3月24日，湖北省新型冠狀病毒感染肺炎疫情防控指揮部發(fā)布通告，宣布從3月25日零時起，武漢市以外地區(qū)解除離鄂通道管控。此舉也意味著國內(nèi)的疫情防控已經(jīng)取得了階段性的勝利。

不過，目前歐美疫情仍不容樂觀，歐洲多國及美國的確診病例仍在持續(xù)暴漲。以美國為例，僅昨天一天就新增了一萬多例確診病例。

相比之下，日本和韓國的疫情似乎已趨于平穩(wěn)，目前每日新增病例都已經(jīng)降至了100例以下。但需要警惕的是，韓國和日本是目前全球存儲產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，在當(dāng)?shù)匾咔槿晕唇Y(jié)束之前，仍不可掉以輕心。

此前韓國的三星手機(jī)工廠和SK海力士工廠均出現(xiàn)了確診病例。另外美國疫情的爆發(fā)，也對在美國本土的美光存儲工廠造成不利影響。

此外，為應(yīng)對疫情，意大利、馬來西亞、新加坡、菲律賓、印度等全球多個國家和地區(qū)開始采取短期“封國”、“封城”等措施，而由此造成的交通阻斷和工廠停工也在一定程度上影響全球存儲芯片的供求情況。

值得注意的是，雖然近期智能手機(jī)和PC市場出現(xiàn)了大幅的下滑，但是存儲芯片價格卻出現(xiàn)了大幅的上漲。業(yè)內(nèi)消息顯示，自今年年初到現(xiàn)在，存儲芯片價格最高已上漲了近60%。

那么，隨著全球疫情的持續(xù)發(fā)展，對于存儲芯片行業(yè)影響究竟有多大呢？未來存儲芯片價格是繼續(xù)上漲還是會下跌？

一、存儲芯片產(chǎn)業(yè)的全球格局以及日韓廠商地位如何？

存儲芯片產(chǎn)業(yè) 2019 年全球約 1200 億美元銷售額，對比全球 4000 億美元的半導(dǎo)體市場，占比約 30%，地位顯著。

其中 DRAM 全球銷售額約 620 億美元，NAND Flash 全球銷售額約 570 億美元，這兩大主要市場是本文重點(diǎn)討論的對象。

存儲芯片行業(yè)周期約 3~4年，由于前期產(chǎn)能擴(kuò)張和去庫存因素，2019 年存儲芯片價格下跌較多，帶來銷售額周期回落，由于 2019 年廠商已削減擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì) 2020 年全球存儲芯片市場有望恢復(fù)增長。

DRAM 全球格局高度集中。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2019年四季度三星、SK 海力士、美光三家廠商占全球DRAM市場份額接近 95%。兩家韓國廠商三星、SK 海力士合計(jì)占比約 72.7%。

NAND Flash 全球前六家廠商份額占 99%以上，其中包括韓國廠商三星、SK 海力士，以及日本廠商 KIOXIA（鎧俠，原東芝存儲，2019 年被美國貝恩資本為首的財(cái)團(tuán)收購，總部和運(yùn)營地在日本）。

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2019年四季度，這三家日韓廠商份額達(dá)到了63.8%。

日韓廠商在 DRAM、NAND Flash 兩大類存儲芯片產(chǎn)業(yè)乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中均占有重要的產(chǎn)業(yè)地位。這一地位具有一定歷史發(fā)展因素。

日本、韓國在 20 世紀(jì) 80 年代、90年代分別集中政府、學(xué)界、商界力量研發(fā)和布局存儲芯片產(chǎn)業(yè)，以十年計(jì)長期逆周期投資，成就當(dāng)今地位。

我國目前在 DRAM 和 NAND Flash 兩大產(chǎn)業(yè)中尚處于起步階段，國內(nèi)相關(guān)布局的廠商分別是合肥長鑫（DRAM，兆易創(chuàng)新合作開發(fā)）和長江存儲（NAND Flash，紫光集團(tuán)旗下）。

鑒于日韓兩國在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的重要地位，疫情升級無疑牽動著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的脈搏，在存儲芯片領(lǐng)域這種關(guān)注尤甚。

二、主要存儲芯片廠區(qū)及其產(chǎn)能分布情況以及現(xiàn)狀如何？

韓國：共 12 條產(chǎn)線，主要位于京畿道地區(qū)，受疫情影響小韓國共有 12 條產(chǎn)線，分布在京畿道與忠清北道，總產(chǎn)能約 1200kwpm（千片/月，12吋晶圓，下同），本土總產(chǎn)能占比逾 8 成。

三星的 DRAM 產(chǎn)能全部集中在韓國本土的華城（Fab12、Fab13、Fab15、Fab16、 Fab17）、平澤（P1、P2）兩地，NAND Flash 產(chǎn)能也有約 75%位于本土（Fab12、Fab16、Fab17、P1、P2），另有 25%的產(chǎn)能則位西安（西安一期、二期）。

SK 海力士有超過 60%的 DRAM 產(chǎn)能位于韓國本部，主要集中在利川市M10 廠，其余產(chǎn)能位于無錫（無錫一期、二期），而其 NAND Flash 產(chǎn)能則全部位于本土的清州（M11、M22、M15）、利川（M14、M16）兩地，其中利川的 M14、M16（在建）廠為 NAND Flash 與 DRAM 混合廠。

根據(jù)以上產(chǎn)線 4Q19 月均投片量預(yù)估，三星與 SK 海力士在本土的 DRAM 與 NAND Flash 總產(chǎn)能水平分別約為 675kwpm 及 545kwpm，占總產(chǎn)能的比重達(dá)到 83%及 82%。

△資料來源：TrendForce、中信證券研究部

從本土廠區(qū)所屬區(qū)域的疫情情況來看，三星的本土存儲芯片廠區(qū)都位于京畿道，而SK 海力士本土存儲芯片廠區(qū)則分布與京畿道與忠清北道，均沒有位于疫情嚴(yán)重區(qū)域。

截至3月20日零時，京畿道和忠清北道這兩個區(qū)域目前確診病例數(shù)分別為309例和33例，疫情尚不算嚴(yán)重。目前兩大廠商產(chǎn)線正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

韓國的疫情始發(fā)于教會的聚集性感染，疫情最嚴(yán)重的地區(qū)為大邱和慶尚北道，目前已度過高峰期，形勢逐步得到控制。韓國前期的新增人數(shù)確診高峰階段是 2 月底，相當(dāng)于國內(nèi)推后約 1 個月，目前已度過高峰期，新增確診人數(shù)逐步下降。

韓國中央防疫對策本部24日通報(bào)，當(dāng)?shù)貢r間23日0時至24日0時，韓國新增76例新冠肺炎確診病例，累計(jì)確診9037例，死亡增至119例。

由于發(fā)生聚集性感染的新天地教會總部位于大邱市，當(dāng)?shù)爻蔀轫n國國內(nèi)疫情最嚴(yán)重的地區(qū)，截至3月24日0時，大邱累計(jì)確診人數(shù)達(dá)6442人，不過23日的新增已降至31例。

而存儲廠商主要位于疫情不嚴(yán)重的京畿道和忠清北道，仍然正常運(yùn)轉(zhuǎn)。由于疫情已逐步得到控制，且存儲芯片廠商尚未受到影響，預(yù)計(jì)后續(xù)對產(chǎn)能影響較小。

△圖片來源：新浪疫情數(shù)據(jù)

日本：共 7 條產(chǎn)線，位于三重、巖手兩縣，受疫情影響小日本共有 7 條產(chǎn)線，位于三重、巖手兩縣，兩地幾乎未受疫情影響。

日企鎧俠（原東芝存儲）與其合作伙伴西部數(shù)據(jù)的 NAND Flash 產(chǎn)線集中在日本本土的三重縣四日市（Fab2、Fab3、Fab4、Fab5、Fab6），另外，其即將投產(chǎn)的 K1 廠與 2020 年計(jì)劃新建的Fab7 廠則位于本土的巖手縣。鎧俠本土廠區(qū)所位于的三重、巖手兩縣目前的確診病例數(shù)分別為 9 例、0 例（截至3月19日），兩地在日本本土不屬于人口集中的地區(qū)，也幾乎沒有受到疫情影響，我們認(rèn)為疫情影響產(chǎn)能的可能性較小。

△圖片來源：新浪疫情數(shù)據(jù)

日本前期的新增確診人數(shù)高峰發(fā)生在 2 月中旬左右，相當(dāng)于國內(nèi)的 1 月底-2 月上旬，延后約半個月，主要系?？吭跈M濱港的鉆石公主號郵輪上持續(xù)發(fā)現(xiàn)新冠感染患者。

截至當(dāng)?shù)貢r間3月23日23時，日本新增39例新冠肺炎確診病例，累計(jì)新冠肺炎確診病例達(dá)到1140例，包括“鉆石公主”號郵輪確診的乘客及乘務(wù)人員確診712例和包機(jī)歸國的14例。各行政區(qū)域中，也只有北海道、愛知縣、大阪府、東京都和兵庫縣確診人數(shù)超過 100例。

△注：上圖的日本各地疫情數(shù)據(jù)截止于3月15日，因此部分區(qū)域的顏色區(qū)分與最新的有差異。

中國：共 12 條產(chǎn)線，長江存儲位于疫情嚴(yán)重的武漢地區(qū)

中國地區(qū)共有 12 條存儲芯片產(chǎn)線，其中中國大陸 8 條，中國臺灣 4 條，DRAM 產(chǎn)線7 條、NAND Flash 產(chǎn)線 5 條。

從國際廠商在中國的產(chǎn)線分布情況來看，三星與 SK 海力士的 DRAM 產(chǎn)能合計(jì)約 30%以上位于中國大陸，其中三星 NAND Flash 有約 25%的產(chǎn)能位于西安廠，SK 海力士則有約 40%的 DRAM產(chǎn)能位于無錫廠。英特爾的所有 NAND Flash產(chǎn)能都集中在大連廠。

大陸本土企業(yè)方面，合肥長鑫與長江存儲的廠區(qū)分別位于合肥、武漢兩地。此外，美光有超 6 成的 DRAM 產(chǎn)能位于中國臺灣（臺中、桃園）。目前包括長江存儲在內(nèi)的存儲廠都在正常運(yùn)轉(zhuǎn)，預(yù)計(jì)疫情不會對各個廠商產(chǎn)線正常運(yùn)轉(zhuǎn)造成太大影響。

此外，中國地區(qū)也是全球主要廠商存儲芯片封裝的重要基地。除了鎧俠/西數(shù)，所有主要廠商都在中國地區(qū)布局了封裝基地，廣泛分布在中國中部的上海、無錫、蘇州、西安、成都、重慶等地區(qū)，沒有位于湖北省的主要封測廠。

上述地市的疫情防控情況良好，存量確診人數(shù)均不過百。封裝測試廠相比于存儲廠對員工需求更多，若員工到崗不足可能影響復(fù)工率，目前隨著國內(nèi)疫情控制穩(wěn)定，企業(yè)正陸續(xù)積極復(fù)工，復(fù)工率逐步恢復(fù)。

截至3月23日0—;24時，國內(nèi)累計(jì)報(bào)告確診病例81171例（現(xiàn)有確診病例4735例），新增確診病例78例，其中74都是境外輸入確診病例。目前來看疫情得到了基本控制，更多需要注意境外輸入病例。

另外，根據(jù)中國臺灣地區(qū)流行疫情指揮中心23日公布的信息顯示，島內(nèi)新增26例新冠肺炎確診病例，其中25例為境外輸入，1例本土案例，臺灣地區(qū)累計(jì)確診病例達(dá)195例。疫情影響相對較輕。

三、單看供給端，疫情影響大不大？

從行業(yè)特點(diǎn)出發(fā)，從短期來看，我們認(rèn)為疫情對產(chǎn)能的直接影響有限。

首先，半導(dǎo)體制造的潔凈控制級別高，人員病毒傳播風(fēng)險小，且產(chǎn)線自動化程度高，對人工的依賴不大。晶圓廠內(nèi)對污染控制要求十分嚴(yán)格，以免影響芯片工藝良率。

普通空氣經(jīng)處理后才能進(jìn)入潔凈室，潔凈室內(nèi)部每 1 平方英尺所含超過 0.5μm 微?？倲?shù)一般在1 以下（城市空氣中為 500 萬），甚至要求空氣中顆粒尺寸小于 0.1μm（飛沫核尺寸一般在 0.7~2.1μm），無塵室級別遠(yuǎn)高于醫(yī)藥、食品工業(yè)等。

另外，生產(chǎn)工序中員工穿著的工業(yè)級防靜電無塵服并佩戴口罩，能夠減少空氣中的塵埃吸附，自帶一定的防護(hù)效果，高規(guī)格的工業(yè)級防塵服可以起到一定程度醫(yī)療防護(hù)服的效果。加之晶圓廠采取必要措施管控，預(yù)計(jì)疫情對晶圓廠產(chǎn)能影響小。

對于封測廠商而言，封測廠商內(nèi)也具有較好的潔凈控制措施，標(biāo)準(zhǔn)略低于晶圓制造廠。封裝測試廠相比于制造廠對員工需求更多，若員工到崗不足可能影響復(fù)工率，目前隨著國內(nèi)疫情控制穩(wěn)定，企業(yè)正陸續(xù)積極復(fù)工，復(fù)工率逐步恢復(fù)。

其次，半導(dǎo)體制造的晶圓廠一般為 365 天 24 小時不停轉(zhuǎn)，不存在停復(fù)工問題，且不會輕易停工。與鋼鐵、能源、化工等重資產(chǎn)基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)類似，半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)線停工對廠商來說代價過大。

2018 年 3 月，三星平澤 NAND 廠遭遇停電事故，雖然停電僅半小時，仍損壞了 5000~6000 片晶圓，約占其當(dāng)月投片量的 11%，相當(dāng)于該月全球供應(yīng)量的 3.5%，估算的經(jīng)濟(jì)損失約 3 億元人民幣。

以長江存儲為例，其廠區(qū)位于疫情核心區(qū)域武漢，早在1 月份，長江儲存便向外界表示：停工停產(chǎn)不在其計(jì)劃之內(nèi)。

由于廠區(qū)距離市中心 30 公里，地理位置相對獨(dú)立，且得益于高效的疫情應(yīng)對手段，目前長江存儲產(chǎn)線運(yùn)轉(zhuǎn)正常，材料運(yùn)送也通過申請?zhí)厥馔ǖ赖玫搅吮Ｕ?，尚未出現(xiàn)設(shè)備維護(hù)與材料的運(yùn)輸問題，乃至客戶端受需求下滑影響而減緩產(chǎn)品認(rèn)證速度等情況。

因此我們認(rèn)為各大廠商產(chǎn)線停工可能性不大，晶圓廠仍會保持 365 天不停轉(zhuǎn)，預(yù)計(jì)短期內(nèi)生產(chǎn)不會受到太大影響。

中期角度來看，疫情將對長江存儲的新產(chǎn)能建設(shè)造成一定延后。受建筑工人節(jié)前返鄉(xiāng)的影響，目前長江存儲一期廠區(qū) B、C、D 標(biāo)段等仍待建設(shè)收尾，但均無施工跡象，且無明確的復(fù)工時間表。中期來看長江存儲的產(chǎn)能爬坡計(jì)劃預(yù)計(jì)將出現(xiàn)一定延后。

原材料運(yùn)輸保障是關(guān)鍵，日韓政府政策措施后續(xù)仍需關(guān)注。

更進(jìn)一步，考慮運(yùn)輸影響，隨著海外疫情發(fā)展進(jìn)入加速期，需關(guān)注日韓政府是否會效仿武漢采取封城措施，如封城是否會造成原材料、產(chǎn)成品運(yùn)輸困難，海關(guān)是否會攔截或增加檢驗(yàn)時間，如果運(yùn)輸層面出現(xiàn)嚴(yán)重問題則可能直接造成產(chǎn)品短缺、短期價格上漲。

晶圓廠原材料庫存水平通常保持在 2~3個月，因而短期原材料運(yùn)輸問題可以緩解，但長期斷供將對整個產(chǎn)業(yè)鏈造成較大沖擊。

例 如 2019 年 7 月份日韓爆發(fā)貿(mào)易戰(zhàn)，日本作為全球最重要的半導(dǎo)體原材料及設(shè)備供應(yīng)方限制向三星等韓企供應(yīng)聚酰亞胺、光刻膠、蝕刻氣體等核心原料，日本斷供導(dǎo)致三星原料告急，含氟聚酰亞胺庫存僅能維持 1 個月。

包括蘋果、亞馬遜、微軟、谷歌在內(nèi)的眾多終端廠商緊急派出高層赴韓評估事態(tài)影響及確認(rèn)后續(xù)供應(yīng)計(jì)劃。

在三星高層及韓國政府的多方斡旋下，日方恢復(fù)這些核心材料的短期供給?？梢娫牧瞎?yīng)對晶圓廠生產(chǎn)影響較大，并且會影響到下游產(chǎn)品供應(yīng)。

截止目前，日本疫情數(shù)據(jù)增長有限，但是韓國疫情數(shù)據(jù)增長較快，如若兩國政府后續(xù)所采取的更嚴(yán)厲防控措施影響到運(yùn)輸環(huán)節(jié)，可能將對存儲芯片供貨端造成一些沖擊。

但參考中國大陸地區(qū)疫情期間各廠商的運(yùn)營狀況來看，即便是武漢區(qū)域的長江存儲也申請采取了特別通行的政策保障企業(yè)生產(chǎn)，只要應(yīng)對得當(dāng)，預(yù)計(jì)影響是有限的。

綜合來看我們不認(rèn)為疫情會對短期存儲芯片供給帶來太大的影響。

從產(chǎn)能利用及擴(kuò)張情況來看，供給端產(chǎn)能總量平穩(wěn)，預(yù)計(jì) 2020 年 DRAM 和 NANDFlash 產(chǎn)能擴(kuò)增幅度分別為 3%、9.1%。2018~2019 年存儲價格下跌期間 DRAM 和 NAND Flash 廠商均推遲了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

同時，由于 CIS（CMOS 圖像傳感器）受益于智能手機(jī)多攝需求景氣，三星、SK 海力士還將部分較老制程的 DRAM 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為 CIS 產(chǎn)線，造成DRAM 總體產(chǎn)能下降。

DRAM市場端，雖然目前存儲芯片價格 2019 年 12 月開始已經(jīng)重回上行周期，但出于維持價格上行的需要，主要 DRAM 廠商 2019 年 Q4 的投片量并沒有明顯擴(kuò)張。

2020年，部分之前新增產(chǎn)線有望陸續(xù)投產(chǎn)，加之三星等廠商產(chǎn)線靈活度高，可從其他業(yè)務(wù)線調(diào)配產(chǎn)能，因而 DRAM 端的產(chǎn)能具有彈性，供給有保障，但廠商主動調(diào)升產(chǎn)能的幅度并不高。

根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2020 年相較于 2019 年 DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)增幅度在 3%左右。NAND Flash 端，鎧俠/西數(shù)與美光在 Q4 的投片量已經(jīng)明顯上揚(yáng)以應(yīng)對需求增加和價格反彈，而 2020 年長江存儲的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃受到疫情影響可能會延后 1~2 個季度左右。

根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)并調(diào)整了長江存儲的產(chǎn)能擴(kuò)張節(jié)奏后，我們預(yù)計(jì) 2020 年相較于 2019 年 NAND Flash 產(chǎn)能擴(kuò)增幅度在 9.1%左右。

四、再看需求端，中日韓及全球需求可能如何變化？

以智能手機(jī)為主的終端廠商出貨量減少短期內(nèi)勢必會對需求端造成一定影響，但鑒于存儲芯片終端需求市場結(jié)構(gòu)的變化，以及疫情對服務(wù)器級產(chǎn)品的需求可能還將有一定的促進(jìn)作用。

綜合來看，對存儲芯片市場全年需求的影響不大。

存儲芯片需求：手機(jī)、服務(wù)器、PC 端需求合計(jì)約占 85%從應(yīng)用領(lǐng)域的角度看，手機(jī)、服務(wù)器、PC 分別占存儲芯片需求的 37%、28%、20%。

根據(jù) Trendforce 的數(shù)據(jù)，在 DRAM 的下游應(yīng)用領(lǐng)域中，手機(jī)、服務(wù)器、PC 分別占 41%、 32%、13%。根據(jù) IHS 的數(shù)據(jù)，NAND Flash 的下游應(yīng)用領(lǐng)域中，手機(jī)、PC、服務(wù)器分別占 33%、26%、24.5%。

由于 DRAM 和 NAND Flash 產(chǎn)值規(guī)模接近且兩者相加基本構(gòu)成存儲芯片總產(chǎn)值，因此綜合來看，手機(jī)、服務(wù)器、PC 分別占存儲芯片需求的 37%、28%、 20%。以下分三類應(yīng)用分別展開分析。

手機(jī)端：銷量下行，平均單機(jī)存儲芯片容量上升，存儲芯片需求上升

線下銷售渠道受沖擊，預(yù)估 2020Q1 國內(nèi)手機(jī)銷量同比-40%，全年同比下滑10%。國內(nèi)智能手機(jī)線下銷量占比約 7 成，分品牌來看，我們估算 2019 年華為（含榮耀）線下銷量占比 6~7 成，小米線下占比 4~5 成，OPPO、vivo 線下占比 8~9 成。

整體來看，2016-2019年，中國及全球智能手機(jī)銷量連年下降。我們預(yù)測，受本次新冠疫情沖擊，2020Q1 中國智能手機(jī)銷量將同比-40%，全年同比-10%。

海外短期需求亦受到疫情影響，整體來看預(yù)計(jì)全球 Q1 同比下滑15~20%，全年同比下滑5~10%。

△來源：IDC（含預(yù)測）

△來源：IDC（含預(yù)測）

線上銷售、5G 換機(jī)將部分對沖疫情對于 2020 年手機(jī)銷量的沖擊。2020 年智能手機(jī)銷售有 2 個主要變化：

1）受疫情影響，國內(nèi)智能手機(jī)的部分銷售將從線下轉(zhuǎn)為線上，消費(fèi)者線上購買占比提升。

2020 年 1 月中國智能手機(jī)線上銷量（HOVMS 天貓旗艦店銷量，華為包含榮耀）101.8 萬部，環(huán)比增長12%；

2）5G 手機(jī)銷量將快速增長。隨著全球更多地區(qū)開始 5G 商用部署、各品牌陸續(xù)推出 5G 機(jī)型，5G 手機(jī)銷量有望快速增長。

據(jù) IDC 預(yù)測，2020 年 5G 手機(jī)出貨量將占總出貨量的 8.9%，達(dá)到 1.235 億部。而 2020 年 1 月國 內(nèi) 5G 手機(jī)線上銷量 15.82 萬部，環(huán)比增長9.18%，占手機(jī)線上總銷量的 15.5%。

智能手機(jī) DRAM、NAND Flash 的平均單機(jī)容量均呈現(xiàn)出明顯增長趨勢，平均單機(jī)容量增速大于手機(jī)銷量下滑速度。

TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，DRAM 在智能手機(jī)上的平均單機(jī)容量 2010-2019 年 CAGR 為 25.1%，預(yù)測 2020 年同比增長 13%。數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 在智能手機(jī)上的平均單機(jī)容量 2014-2019 年 CAGR 為 31.2%。

平均單機(jī)存儲芯片容量增速仍大于國內(nèi) 2020 年智能手機(jī)銷量同比下降幅度（-10%）。

綜合手機(jī)銷量和手機(jī)平均單機(jī)存儲芯片容量來看，存儲芯片在智能手機(jī)領(lǐng)域的需求將呈上升趨勢。

2020 年，智能手機(jī)的銷量下行將對存儲芯片需求造成一定負(fù)面影響，但手機(jī)線上銷售、5G 換機(jī)等因素將抵消部分消極影響；

除此之外，平均單機(jī) DRAM、NAND Flash 容量增速仍大于目前推測的國內(nèi) 2020 年智能手機(jī)銷量同比下降幅度，完全抵消了手機(jī)銷量下降對于存儲芯片需求的負(fù)面影響。

綜合來看，存儲芯片在智能手機(jī)領(lǐng)域的需求將呈上升趨勢。

PC 端：銷量下行，平均單機(jī)存儲芯片容量上升，存儲芯片需求上升

預(yù)計(jì) PC 出貨量在 2020 年后呈下降趨勢，2020-2022 年 CAGR 為-2.5%。2011-2018年，全球 PC出貨量連年下降，根據(jù) Gartner的數(shù)據(jù)，2019年全球 PC出貨量同比增長0.6%， 達(dá) 2.61 億臺。

Gartner 預(yù)測，PC 出貨量預(yù)計(jì)仍將在 2020 年及以后呈下降趨勢，預(yù)計(jì)2020-2022 年 CAGR 為-2.5%。

微軟在 2020 年 1 月 14 日放棄對 Windows 7 的支持，Windows 10 將通過定期更新進(jìn)行系統(tǒng)升級，因此未來 Windows 操作系統(tǒng)升級帶動的 PC硬件升級周期將會結(jié)束。

PC 的平均單機(jī) DRAM、NAND Flash 容量呈上升趨勢，平均單機(jī)容量增速大于 PC銷量下滑速度。2019 年下半年 PC 的主流機(jī)型搭載的 DRAM 容量為 8GB。

而根據(jù) Yole預(yù)測，2024 年 PC 的 DRAM 平均單機(jī)容量超過 10GB，保守估計(jì) 2019-2024 年 DRAM 平均單機(jī)容量 CAGR 為 4.6%以上，高于 PC 銷量下跌幅度，相應(yīng)預(yù)估 2020 年 PC 的 DRAM平均單機(jī)容量約 8.4GB。DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)顯示，目前 PC 的平均單機(jī) NAND Flash搭載量在 500GB 左右。

據(jù) Yole 預(yù)測，2024 年，PC 的平均單機(jī) NAND Flash 搭載量高于1000GB，且 SSD 在消費(fèi)類 PC 中的滲透率不斷提升，則保守估計(jì) 2019-2024 年 PC 的NAND Flash 平均單機(jī)容量 CAGR 為 14.9%以上，高于 PC 銷量下跌幅度，抵消了 PC 銷量下跌對存儲芯片需求的影響。

綜合 PC 銷量和 PC 平均單機(jī)存儲芯片容量來看，存儲芯片在 PC 領(lǐng)域的需求將呈上升趨勢。

2020 年，PC 銷量下行將對存儲芯片需求造成一定負(fù)面影響，但 PC 平均單機(jī)DRAM、NAND Flash 容量增速（預(yù)計(jì)分別為 20%、39%）大于 PC 銷量同比下降幅度（預(yù) 計(jì)-2.5%），抵消了 PC 銷量下降對于存儲芯片需求的負(fù)面影響。綜合來看，存儲芯片在 PC領(lǐng)域的需求將呈上升趨勢。

服務(wù)器：云廠商資本開支上行周期，疫情強(qiáng)化服務(wù)器的存儲芯片需求增長趨勢

2020 年全球云廠商資本支出仍處于上行周期，未來幾年仍是國內(nèi)云廠商大規(guī)模資本投入周期，帶動 2020 年服務(wù)器市場回升。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2019 年全球服務(wù)器出貨量為 1133 萬臺，2019 年上半年為上一輪服務(wù)器景氣周期底部。2019Q4 全球一線云廠商資本支出同比-4%，繼續(xù)處于復(fù)蘇通道。

目前看來，云廠商資本支出仍處于周期性上行階段，預(yù)計(jì)將至少能持續(xù)到 2020H1，主要廠商谷歌、微軟、亞馬遜、Facebook 等亦表示 2020年將維持資本支出穩(wěn)健增長。

由于國內(nèi)云市場的發(fā)展路徑整體與北美市場相似，主要差異在于國內(nèi)云市場發(fā)展整體滯后北美市場 4-5年，底層基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)進(jìn)度預(yù)計(jì)落后2-3年，因此預(yù)計(jì)未來幾年仍是國內(nèi)云廠商大規(guī)模資本投入周期，包括對大型 IDC 的租賃需求，對服務(wù)器、存儲的采購需求等等。

據(jù) Gartner 預(yù)測，在云、AI 等新型 IT 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的推動下，2020 年服務(wù)器市場有望回升。

疫情期間服務(wù)器行業(yè)受益于擴(kuò)容需求增加，短期需求暴漲。受到新冠疫情影響，遠(yuǎn)程辦公、遠(yuǎn)程教育、短視頻、電商/新零售、互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療等的需求急劇上升。

以遠(yuǎn)程辦公行業(yè)為例，釘釘和企業(yè)微信的在線辦公人數(shù)都創(chuàng)新高，分別超過了 1000 萬家和達(dá)到數(shù)百萬家。

根據(jù)騰訊云公眾號的數(shù)據(jù)，從 1 月 29 日開始到 2 月 6 日，騰訊會議日均擴(kuò)容云主機(jī)接近1.5 萬臺，8 天總共擴(kuò)容超過 10 萬臺云主機(jī)。

此外，阿里釘釘在 2 月 3 日也通過阿里云緊急擴(kuò)容 1 萬臺服務(wù)器，2 月 4 日再度擴(kuò)容 1 萬臺云服務(wù)器，以應(yīng)對群直播和語音視頻會議的流量洪峰。

此次疫情帶來的遠(yuǎn)程辦公、音視頻會議等需求暴漲有望帶來服務(wù)器需求邊際改善，我國服務(wù)器市場將迎來新一輪增長。

服務(wù)器的平均單機(jī) DRAM、NAND Flash 容量呈顯著上升趨勢。據(jù) DRAMeXchange預(yù)測，服務(wù)器的 DRAM 平均單機(jī)容量將從 2019 年的 304GB 上升至 2020 年的 397GB，漲幅達(dá) 30%。

根據(jù) ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)測算，服務(wù)器的 NAND Flash 平均單機(jī)容量將從 2019 年的 2300GB 增至 2020 年的 2700GB，增幅達(dá) 17%。綜合服務(wù)器出貨量、服務(wù)器平均單機(jī)存儲芯片容量等 2 個增長因素，存儲芯片在服務(wù)器領(lǐng)域的需求將呈顯著上升趨勢。

疫情對全球存儲芯片需求影響的推演：疫情全球蔓延下的需求變化

我們把存儲芯片需求分為手機(jī)、PC、服務(wù)器、其他共 4 個部分（前 3 個應(yīng)用領(lǐng)域合計(jì)占存儲芯片需求的約 85%），其中，疫情對于存儲芯片需求產(chǎn)生負(fù)面影響的主要是手機(jī)、PC 領(lǐng)域，服務(wù)器 2020 年的出貨量預(yù)期呈上升態(tài)勢，疊加疫情影響更強(qiáng)化了增長的預(yù)期。

下面我們主要對疫情蔓延下手機(jī)、PC、服務(wù)器端的需求作出測算，并與疫情前的預(yù)期做比較。

悲觀情形假設(shè)疫情在全球主要市場全面蔓延。目前疫情在全球呈快速蔓延趨勢，各國政府采取不同程度的防控措施，最終疫情得到基本控制的時點(diǎn)具有不確定性，因此我們作出 2 種情景假設(shè)，中性情形假設(shè)中國國內(nèi)的疫情在 4 月底得到基本控制，生產(chǎn)消費(fèi)活動恢復(fù)，全球疫情在 2020Q2 結(jié)束前得到基本控制；悲觀情形假設(shè)疫情在全球全面蔓延，2020Q3得到基本控制。

手機(jī)端：出貨量萎縮，疊加單位存儲容量增長，中性和悲觀情形下預(yù)計(jì) 2020 年 DRAM需求分別同比增長9.1%、1.1%，NAND Flash 需求分別同比增長26.7%、17.4%，均低于疫情前預(yù)測。

1）在中性情形下，我們預(yù)計(jì) 2020Q1 中國地區(qū)手機(jī)出貨量同比下降 40%，Q2手機(jī)出貨量同比下降 7%，根據(jù)亞太其他地區(qū)、歐美等不同國家目前的疫情發(fā)展程度，對其 2020Q1、Q2 的手機(jī)出貨量作出假設(shè)，并假設(shè) 2020 年 Q2 結(jié)束前疫情得到基本控制，全球手機(jī)需求只是推遲而沒有消失，假設(shè) 2020 下半年全球出貨量同比增長6%。

經(jīng)測算，2020年全球手機(jī)出貨量同比-3.5%，中國手機(jī)出貨量同比-6%，與 TrendForce 在 3 月 5 日發(fā)布的預(yù)測相近。

中性情形下，手機(jī)出貨量萎縮疊加了單機(jī)存儲容量增加的影響后，預(yù)計(jì) 2020年智能手機(jī) DRAM 需求同比增長9.1%（低于 Trendforce 在疫情前給予的智能手機(jī) DRAM需求預(yù)測增長17.1%），智能手機(jī) NAND Flash 需求同比增長26.7%（低于 ChinaFlashMarket在疫情前給予的 NAND Flash 整體需求預(yù)測增長45%）。

2）在悲觀情形下，假設(shè)疫情在亞太多個國家、歐美全面蔓延，對亞太其他地區(qū)、歐美的 Q1 出貨量影響均為-20%，對兩者Q2 的影響均為-40%，對非洲及中東、拉美等其他地區(qū)在 2020Q2 的影響是-10%。

并假設(shè)2020 年 Q3 左右疫情得到基本控制。經(jīng)測算，2020 年全球手機(jī)出貨量同比-10.5%，中國手機(jī)出貨量同比-12%，與 Strategy Analytics 在 3 月 3 日發(fā)布的預(yù)測相近。

悲觀情形下，手機(jī)出貨量萎縮疊加了單機(jī)存儲容量增加的影響后，預(yù)計(jì) 2020 年智能手機(jī) DRAM 需求同 比增長1.1%（大幅低于 Trendforce 在疫情前給予的智能手機(jī) DRAM 預(yù)測增長17.1%），智能手機(jī) NAND Flash 需求同比增長17.4%（低于 ChinaFlashMarket 在疫情前給予的 NAND Flash整體需求預(yù)測增長45%）。

PC 端：出貨量萎縮，疊加單機(jī)容量增加影響，中性和悲觀情形下預(yù)計(jì) DRAM 需求分別同比增長1.2%、下滑2.6%，NAND Flash 需求分別同比增長11.2%、7.0%。

1）在中性情形下，我們采用 Canalys 的預(yù)測，假設(shè) 2020Q1 全球 PC 出貨量同比下降 10%，Q2 出貨量同比下降 9%，下半年需求增長2.3%，2020 年全年出貨量-3.2%。

中性情形下，PC 出貨量萎縮疊加單機(jī)容量增加影響，預(yù)計(jì) 2020 年 PC 端 DRAM 需求同比增長1.2%（低于 Trendforce 疫情前給予的 PC 端 DRAM 需求預(yù)測增長11.4%），PC 端 NAND Flash 需求同比增長11.2%（低于 ChinaFlashMarket 在疫情前給予的 NAND Flash 整體需求預(yù)測增長45%）。

2）在悲觀情形下，疫情在全球其他主要市場蔓延，假設(shè) 2020Q1 全球 PC 出貨量同比下降 20%，Q2出貨量同比下降 15%，下半年需求增長2.3%，則 2020 年全年出貨量-6.9%。

悲觀情形下，PC 出貨量萎縮疊加單機(jī)容量增加影響，預(yù)計(jì) 2020 年 PC 端 DRAM 需求同比-2.6%（低于 Trendforce 疫情前給予的 PC 端 DRAM 預(yù)測增長11.4%），PC 端 NAND Flash 需求的同比增長7.0%（低于 ChinaFlashMarket 在疫情前給予的 NAND Flash 整體需求預(yù)測增長45%）。

服務(wù)器端：疫情刺激云計(jì)算需求，疊加單機(jī)容量提升，中性和悲觀情形下預(yù)計(jì) DRAM需求分別同比增長40%、42%，NAND Flash 需求分別同比增長25%、27%。

1）中性情形下，我們假設(shè)在疫情刺激下，2020Q1、Q2 全球服務(wù)器出貨量分別同比增長 10%、8%，下半年同比增長5%，2020 年全年出貨量增長6.9%。

中性情形下，服務(wù)器出貨量增加疊加單機(jī)容量增加影響，預(yù)計(jì) 2020 年服務(wù)器 DRAM 需求同比增長39.8%，NAND Flash 需求同比增長25.4%。

2）在悲觀情形下，疫情在全球其他主要地區(qū)蔓延，對云服務(wù)需求進(jìn)一步擴(kuò)大，假設(shè) 2020Q1全球服務(wù)器出貨量同比增長15%，Q2 出貨量同比增長10%，下半年需求增長5%，則 2020 年全年出貨量增長8.5%。

悲觀情形下，服務(wù)器出貨量增加疊加單機(jī)容量增加影響，預(yù)計(jì) 2020 年DRAM 需求同比增長42.0%，NAND Flash 需求的同比增長27.3%。

△表 8：服務(wù)器出貨量變動對于存儲芯片需求的影響測算

基于以上測算，我們預(yù)計(jì) DRAM 需求受疫情的負(fù)面影響小于 NAND Flash，NANDFlash 需求低于疫情前預(yù)估但仍將保持 25%以上增速。

綜合手機(jī)、PC、服務(wù)器三個主要應(yīng)用的預(yù)測，在中性情形下，我們預(yù)計(jì) 2020 年全球 DRAM 需求同比增長 17.45%，與Trendforce 在疫情前預(yù)測的全年增長率 17.59%接近，這主要是由于手機(jī)和 PC 端的出貨量下滑與服務(wù)器端的需求增長相對沖。

中性情形下預(yù)計(jì) 2020 年全球 NAND Flash 需求同比增長 32.45%，低于 ChinaFlashMarket 疫情前預(yù)估的全年增長率 45%，主要是由于NAND Flash 市場中服務(wù)器應(yīng)用占比相對較小，因此其需求增長不及手機(jī)及 PC 端出貨量下滑的影響。

在悲觀情形下，我們預(yù)計(jì) 2020 年全球 DRAM、NAND Flash 需求分別同比增長 13.53%、26.06%，較疫情前預(yù)估的增速分別下滑 4pcts、19pcts。

綜合考慮疫情對手機(jī)、PC 銷售的阻礙以及對云計(jì)算服務(wù)器需求的刺激，我們認(rèn)為 DRAM 需求受疫情的負(fù)面影響小于 NAND Flash，主要是由于 DRAM 在服務(wù)器端需求具有 30%以上的占比，對沖了其他應(yīng)用帶來的下滑。NAND Flash 需求低于疫情前預(yù)估但預(yù)計(jì)仍將保持 25%以上較快增速。

五、漲價后續(xù)還能否持續(xù)？對國內(nèi)企業(yè)有何影響？

綜合上文分析，我們認(rèn)為供給端晶圓廠產(chǎn)能受到疫情直接影響較小，主要關(guān)注新廠房建設(shè)、設(shè)備材料運(yùn)輸和過關(guān)、封測廠復(fù)工率問題，綜合判斷短期產(chǎn)能仍有小幅擴(kuò)張。

預(yù)計(jì)2020 年 DRAM 和 NAND Flash 產(chǎn)能擴(kuò)增幅度分別增長3%、9.1%。需求端，我們認(rèn)為疫情加重了智能手機(jī)和 PC 銷量下行，同時刺激了云服務(wù)器需求，兩影響因素部分對沖，疊加單機(jī)存儲芯片容量增長后，整體需求仍然維持增長態(tài)勢。

中性情形下，預(yù)計(jì) 2020 年DRAM、NAND Flash 需求同比增長17.45%、32.45%，悲觀情形下，預(yù)計(jì) 2020 年 DRAM、NAND Flash 需求同比增長13.53%、26.06%。均較疫情前預(yù)測的增長率增長17.59%、45%有所下滑。

DRAM 和 NAND Flash 的需求增速仍高于供給擴(kuò)產(chǎn)增速。我們預(yù)計(jì)當(dāng)前供給擴(kuò)張小于需求成長的狀況尚不會出現(xiàn)明顯轉(zhuǎn)換，后續(xù)漲價趨勢仍有望持續(xù)。

對于未來價格走勢，還可以在存儲價格周期視角下加以判斷。

DRAM 價格周期大概 3~4 年，目前處于周期底部復(fù)蘇階段，后續(xù)仍有價格上漲動力。2019 年 12 月，DRAM 價格階段性觸底，基本接近 2016H1 的價格底部。

2019 年 12 月~2020年 2 月價格上漲約 20%，但總體仍處于底部區(qū)間。根據(jù)前文分析，供給和需求端目前都較為平穩(wěn)，我們預(yù)計(jì)隨著疫情形勢逐漸走向樂觀，相關(guān)需求恢復(fù)，價格仍將有較大的上漲空間。

因此認(rèn)為 DRAM 價格下行空間不足，未來上漲概率較大。同時，如果日韓疫情出現(xiàn)嚴(yán)重變化，出現(xiàn)不利于供給端局面，考慮到下游可能有增加備貨、渠道囤貨，庫存水平提高，不排除價格短期快速上漲可能性。

NAND Flash 價格周期同樣大概 3~4 年，目前處于周期底部復(fù)蘇階段，后續(xù)仍有價格上漲動力。

2019 年年中，NAND Flash 價格階段性觸底，低于 2016 年年中的前一輪底部價格，伴隨云端需求改善，隨后半年內(nèi)價格開始出現(xiàn)回升。目前價格仍然處于總體底部區(qū)間，在供求平穩(wěn)的狀態(tài)下，后續(xù)仍然具備上漲空間。

同時，如果日韓疫情出現(xiàn)嚴(yán)重變化，出現(xiàn)不利于供給端局面，考慮到下游可能有增加備貨、渠道囤貨，庫存水平提高，不排除價格短期快速上漲可能性。

△資料來源：inSpectrum Tech，中信證券研究部

對國內(nèi)存儲企業(yè)而言，行業(yè)景氣有利于其快速成長。目前國內(nèi) DRAM項(xiàng)目廠商主要是合肥長鑫，NAND Flash項(xiàng)目廠商主要是長江存儲，均處于研發(fā)成功后逐步建設(shè)產(chǎn)能階段。

從產(chǎn)能來看目前兩家在全球占比均較為微小，截至2019 年底合肥長鑫和長江存儲產(chǎn)能均在 2 萬片/月左右。

從技術(shù)來看，目前兩家均較三星等國際領(lǐng)先大廠落后一代左右，例如合肥長鑫目前節(jié)點(diǎn)為 1x nm（大致 17~19nm），而三星產(chǎn)能在 1y nm（大致 14~16nm），逐漸向 1z nm（11~13nm）進(jìn)軍；

長江存儲目前研發(fā)出 64 層 NAND Flash，正在研發(fā) 128 層，而三星產(chǎn)能已達(dá) 92 層，逐漸向 128 層進(jìn)軍。若后續(xù)存儲芯片繼續(xù)漲價，行業(yè)景氣將有利于兩家廠商的銷售和擴(kuò)張。