DDR5內(nèi)存是下一代標準，三大內(nèi)存廠商都已經(jīng)推出了相關產(chǎn)品，不過產(chǎn)品爆發(fā)至少是2021年之后了，現(xiàn)在大家的主力依然是DDR4內(nèi)存。美光即將量產(chǎn)1znm工藝的DDR4顆粒，相當于12-14nm工藝，可以輕松制造單條16GB內(nèi)存。

內(nèi)存進入20nm節(jié)點之后，制程工藝已經(jīng)不再具體標明數(shù)字，而是用1x、1y、1z來代替，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

根據(jù)美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之后還會有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級別就有六種制造工藝了，現(xiàn)在正好演進到到了第三代。

美光現(xiàn)在量產(chǎn)的主力是1ynm工藝的DDR4顆粒，去年就宣布推出1znmk工藝的DDR4顆粒了，今年正在不斷擴大量產(chǎn)規(guī)模，1znm工藝的內(nèi)存很快就要成為主力。

內(nèi)存工藝微縮意味著可以制造出核心容量更大的產(chǎn)品，1znm內(nèi)存量產(chǎn)之后，16Gb核心制造更容易，只要8個核心就可以做出單條16GB的內(nèi)存，滿足目前臺式機及筆記本大內(nèi)存的需求。

此外，美光的1znm工藝未來還會用于生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，至少早期的DDR5內(nèi)存會是這樣。