格羅方德 FinFET 工藝 12LP 終成,下半年流片
7月2日消息 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2020 年 6 月 30 日,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣稱其最先進(jìn)的 FinFET 技術(shù)解決方案 12LP + 已完成技術(shù)鑒定,并已準(zhǔn)備在下半年正式投產(chǎn)。
2018 年 8 月,格羅方德宣布無(wú)限期停止 7nm 工藝的投資研發(fā),繼而轉(zhuǎn)向現(xiàn)有 14/12nm FinFET 工藝。據(jù)格羅方德稱,12LP+ 建立在其 14nm/12LP 平臺(tái)之上。LP12 + 針對(duì)人工智能 (AI)進(jìn)行了優(yōu)化,且在 AI 訓(xùn)練芯片領(lǐng)域通過(guò)了 IP 驗(yàn)證。
得益于性能驅(qū)動(dòng)的區(qū)塊優(yōu)化組件、獨(dú)立鰭片單元、新的低壓 SRAM 和改進(jìn)的模擬布局設(shè)計(jì)法則等優(yōu)化,12LP + 相較于 12LP,實(shí)現(xiàn)了性能 20%的提升,占用面積減少 10%的進(jìn)步。與 14LPP 相比,12LP + 可實(shí)現(xiàn) 10% 的封裝密度提升和 6% 的頻率提升。
另外,格羅方德也在拓展 12nmLP + 的 IP 產(chǎn)品組合,其中包括 PCIe 3/4/5、USB 2/3 主控芯片、HBM2/2e 顯存、DDR/LPDDR4/4X 芯片、GDDR6 芯片等。
了解到,目前格羅方德旗下最先進(jìn)的工廠是位于美國(guó)紐約的 Fab8。且上周他們?cè)谶@附近又獲得了一塊未開(kāi)發(fā)的土地購(gòu)買選擇權(quán),面積約為 66 英畝,約 26.7 公頃。據(jù)媒體芯智訊稱,F(xiàn)ab 8 或?qū)?huì)迎來(lái)擴(kuò)建,且格羅方德方面也宣布計(jì)劃于 2020 年下半月進(jìn)行數(shù)次 12LP+ 流片試產(chǎn)。