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當(dāng)前位置:首頁(yè) > 工業(yè)控制 > 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
[導(dǎo)讀]在向先進(jìn)工藝技術(shù)發(fā)展的過程中,半導(dǎo)體公司除需滿足不斷增長(zhǎng)的制造要求之外,還要面對(duì)日益增長(zhǎng)的實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)一次性成功的壓力。晶圓廠期待設(shè)計(jì)符合那些面向先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的可制造性設(shè)計(jì)(DFM)和良率導(dǎo)向設(shè)計(jì)(DFY)的日益復(fù)雜的規(guī)則和建議。就設(shè)計(jì)師而言,他們希望最大限度地縮小保護(hù)頻帶(guardbanding),同時(shí)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。

在向先進(jìn)工藝技術(shù)發(fā)展的過程中,半導(dǎo)體公司除需滿足不斷增長(zhǎng)的制造要求之外,還要面對(duì)日益增長(zhǎng)的實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)一次性成功的壓力。晶圓廠期待設(shè)計(jì)符合那些面向先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的可制造性設(shè)計(jì)(DFM)和良率導(dǎo)向設(shè)計(jì)(DFY)的日益復(fù)雜的規(guī)則和建議。就設(shè)計(jì)師而言,他們希望最大限度地縮小保護(hù)頻帶(guardbanding),同時(shí)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。

制造復(fù)雜性的提高給生成過孔、處理緊密排布的走線以及控制更嚴(yán)重的納米幾何規(guī)格效應(yīng)帶來了更大的難題。由于這些越來越艱巨的互連設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),對(duì)于先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn),半導(dǎo)體公司得到的良率一般在40%~70%之間,這樣,僅良率損失一項(xiàng)就達(dá)數(shù)百萬美元。對(duì)IC設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)而言,這些更高的要求使之呼吁一種更加協(xié)作的方法。的確,設(shè)計(jì)和制造可以同時(shí)從最新的“DFx”(DFM、DFY和可靠性設(shè)計(jì))優(yōu)化方法中實(shí)現(xiàn)互利雙贏。

這種平衡的互連優(yōu)化方法在傳統(tǒng)布局和布線流程之后進(jìn)行,可以在滿足電氣約束規(guī)則和制造規(guī)則的同時(shí),提高良率、可制造性,并改善設(shè)計(jì)過程中的時(shí)序收斂問題。

目前可獲得的最佳DFx流程結(jié)合了當(dāng)今綜合、布局和布線解決方案中有DFM意識(shí)的特性與后布線(前GDS)互連優(yōu)化步驟。

應(yīng)該

確保整合進(jìn)設(shè)計(jì)意圖(如關(guān)鍵的節(jié)點(diǎn)信息),以避免在增強(qiáng)DFx之后出現(xiàn)信號(hào)完整性(SI)和時(shí)序問題。特別要注意:通過鎖定關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)并圍繞它們建立起一個(gè)保護(hù)圈,來保護(hù)它們。這個(gè)保護(hù)圈可以表示為同一層或整個(gè)層堆疊設(shè)定的保護(hù)性“禁止入內(nèi)”的間距值。

在增強(qiáng)DFx期間執(zhí)行電氣認(rèn)知/修正分析,以確保不違反時(shí)序和信號(hào)完整性原則。這種方法可以在DFx優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)收斂,并確保在流程的早期實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的保護(hù)頻帶不過寬。

合理安排DFx增強(qiáng)順序。合理地安排順序?qū)⒂兄诋a(chǎn)生最佳效果,因?yàn)槊恳徊蕉紩?huì)為下一步打下基礎(chǔ)。例如,從時(shí)序/信號(hào)完整性和DRC干凈塊開始,然后應(yīng)用過孔減少技巧,接著進(jìn)行布線擴(kuò)展(wire spreading)、冗余過孔插入和閉合增強(qiáng)。

像對(duì)待時(shí)序收斂一樣對(duì)待DFx收斂。建議在設(shè)計(jì)周期的早期對(duì)每一個(gè)電路執(zhí)行這一原則。如果可能的話,將DFx增加到整個(gè)流程中。單元良率問題可以在綜合和布局流程的早期得到解決。在布線時(shí),可以使互連更加便于光刻、OPC和DFx。最后,利用基于空間的建模等先進(jìn)方法,對(duì)布線數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步的DFx和光刻增強(qiáng)。

采用下一代方法,如不受網(wǎng)格限制的基于空間的工具,來進(jìn)行最佳的DFx增強(qiáng)。

圖:IC設(shè)計(jì)流程能夠平衡性能與良率,芯片優(yōu)化要在設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)之間進(jìn)行。

不應(yīng)該

低估互連優(yōu)化的重要性。除減小保護(hù)頻帶以及提高芯片性能之外,互連優(yōu)化還可以加快量產(chǎn)速度,甚至可將良率提高6%,從而帶來可量化的收益。良率每提高1%,就可節(jié)省幾百萬美元,并且更高的量產(chǎn)速度可顯著影響收益。

在評(píng)測(cè)改進(jìn)效果時(shí),眼光狹隘失之片面。例如,如果過孔是可靠性和可制造性問題的根源,則不要只盯著那些 double-cut過孔,要逐個(gè)檢查所有受保護(hù)和不受保護(hù)的過孔。受保護(hù)的過孔被定義為冗余過孔或者閉合嚴(yán)密的過孔。應(yīng)將原始設(shè)計(jì)中所有受保護(hù)和不受保護(hù)的過孔與經(jīng)過優(yōu)化的設(shè)計(jì)中所有受保護(hù)和不受保護(hù)的過孔進(jìn)行比較。

想當(dāng)然地認(rèn)為所有晶圓廠,甚至所有工藝節(jié)點(diǎn)都相同。事實(shí)上,每家晶圓廠和每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)都是不同的。例如,金屬短路和開路的可能性隨金屬(如鋁與銅)和工藝節(jié)點(diǎn)的不同而不同。應(yīng)留出足夠時(shí)間評(píng)估以前的DFx流程對(duì)新工藝產(chǎn)生的效果。

將晶圓廠建議的規(guī)則僅僅當(dāng)作可選的規(guī)則。與晶圓廠一起共同確定一系列最影響良率的因素。應(yīng)力圖遵守這些規(guī)則,只有在無法滿足設(shè)計(jì)(例如時(shí)序、功率)或區(qū)域目標(biāo)時(shí)才能違反這些規(guī)則。加入一個(gè)檢查/打分機(jī)制以評(píng)判在遵守被建議的規(guī)則方面你做得怎樣。

對(duì)GDS數(shù)據(jù)進(jìn)行所有的DFx增強(qiáng)工作。在這個(gè)階段只能實(shí)現(xiàn)有限的一些幾何方面的增強(qiáng)工作??梢圆捎每蛇M(jìn)行拓?fù)鋬?yōu)化的工具在GDS之前進(jìn)行DFx增強(qiáng)可得到最佳結(jié)果。

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