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[導(dǎo)讀]在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。因此,碳化硅在光伏逆變器、新能源汽車(chē)的電機(jī)控制器以及充電樁等應(yīng)用中,相比于傳統(tǒng)硅器件有著很大優(yōu)勢(shì)。

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。因此,碳化硅在光伏逆變器、新能源汽車(chē)的電機(jī)控制器以及充電樁等應(yīng)用中,相比于傳統(tǒng)硅器件有著很大優(yōu)勢(shì)。

充電樁剛性需求,碳化硅應(yīng)用滲透加深

伴隨著新能源汽車(chē)崛起,應(yīng)用需求的激劇增多,真正將碳化硅推到風(fēng)口浪尖上。對(duì)于新能源電動(dòng)汽車(chē)而言,目前車(chē)用功率模塊主要采用IGBT,據(jù)了解,一輛電動(dòng)汽車(chē)中,IGBT占據(jù)總成本近10%。但采用碳化硅材料的功率器件在新能源汽車(chē)中擁有更好的性能,如目前全球電動(dòng)車(chē)出貨高居第一的特斯拉,旗下model系列車(chē)型就在業(yè)內(nèi)率先采用了碳化硅功率器件替代IGBT,因此擁有領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的電氣性能,并在電池容量相當(dāng)?shù)那闆r下獲得相比競(jìng)品更長(zhǎng)的續(xù)航里程。

但目前來(lái)看,碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)上應(yīng)用還較少,原因主要在于成本限制。不過(guò),由于使用率高,并且主要用于停車(chē)場(chǎng)的使用場(chǎng)景,所以對(duì)于充電樁而言,小體積、高可靠性便成為了剛性需求。因此,可提供高功率密度、耐高溫的碳化硅功率器件,自然成為電動(dòng)汽車(chē)充電樁的最佳選擇。

對(duì)于SiC在充電樁中的應(yīng)用,英飛凌大中華區(qū)工業(yè)功率控制事業(yè)部市場(chǎng)高級(jí)經(jīng)理陳子穎在接受《華強(qiáng)電子》采訪時(shí)表示:“功率半導(dǎo)體是英飛凌的主要業(yè)務(wù),應(yīng)用范圍覆蓋新能源發(fā)電,輸配電和用電。碳化硅是我們新的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)。碳化硅MOSFET是寬禁帶高速器件,可以實(shí)現(xiàn)高壓大電流高速開(kāi)關(guān),從而使得相關(guān)應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)帶來(lái)革命性的變化,直流充電樁就是其中之一,碳化硅也進(jìn)一步推動(dòng)了直流充電樁的發(fā)展?!?

另一方面,盡管碳化硅成本相比傳統(tǒng)硅器件高,但在充電樁的應(yīng)用中,由于功率密度提高,反而能夠降低充電樁的系統(tǒng)成本。陳子穎補(bǔ)充到:“充電站是基礎(chǔ)設(shè)施,其成本構(gòu)成比較復(fù)雜,但城市空間成本會(huì)是主要方面之一,所以充電樁的功率密度就至關(guān)重要,碳化硅器件是實(shí)現(xiàn)高功率密度的關(guān)鍵。碳化硅器件作為高壓,高速,大電流器件,簡(jiǎn)化了直流樁充電模塊電路結(jié)構(gòu),提高單元功率等級(jí),功率密度顯著提高,這為降低充電樁的系統(tǒng)成本降低鋪平了道路?!?

碳化硅固然成本高,但其優(yōu)勢(shì)是否能抵消成本上的劣勢(shì),則要與使用場(chǎng)景相適配。具體而言,在充電樁應(yīng)用最廣的城市場(chǎng)景中,選址一般選在繁華地段,地租昂貴,因此對(duì)體積有很高要求。目前支持快充的電動(dòng)汽車(chē),充電功率可以達(dá)到150kW,近期保時(shí)捷推出的電動(dòng)跑車(chē)Taycan更是將快充功率提高到250kW??上攵?,若要組建一個(gè)擁有多個(gè)快速充電樁的電動(dòng)汽車(chē)充電站,則需要達(dá)到百萬(wàn)W級(jí)別的功率,與一個(gè)小區(qū)的用電規(guī)模相當(dāng)。

據(jù)陳子穎透露,采用英飛凌的碳化硅單管,充電模塊的功率可以達(dá)到30kW以上。采用英飛凌的碳化硅模塊,充電模塊的功率可以達(dá)到60kW以上。而采用MOSFET/IGBT單管的設(shè)計(jì)還是在15-30kW水平。從單管設(shè)計(jì)的充電模塊功率對(duì)比中,不難看出在相同功率等級(jí)下,采用碳化硅功率器件相比硅基功率器件可以大幅降低模塊數(shù)量。因此,對(duì)于城市大功率充電站、充電樁,高成本所帶來(lái)的小體積,在特定場(chǎng)景或高端產(chǎn)品中是有很大優(yōu)勢(shì)的。

不過(guò),需要面對(duì)的事實(shí)是,目前碳化硅在充電樁中滲透率并不高。以“快充”應(yīng)用為主的直流充電樁為例,據(jù)CASA測(cè)算,電動(dòng)汽車(chē)充電樁中的碳化硅功率器件的平均滲透率在2018年僅達(dá)到10%。

上海瞻芯電子科技有限公司創(chuàng)始人兼總經(jīng)理張永熙博士認(rèn)為,目前主流的充電樁模塊,依然是以硅基MOSFET和IGBT為主;而碳化硅二極管現(xiàn)在已經(jīng)批量出貨,在充電樁上的應(yīng)用還是主要用于大功率高端產(chǎn)品中。但他也表示:“相信在未來(lái)以更高功率密度為需求的充電樁模塊中,碳化硅尤其是碳化硅MOSFET的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越多。”

盡管目前來(lái)看,充電樁市場(chǎng)中碳化硅功率器件的滲透率并不算太高,但在2019年,隨著下游特斯拉等車(chē)企開(kāi)始大量推進(jìn)碳化硅解決方案,國(guó)內(nèi)的廠商也將會(huì)快速跟進(jìn)。以比亞迪為代表的整車(chē)廠商開(kāi)始全方位布局,在充電樁以及整車(chē)中將會(huì)越來(lái)越多采用碳化硅器件。而根據(jù)CASA的預(yù)測(cè),由于電動(dòng)汽車(chē)對(duì)于充電速度的要求提升,直流充電樁的需求會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng),因此碳化硅在充電樁領(lǐng)域的滲透將快于整車(chē)市場(chǎng)。

成本桎梏亟待解決,碳化硅6英寸襯底有望價(jià)格砍半

目前碳化硅在充電樁市場(chǎng)中滲透率不高,主要原因歸根到底還是在于成本。業(yè)內(nèi)資深專家袁工向《華強(qiáng)電子》記者表示:“在功率器件領(lǐng)域,電壓等級(jí)不同器件價(jià)格有所差異。在同電壓等級(jí)下,碳化硅功率器件的價(jià)格大概是傳統(tǒng)硅器件的1.5倍到2倍之間?!?

在一般充電樁中,充電模塊作為核心部件,占充電樁總成本的比例高達(dá)50%,其中充電模塊的主要成本在于IGBT。而碳化硅作為替代產(chǎn)品相同電壓等級(jí)下成本相比IGBT高出1.5倍甚至2倍,這顯然是下游生產(chǎn)商們難以承受的。

事實(shí)上,早在19年前,英飛凌便率先發(fā)布了碳化硅SBD(肖特基二極管);2010年,羅姆半導(dǎo)體成功量產(chǎn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品。但時(shí)至今日,碳化硅功率器件由于種種原因,價(jià)格仍無(wú)法下降到可以廣泛應(yīng)用的程度。

張永熙博士認(rèn)為,碳化硅功率器件成本高,主要是由于材料成本上存在不少問(wèn)題,首先是襯底單晶生長(zhǎng)難。不同于硅材料的生長(zhǎng),將多晶硅融化后拉單晶可以做成晶錠。碳化硅則是采用高溫等氣相淀積的方法來(lái)生長(zhǎng),它沒(méi)有液體的形態(tài),達(dá)到2700度高溫后直接從固態(tài)升華成氣態(tài),所以材料生長(zhǎng)在批量生產(chǎn)中很困難。

另一方面,對(duì)于碳化硅MOSFET而言,合格率也是一個(gè)挑戰(zhàn)。即使是碳化硅龍頭企業(yè)Cree,在去年一個(gè)季度的財(cái)報(bào)中也專門(mén)提到了,其6英寸碳化硅晶圓在上量過(guò)程中出現(xiàn)合格率低的問(wèn)題?!耙纳铺蓟鐼OSFET良率,除了在芯片制造領(lǐng)域加強(qiáng)工藝控制外,還需要在測(cè)試端完成CP測(cè)試、FT測(cè)試、篩選測(cè)試等步驟,來(lái)發(fā)現(xiàn)具體問(wèn)題以改善制造工藝?!睆堄牢跹a(bǔ)充到。

而在降低成本方面,英飛凌也在做相關(guān)的投入。據(jù)陳子穎介紹,英飛凌收購(gòu)了位于德累斯頓的初創(chuàng)公司Siltectra,這家初創(chuàng)公司研發(fā)了冷切割(ColdSplit)這一創(chuàng)新技術(shù),可高效處理晶體材料,并最大限度減少材料損耗。英飛凌將利用冷切割技術(shù)切割碳化硅晶圓,使單片晶圓可產(chǎn)出的芯片數(shù)量翻倍。

陳子穎坦言:“確實(shí)碳化硅器件成本會(huì)比硅器件高,但是它已經(jīng)與90年代初IGBT單管的價(jià)格相當(dāng)了。碳化硅材料成本比硅高是難以改變,但隨著碳化硅整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)成熟,碳化硅器件成本一定會(huì)有顯著下降。”

眾所周知,半導(dǎo)體器件中,無(wú)論是硅基半導(dǎo)體還是化合物半導(dǎo)體,其晶圓襯底尺寸都逐漸往大尺寸方向發(fā)展。目前能夠批量出貨的碳化硅襯底最大為6英寸,國(guó)際上8英寸襯底也正在向量產(chǎn)穩(wěn)步推進(jìn),但主流的仍是4英寸襯底。

對(duì)于目前主流的4英寸碳化硅襯底,張永熙認(rèn)為其優(yōu)勢(shì)將會(huì)越來(lái)越弱:“盡管目前從價(jià)格上看,4英寸碳化硅襯底材料成本不到6英寸的一半,對(duì)于一些低端器件如碳化硅二極管等,4英寸還有一定競(jìng)爭(zhēng)力。但隨著碳化硅材料進(jìn)一步成熟,6英寸降價(jià)空間非常大。在未來(lái)的3到5年內(nèi),6英寸將會(huì)降到今天4英寸的價(jià)格,這是大勢(shì)所趨?!?

充電樁納入新基建,如何影響碳化硅器件市場(chǎng)?

充電樁被納入新基建概念后,一時(shí)間引起了社會(huì)各界的強(qiáng)烈關(guān)注。一方面是電動(dòng)車(chē)企在關(guān)注充電樁這樣的基礎(chǔ)服務(wù)設(shè)施建設(shè)情況,充電樁企業(yè)則在政策利好下尋求更多機(jī)會(huì);另一方面,政府將新能源汽車(chē)作為帶動(dòng)消費(fèi)的重要領(lǐng)域,而充電樁建設(shè)則是為人們購(gòu)買(mǎi)新能源汽車(chē)創(chuàng)造出良好環(huán)境,因此各地政府也同樣關(guān)注充電樁建設(shè)進(jìn)度。

據(jù)國(guó)家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)發(fā)展司副司長(zhǎng)蔡榮華透露,截至2019年底,全國(guó)充電樁總數(shù)已經(jīng)達(dá)到了122萬(wàn)個(gè),其中公共樁52萬(wàn)個(gè),私人樁70萬(wàn)個(gè)。同期數(shù)據(jù)顯示,全國(guó)新能源汽車(chē)保有量為381萬(wàn)輛,車(chē)樁比約為3.1比1。盡管在快充技術(shù)的發(fā)展下,新能源汽車(chē)充電時(shí)間已經(jīng)越來(lái)越短,高車(chē)樁比也不再是剛需。但正因?yàn)榭斐浼夹g(shù)的日新月異,導(dǎo)致充電樁的迭代更替也成為了一個(gè)棘手的問(wèn)題。

這次國(guó)家電網(wǎng)展開(kāi)的新一輪充電樁建設(shè),計(jì)劃新增充電樁7.8萬(wàn)個(gè),在建設(shè)完成之后將達(dá)到16.6萬(wàn),超越目前保有量最多的特來(lái)電。國(guó)家電網(wǎng)作為“裁判”入場(chǎng)“搗局”,或許只是需求激發(fā)的第一步,隨著電動(dòng)車(chē)進(jìn)一步蠶食傳統(tǒng)燃油車(chē)份額,對(duì)于充電樁的需求必然有增無(wú)減。

因此,在充電樁技術(shù)迭代以及數(shù)量需求雙重利好下,將帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈徹底迎來(lái)爆發(fā)。而其中作為快充技術(shù)“剛需”的碳化硅功率器件,未來(lái)在充電樁中的滲透率不斷提高的同時(shí),在這片“藍(lán)?!笔袌?chǎng)中,是否會(huì)引來(lái)眾多新玩家入局,引來(lái)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇?陳子穎表示:“半導(dǎo)體是高投入的行業(yè),需要靠規(guī)模效應(yīng)獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),產(chǎn)能利用率和成品率等直接影響產(chǎn)品的成本。產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)更依賴于產(chǎn)品技術(shù),生產(chǎn)技術(shù)本身?!?

確實(shí),在半導(dǎo)體領(lǐng)域,技術(shù)永遠(yuǎn)都是第一生產(chǎn)力。要在行業(yè)中站穩(wěn)腳跟,要有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力支撐企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。而在碳化硅產(chǎn)品方面,英飛凌采用其溝槽柵技術(shù)的碳化硅產(chǎn)品在柵極可靠性方面與平面柵有著固有的優(yōu)勢(shì),驅(qū)動(dòng)電路可以比較簡(jiǎn)單,碳化硅模塊可以實(shí)現(xiàn)各種電路拓?fù)洌瑸楣こ處煹膭?chuàng)新提供一個(gè)重要平臺(tái)。陳子穎透露,目前市面上功率等級(jí)最高的商業(yè)化充電模塊,就是采用英飛凌Easy B封裝的碳化硅實(shí)現(xiàn)的。

同時(shí),要在碳化硅領(lǐng)域有所建樹(shù),還需要持續(xù)且量大的資金投入。據(jù)一位業(yè)內(nèi)人士透露,一家碳化硅襯底材料廠僅一個(gè)月水電費(fèi)就需要200萬(wàn)。而新入場(chǎng)的玩家即使能夠解決資金問(wèn)題,但在上下游能否獲得足夠的支持,產(chǎn)品相比老牌廠商如何突出優(yōu)勢(shì),也是難以解決的。

碳化硅襯底方面,目前高端產(chǎn)品仍以國(guó)外產(chǎn)商如Cree、羅姆等為主,但國(guó)內(nèi)目前也有天科合達(dá)、山東天岳等已經(jīng)有多年的發(fā)展歷史,產(chǎn)品也相對(duì)穩(wěn)定。在器件以及模塊方面,國(guó)內(nèi)企業(yè)與英飛凌、羅姆等國(guó)外廠商技術(shù)差距較大。目前在相對(duì)低端的碳化硅二極管方面,國(guó)內(nèi)如泰科天潤(rùn)的產(chǎn)品已有廣泛應(yīng)用,高端的碳化硅MOSFET雖有小批量生產(chǎn),但技術(shù)指標(biāo)仍需要時(shí)間追趕。

在面對(duì)新基建政策利好,碳化硅在新能源汽車(chē)以及充電樁領(lǐng)域擁有巨大市場(chǎng)潛力。

陳子穎認(rèn)為:“作為新的快速增長(zhǎng)市場(chǎng),充電樁是電力電子應(yīng)用一個(gè)細(xì)分市場(chǎng),也是英飛凌一直關(guān)注的市場(chǎng),英飛凌產(chǎn)品和產(chǎn)能可以滿足這一新興市場(chǎng)的需求。但是半導(dǎo)體從晶圓到最后封裝測(cè)試生產(chǎn)周期比較長(zhǎng),整個(gè)生態(tài)圈的各個(gè)環(huán)節(jié),需要了解市場(chǎng)特點(diǎn)和規(guī)律,迎接市場(chǎng)。”

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