其中的大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管管，尤其是功率型場(chǎng)效應(yīng)管管，內(nèi)部集成有完好的保護(hù)電路，使用起來(lái)與雙極型三極管一樣方便。不過(guò)，保護(hù)單元的存在卻又使得場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，測(cè)量方法也與傳統(tǒng)雙極型三極管差不多。

一、基本類型MOS管測(cè)試

　　MOS管內(nèi)部的保護(hù)環(huán)節(jié)有多種類型，這就決定了測(cè)量過(guò)程存在著多樣性，常見(jiàn)的NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示。

　　圖1、圖2所示NMOS管的D-S間均并聯(lián)有一只寄生二極管(InternalDiode)。與圖1稍有不同，圖2所示NMOS管的G-S之間還設(shè)計(jì)了一只類似于雙向穩(wěn)壓管的元件"保護(hù)二極管"，由于保護(hù)二極管的開(kāi)啟電壓較高，用萬(wàn)用表一般無(wú)法測(cè)量出該二極管的單向?qū)щ娦?。因此，這兩種管子的測(cè)量方法基本類似，具體測(cè)試步驟如下：

　1．MOS管柵極與漏、源兩極之間絕緣阻值很高，因此在測(cè)試過(guò)程中G-D、G-S之間均表現(xiàn)出很高的電阻值。而寄生二極管的存在將使D、S兩只管腳間表現(xiàn)出正反向阻值差異很大的現(xiàn)象。選擇指針萬(wàn)用表的R×1kΩ擋，輪流測(cè)試任意兩只管腳之間的電阻值。當(dāng)指針出現(xiàn)較大幅度偏轉(zhuǎn)時(shí)，與黑筆相接的管腳即為NMOS管的S極，與紅筆相接的管腳為漏極D，剩余第3腳則為柵極G，如 圖3所示。

　2．短接G、D、S三只電極，泄放掉G-S極間等效結(jié)電容在前面測(cè)試過(guò)程中臨時(shí)存儲(chǔ)電荷所建立起的電壓UGS。圖2所示MOS管的G-s極間接有雙向保護(hù)二極管，可跳過(guò)這一步。

　3．萬(wàn)用表電阻擋切換到的R×10kΩ擋(內(nèi)置9V電池)后調(diào)零。將黑筆接漏極D、紅筆接源極S，經(jīng)過(guò)上一步的短接放電后，UGS降為0V，MOS管尚未導(dǎo)通，其D-S間電阻RDS為∞，故指針不會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，如 圖4所示。

　4．有以下兩種方法能夠?qū)OS管的質(zhì)量與性能好壞作出準(zhǔn)確的判斷：第一種方法：

　　①用手指碰觸G-D極，此時(shí)指針向右發(fā)生偏轉(zhuǎn)，如圖3所示。手指松開(kāi)后，指針略微有一些擺動(dòng)。

　　②用手指捏住G-S極，形成放電通道，此時(shí)指針緩慢回轉(zhuǎn)至電阻∞的位置，如圖6所示。

　　圖2所示MOS管的G-S間接有保護(hù)二極管，手指撤離G-D極后即使不去接觸G-S極，指針也將自動(dòng)回到電阻∞的位置。值得注意的是，測(cè)試過(guò)程中手指不要接觸與測(cè)試步驟不相關(guān)的管腳，包括與漏極D相連的散熱片，避免后續(xù)測(cè)量過(guò)程中因萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)異常而造成誤判。第二種方法：

　?、儆眉t筆接源極S，黑筆接?xùn)艠OG，對(duì)G-S之間的等效結(jié)電容進(jìn)行充電，此時(shí)可以忽略萬(wàn)用表指針的輕微偏轉(zhuǎn)，如圖7所示。