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[導(dǎo)讀]美國(guó)微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)與宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的超高效氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN?FET)的結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)最佳功率密度(730 W/in3),從而實(shí)現(xiàn)高效、低成本的DC-DC轉(zhuǎn)換。

美國(guó)微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)與宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的超高效氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)的結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)最佳功率密度(730 W/in3),從而實(shí)現(xiàn)高效、低成本的DC-DC轉(zhuǎn)換。

EPC和Microchip公司攜手開(kāi)發(fā)用于高功率密度計(jì)算應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心的300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板

EPC公司宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩(wěn)壓器(EPC9143)。 EPC9143功率模塊把Microchip dsPIC33CK數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,實(shí)現(xiàn)25 A、48 V/12 V和96%效率的功率轉(zhuǎn)換。

500 kHz開(kāi)關(guān)頻率在非常小的1/16磚式轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)300 W功率,其尺寸僅為33 毫米 x 22.9 毫米(1.3 x 0.9英寸)。

可擴(kuò)展的兩相設(shè)計(jì)可以增加相數(shù),從而進(jìn)一步提高功率。 由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性,因此允許在8 V至72 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸入電壓,而輸出電壓在3.3 V至25 V范圍內(nèi)。

磚式DC/DC轉(zhuǎn)換器廣泛用于數(shù)據(jù)中心、電信和汽車(chē)應(yīng)用,可將48 V標(biāo)稱(chēng)電壓轉(zhuǎn)換為12 V配電總線輸出電壓。 鑒于給定的外形尺寸,業(yè)界的主要趨勢(shì)是朝著需要更高的功率密度方向發(fā)展。 其中一個(gè)主要應(yīng)用,是高密度48V/12V負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器,需要12V輸出的穩(wěn)壓功率,例如用于通用PCIe卡和存儲(chǔ)。

eGaN®FET和集成電路具備快速開(kāi)關(guān)、小尺寸和低成本等優(yōu)勢(shì),能夠以少元件數(shù)量和低成本滿(mǎn)足這些前沿應(yīng)用對(duì)功率密度的嚴(yán)格要求。

EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow表示:“先進(jìn)的計(jì)算應(yīng)用對(duì)功率轉(zhuǎn)換器的要求越來(lái)越高,但硅基功率轉(zhuǎn)換器在性能方面未能滿(mǎn)足這些要求。我們很高興與這個(gè)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Microchip公司合作,為客戶(hù)提供靈活的解決方案,從而為48 V轉(zhuǎn)換提高效率、增加功率密度和降低系統(tǒng)總成本?!?

Microchip MCU16業(yè)務(wù)部副總裁Joe Thomsen表示:“Microchip的dsPIC® DSC可以進(jìn)行編程以充分發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。我們很榮幸與EPC公司合作,為我們的客戶(hù)提供這種基于氮化鎵器件的參考設(shè)計(jì)。 EPC的氮化鎵技術(shù)與我們的dsPIC33CK控制器相結(jié)合,使工程師能夠顯著提高功率密度,從而滿(mǎn)足各種先進(jìn)計(jì)算和電信應(yīng)用的苛刻要求?!?

價(jià)格和供貨

EPC9143演示板的單價(jià)為378美元,可通過(guò)Digi-Key公司立即購(gòu)買(mǎi)。

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