集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會(huì)” ISSCC 一貫是全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一個(gè)盛會(huì)，根據(jù)官網(wǎng)最新的預(yù)告頁(yè)面顯示，ISSCC 2019的重頭戲?qū)⒉辉倬劢鼓柖珊臀⑻幚砥?，?u>機(jī)器學(xué)習(xí)、高速網(wǎng)絡(luò)和大內(nèi)存則在這個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)代并列稱(chēng)王。

三星和英特爾將詳細(xì)介紹5G/LTE組合芯片；在快閃記憶體（NAND Flash）方面，東芝將展示一款1.33太比特芯片，西部數(shù)據(jù)公司將談?wù)撘豢钣?28個(gè)芯片層的處理器；在DRAM方面，海力士和三星會(huì)匯報(bào)DDR5和LPDDR5的情況，另外三星也將單獨(dú)展示一款用于智能手機(jī)深度學(xué)習(xí)的加速器。

三星的深度學(xué)習(xí)加速器在0.5伏電壓下的速度高達(dá)11.5TOPS，僅占據(jù)8nm處理器5.5mm2的面積，以雙核設(shè)計(jì)封裝了1,024個(gè)乘累加單元，性能與以往技術(shù)相比提升了10倍。東芝16nm的SoC適用于機(jī)器車(chē)，一個(gè)面積僅為94.52mm2的晶粒就囊括了10個(gè)處理器、4個(gè)DSP和8個(gè)加速器，能釋放20.5 TOPS的速度，其圖像識(shí)別滿(mǎn)足ASIL-B的安全等級(jí)，控制處理器滿(mǎn)足ASIL-D的安全等級(jí)。

今年的ISSCC沒(méi)有關(guān)于5nm工藝SRAM芯片的論文發(fā)布，盡管有少量關(guān)于7nm高速網(wǎng)絡(luò)集成芯片討論，而過(guò)去的突破中也沒(méi)有出現(xiàn)涉及旗艦CPU的論文。負(fù)責(zé)微處理器演示會(huì)議的一名組織者表示，他們并不認(rèn)為這會(huì)是一個(gè)持續(xù)的趨勢(shì)，但這表明了該行業(yè)在產(chǎn)品周期中的地位。

ISSCC邀請(qǐng)了IBM工程師來(lái)講解目前世界上最強(qiáng)大的超級(jí)計(jì)算機(jī)Sierra，處理器演示會(huì)議上還將詳解一篇有趣的論文，一款功率范圍在37-238mW和睿頻在80-365MHz的機(jī)器人控制器，這款控制器搭載英特爾22nm處理器，旨在與SOI晶片一較高下。

臉譜網(wǎng)AI研究部負(fù)責(zé)人將講述如何利用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)無(wú)監(jiān)督學(xué)習(xí)，使機(jī)器像人類(lèi)一樣自主地從環(huán)境中學(xué)習(xí)。而內(nèi)存計(jì)算作為AI加速的研究熱點(diǎn)，清華大學(xué)的一款芯片在使用電阻式RAM時(shí)的二進(jìn)制運(yùn)算性能達(dá)到53.17 TOPS/W，而操作延遲只有14.6ns。