進(jìn)行產(chǎn)品的硬件設(shè)計(jì)過(guò)程中，EMI問(wèn)題應(yīng)該在設(shè)計(jì)之初就加以考慮，以降低后續(xù)整改所要花費(fèi)的財(cái)力和人力等。本文就以時(shí)鐘信號(hào)為例，對(duì)其進(jìn)行EMI設(shè)計(jì)，降低輻射干擾。（1）原理圖設(shè)計(jì)1、時(shí)鐘芯片的電源與其它電源用磁珠隔開(kāi)，磁珠后加去耦電容，去耦電容由22uF的鉭電容和0.1uF、0.01uF、0.001uF的瓷片電容組成，這些電容可分別針對(duì)不同頻率的噪聲進(jìn)行濾波。通常，22uF適用于10MHz以下的噪聲，0.1uF適用于5MHz~66MHz，0.01uF適用于40MHz~80MHz，0.001uF則適用于更高頻率的噪聲。示意圖如下，可根據(jù)實(shí)際使用情況對(duì)電容進(jìn)行調(diào)整。 圖1 時(shí)鐘芯片的去耦電容2、在時(shí)鐘信號(hào)線(xiàn)上，通常需進(jìn)行源端阻抗匹配，如33R的匹配電阻；同時(shí)，在匹配電阻之后，對(duì)于頻率高于66MHz的時(shí)鐘，加一個(gè)3~5pF的電容，對(duì)于頻率低于66MHz的時(shí)鐘，可加一個(gè)10~15pF的電容，形成RC濾波器，抑制500M以上的高頻輻射。其中，加大R和C可減小EMI輻射，但時(shí)鐘波形也會(huì)變差。圖2 時(shí)鐘線(xiàn)的處理（2）PCB設(shè)計(jì)1、時(shí)鐘芯片的電源去耦電容應(yīng)盡量靠近芯片的電源管腳放置。2、時(shí)鐘的上下拉電阻盡量靠近時(shí)鐘芯片放置。3、所有時(shí)鐘線(xiàn)原則上不允許跨島。當(dāng)時(shí)鐘頻率較高時(shí)，若實(shí)在做不到不跨島，可在兩個(gè)跨島之間靠近時(shí)鐘線(xiàn)的地方放置一個(gè)0.1uF的電容，以形成鏡像通路。4、時(shí)鐘線(xiàn)要遠(yuǎn)離其它信號(hào)線(xiàn)，最好進(jìn)行包地處理。5、進(jìn)行繞線(xiàn)時(shí)，進(jìn)去的線(xiàn)和出來(lái)的線(xiàn)應(yīng)盡量遠(yuǎn)。6、盡量控制時(shí)鐘線(xiàn)的過(guò)孔數(shù)，通常不要超過(guò)2個(gè)。7、如果時(shí)鐘線(xiàn)有過(guò)孔，可在過(guò)孔的相鄰位置，加一個(gè)旁路電容，以確保時(shí)鐘線(xiàn)換層后，參考層（相鄰層）的電流回路連續(xù)。如下圖：圖3 過(guò)孔處的旁路電容