建議您始終運行一個全面的檢查,確定新電路的動態(tài)響應與圖13完美匹配。任何偏差都表明您出了錯,或者簡化中的假設過于樂觀:重復該做法直到幅值和相位完美匹配為止。組合出圖14的電路。

圖14:這是用來確定準靜態(tài)增益H0的最終的直流電路。

幾行代數(shù)將使我們得到輸出電壓表達式:

將(20)中的Ic代入(21)并求解Vout。您應該得出

該小信號準靜態(tài)增益簡單地表示為

時間常數(shù)的確定

我們將采用FACTs并單獨確定電路的時間常數(shù),而不是用圖13的完整原理立刻求解整個傳遞函數(shù)。這種方法提供了一個優(yōu)勢,以處理您通過對單個草圖的SPICE仿真獲得的結果。這大大有助于逐步前進和跟蹤錯誤,而不至于在大量的工作時間后才發(fā)現(xiàn)最終的結果是錯誤的!

為了確定時間常數(shù),將激勵源減為0(請檢查圖2)。在此,由于我們想要控制到輸出的傳遞函數(shù),激勵源是d1。將其減為0有助于簡化電路,如圖15所示。

圖15:將激勵源減為0有助于簡化電路。在此我們從驅動電感L1的阻抗開始。

我們可以用幾個公式來描述這個電路,我們知道IC = IT:

您將(26)代入(27)然后解出V(c)。替代(26)中的V(c)解得V(a)。然后可寫

(28)

如果您重新排列和由圖13的定義替換系數(shù)k,得出時間常數(shù)t1的定義:

(29)

二階時間次常數(shù)指的是從C2端看到的阻抗,而L1是短路的。新的電路如圖16所示。由于L1短路, a和c端在一起,簡化更新的電路為右邊的圖片。

圖16:使電感短路真正簡化電路。

再一次,幾個簡單的方程會很快地讓您得出結果:

將(30)代入(31),然后解得VT并重新整理。您應該發(fā)現(xiàn):

如果您知道試圖確定涉及C3的三階時間常數(shù),變壓器配置(完美耦合)使其兩端電壓等于0 V:在動態(tài)傳遞函數(shù)中電容器不起作用。因此第一個系數(shù)b1定義為

二階系數(shù)

對于二階系數(shù),我們將設置電容C2處于其高頻狀態(tài)(以短路代替它),同時我們將確定驅動電感L1的阻抗。圖17說明了這種方法。因為輸出因C2短路,節(jié)點a和c都處于相同的0V電勢。電路簡化為右側示意圖。

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圖17:二階系數(shù)設置儲能元件之一處于其高頻狀態(tài)(C2),同時您可確定電感兩端的電阻。

我們可寫出描述VT電壓的第一個方程。觀察到a) IT和IC是相同的,b) VT = –V(c),我們有

因式分解VT/IT,L1兩端的阻抗為

二階時間常數(shù) 定義為

如果我們認為Vout = MVin,b2系數(shù)表示為

合并我們確定的時間常數(shù),得出分母D(s)

如果我們考慮一個低Q值的近似值,這二階分母可以近似由兩級聯(lián)極點定義為

和合并為

零點的確定

如上文所述,當激勵源調至零角頻率sz,,變形電路的響應為無信號輸出(見圖1)。該運用現(xiàn)將包括將激勵源復原和確定無信號輸出的變形電路的條件。圖18所示為我們需要研究的更新電路。無信號輸出的有趣之處在于其傳播至其它節(jié)點。例如,如果Vout = 0 V,然后由于變壓器高邊連接,節(jié)點a也處于0 V,所有涉及該節(jié)點的表達式可以簡化為如圖所示。如果輸出無信號,則電流I1也為零,這意味著Ic = I3。

圖18:在s = sz的特定條件下,觀察變形的電路,無信號響應。

節(jié)點c的電壓定義為

因此,電流Ic等于節(jié)點c的電壓除以L1的阻抗。

而電流 I3等于

現(xiàn)將(43)代入(44),然后視Ic = I3:

 

求解s,將系數(shù)k的值換為它們在圖13中的值,重新整理,您會發(fā)現(xiàn)

這是個正的根源,因此為右半平面零點。通過收集所有的部分,發(fā)現(xiàn)極點和零點實際上是一個DCM buck-boost轉換器的極點和零點而得出完整的傳遞函數(shù):

最后的檢查,我們可比較Mathcad®和圖11大信號模型的SPICE仿真的動態(tài)響應。如圖19所示,曲線完美重合。

圖19:Mathcad®和SPICE提供完全相同的響應(曲線完美疊加)。

另一個驗證是由采用不同的平均模型(架構如[11])仿真相同的SEPIC結構構建。這也是一個自動切換的CCM-DCM模型,但走線方式稍有不同。圖20所示為兩種平均模型采用一個類似的SEPIC架構。

圖20:CoPEC平均模型包括單獨的開關和二極管連接。

圖21證實了兩個交流響應在相位和幅值上完全相同。

圖21:DCM PWM開關和CoPEC DCM模型提供相同的動態(tài)響應。

總結

快速分析技術為推導線性電路傳遞函數(shù)提供了一種快速而高效的方法。在無源電路中,觀察是可能的,而且是經常的,無需寫一行代數(shù)就能得到傳遞函數(shù)。隨著電路變得復雜和包括激勵源,您不得不采用經典的KCL和KVL分析。但當您確定分子和分母中個別的多項式因子時,很容易跟蹤錯誤和只關注錯誤項,如果有的話。在復雜的電路中,小草圖和SPICE的幫助是極有用的。最后,最終結果以一種有意義的格式表示,并可直接識別出極點和零點位于何處。這是非常重要的,因為您必須知道問題隱藏在傳遞函數(shù)的何處。作為一個設計人員,您必須平衡它們,這樣自然的產生傳播或組件的變化不會危及您的系統(tǒng)在運行中的穩(wěn)定性。[!--empirenews.page--]

參考文獻

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8 C. Basso, Fast Analytical Techniques at Work with Small-Signal Modeling, APEC Professional Seminar, Long Beach (CA), 2016, http://cbasso.pagesperso-orange.fr/Spice.htm

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10 C. Basso, Switch-Mode Power Supplies: SPICE Simulation and Practical Designs, McGraw-Hill, 2nd edition, 2014.

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SiC的市場前景已經毋庸置疑,從光伏、儲能到電動汽車,無不推動著SiC的用量激增。根據(jù)Yole Intelligence最新發(fā)布的2023年版功率SiC報告,預計到 2028 年,全球功率SiC器件市場將增長至近90億美...

關鍵字: 安森美 onsemi EliteSiC 柵極驅動器
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