7月2日消息 當(dāng)?shù)貢r間 2020 年 6 月 30 日，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣稱其最先進的 FinFET 技術(shù)解決方案 12LP + 已完成技術(shù)鑒定，并已準(zhǔn)備在下半年正式投產(chǎn)。

2018 年 8 月，格羅方德宣布無限期停止 7nm 工藝的投資研發(fā)，繼而轉(zhuǎn)向現(xiàn)有 14/12nm FinFET 工藝。據(jù)格羅方德稱，12LP+ 建立在其 14nm/12LP 平臺之上。LP12 + 針對人工智能 （AI）進行了優(yōu)化，且在 AI 訓(xùn)練芯片領(lǐng)域通過了 IP 驗證。

得益于性能驅(qū)動的區(qū)塊優(yōu)化組件、獨立鰭片單元、新的低壓 SRAM 和改進的模擬布局設(shè)計法則等優(yōu)化，12LP + 相較于 12LP，實現(xiàn)了性能 20%的提升，占用面積減少 10%的進步。與 14LPP 相比，12LP + 可實現(xiàn) 10% 的封裝密度提升和 6% 的頻率提升。

另外，格羅方德也在拓展 12nmLP + 的 IP 產(chǎn)品組合，其中包括 PCIe 3/4/5、USB 2/3 主控芯片、HBM2/2e 顯存、DDR/LPDDR4/4X 芯片、GDDR6 芯片等。

了解到，目前格羅方德旗下最先進的工廠是位于美國紐約的 Fab8。且上周他們在這附近又獲得了一塊未開發(fā)的土地購買選擇權(quán)，面積約為 66 英畝，約 26.7 公頃。據(jù)媒體芯智訊稱，F(xiàn)ab 8 或?qū)瓉頂U建，且格羅方德方面也宣布計劃于 2020 年下半月進行數(shù)次 12LP+ 流片試產(chǎn)。