（1）Flash的簡(jiǎn)介

不同型號(hào)的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字節(jié)，最大的則達(dá)到了1024K 字節(jié)。

STM32F103ZET6 的 FLASH 容量為 512K 字節(jié)，屬于大容量產(chǎn)品。

STM32 的閃存模塊由：主存儲(chǔ)器、信息塊和閃存存儲(chǔ)器接口寄存器等 3 部分組成。

尤其是閃存存儲(chǔ)器接口寄存器有以下特性：閃存存儲(chǔ)器接口寄存器，該部分用于控制閃存讀寫等，是整個(gè)閃存模塊的控制機(jī)構(gòu)。
對(duì)主存儲(chǔ)器和信息塊的寫入由內(nèi)嵌的閃存編程/擦除控制器(FPEC)管理；編程與擦除的高電壓由內(nèi)部產(chǎn)生。

在執(zhí)行閃存寫操作時(shí)，任何對(duì)閃存的讀操作都會(huì)鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進(jìn)行；既在進(jìn)行寫或擦除操作時(shí)，不能進(jìn)行代碼或數(shù)據(jù)的讀取操作。

（2）stm32閃存編程過(guò)程如下圖

從上圖可以得到閃存的編程順序如下：
? 檢查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解鎖，如果沒(méi)有則先解鎖
? 檢查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的編程操作
? 設(shè)置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位為’1’
? 在指定的地址寫入要編程的半字
? 等待 BSY 位變?yōu)椤?’
? 讀出寫入的地址并驗(yàn)證數(shù)據(jù)
前面提到，我們?cè)?STM32 的 FLASH 編程的時(shí)候，要先判斷縮寫地址是否被擦除了，所以，
我們有必要再介紹一下 STM32 的閃存擦除，STM32 的閃存擦除分為兩種：頁(yè)擦除和整片擦除。

（3）stm32頁(yè)擦除如下圖

從上圖可以看出，STM32 的頁(yè)擦除順序?yàn)椋?/p>

? 檢查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解鎖，如果沒(méi)有則先解鎖
? 檢查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的閃存操作
? 設(shè)置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位為’1’
? 用 FLASH_AR 寄存器選擇要擦除的頁(yè)
? 設(shè)置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位為’1’
? 等待 BSY 位變?yōu)椤?’
? 讀出被擦除的頁(yè)并做驗(yàn)證

（4）下面就是操作Flash的一個(gè)重要的函數(shù)了：

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;
u16 secoff;
u16 secremain;
u16 i;
u32 offaddr;
if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;
FLASH_Unlock();
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);
for(i=0;i{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;
}
if(i{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);
for(i=0;i{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);
if(NumToWrite==secremain)break;
else//D′è??′?áê?
{
secpos++;
secoff=0;
pBuffer+=secremain;
WriteAddr+=secremain;
NumToWrite-=secremain;
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;
else secremain=NumToWrite;
}
};
FLASH_Lock();
}
#endif