三安光電Mini/Micro顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項目爭取一期投資在24個月內(nèi)完成項目建設(shè)并投產(chǎn)
10月14日,葛店開發(fā)區(qū)召開現(xiàn)場辦公會,區(qū)住建局、審批局、國土分局、環(huán)保局等20個部門集中為三安光電項目規(guī)劃建設(shè)解難題。
據(jù)了解,三安光電Mini/Micro顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項目是我國首個大規(guī)模微發(fā)光二極管芯片項目(Mini/Micro LED),于4月24日簽約,并于7月29日在葛店開發(fā)區(qū)舉行了開工儀式。該項目計劃總投資120億元,用地約756畝,將爭取在各項手續(xù)完備后36個月內(nèi)完成項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn),48個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn);爭取在各項手續(xù)齊備、相關(guān)配套設(shè)施完備的前提下,一期投資在24個月內(nèi)完成項目建設(shè)并投產(chǎn)。
目前,三安光電項目前期工作人員已入駐,湖北三安光電有限公司已于6月25日注冊成立,并于7月15日完成項目備案。葛店開發(fā)區(qū)已向三安光電提供用地選址及地塊周邊生產(chǎn)要素資料,三安光電于7月21日完成可研報告,9月下旬完成規(guī)劃初步方案,項目環(huán)評及安評等正在進行中。
三安光電Mini/Micro LED芯片項目,將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)生產(chǎn)基地,預(yù)計將形成年產(chǎn)Mini LED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品84000臺的研發(fā)制造能力。預(yù)計氮化鎵芯片系列年產(chǎn)161萬片(其中藍光Mini LED 72萬片/年,藍光Micro LED 9萬片/年,綠光Mini LED 72萬片/年,綠光Micro LED 8萬片/年);砷化鎵芯片系列年產(chǎn)75萬片(其中紅光Mini LED 66萬片/年,紅光Micro LED 9萬片/年)。