DRAM內存商用已歷經(jīng)50年，NAND Flash閃存面世也已經(jīng)有30年，從最初的群雄并舉演化到當前的寡頭格局，地域上也可分出韓國、美日、和中國臺灣這3個梯隊;以長江存儲、長鑫、晉華和紫光DRAM項目為主的中國新晉力量受到廣泛關注。中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發(fā)展思路等方面提出幾點思考：

　　DRAM

　　PC：DDR4;利基：DDR3

　　DDR3和DDR4內核并無本質差別，邏輯部分同為8位預加載，晶圓制成大同小異。定位PC和服務器市場，DDR4是不二選擇。車載等利基市場產(chǎn)品應用滯后主流技術1代，定位利基市場需要在市場準入和可靠性方面打開局面并建立多產(chǎn)品小批次的運營模式，DDR3不失為一種選擇，但是必須考慮到市場容量問題。

　　目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)紫光國芯品牌的DDR3內存條，也許可以理解為是一種前奏。紫光國芯的前身為2003年建立的英飛凌西安DRAM設計部門，2009年被浪潮收購開始獨立運作。紫光國芯具有一流的設計能力，從事利基型DRAM和設計服務，晶圓主要由臺灣的合作伙伴供應。這種類似金士頓的模式需要強大的渠道控制力和品牌號召力，且成本較高;但是由此可以實現(xiàn)零的突破，建立品牌和分銷模式，為今后的大發(fā)展奠定一個基礎。

　　移動：LPDDR4

　　移動DRAM在受手機市場的推動量價齊升。根據(jù)IDG公布的數(shù)字，2017年全球智能手機年產(chǎn)量14.62億臺，中國品牌約占一半的全球份額。一些專供亞非拉市場的公司由于上市而忽然受到關注，例如傳音手機，據(jù)說2017年出了3500萬臺智能機和8500萬臺功能機!總體智能手機出貨量趨于飽和，但是平均售價和平均存儲器消耗在上升，對于DRAM和NAND Flash仍然是主要的推動力量。無論對于DRAM還是NAND Flash制造商，得移動者得天下，LPDDR4優(yōu)先。新晉業(yè)者在產(chǎn)能、性能和IP積累等方面居劣勢，不妨放低姿態(tài)，利用中國的市場優(yōu)勢，先農村后城市。

　　根據(jù)官方發(fā)布的信息，上市公司兆易創(chuàng)新和政府投資的合肥長鑫這一組合將在2018年底展示其產(chǎn)品，前者管設計，后者管制造，合力沖擊19nm DRAM制程。兆易的創(chuàng)始人朱一明在中國IC界有著廣泛的聲譽，創(chuàng)業(yè)初期幾次試錯后產(chǎn)品被瑞星微接受，SPI NOR打開市場，MCU也大獲成功，2016年公司上市斬獲17個連續(xù)漲停。值得關注的是兆易已經(jīng)進入eMCP和eMMC市場，并自主生產(chǎn)38nm的2D NAND。合肥長鑫的主導者王寧國擁有加州伯克利博士學位，早年在全球最大的設備公司應用材料擔任高管，曾經(jīng)先后擔任華虹和中芯國際這兩家中國最大的Foundry的CEO。長鑫的第一款產(chǎn)品尚未公布，我們拭目以待。

　　福建晉華則是福建省與臺灣聯(lián)華兩岸合作的模式，規(guī)劃6萬片產(chǎn)能。臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)試圖挑戰(zhàn)三星的地位，然而研發(fā)不足制約了自身的發(fā)展，南亞、華亞科、力晶、華邦等劫后余生的企業(yè)基本依賴技術授權和代工業(yè)務。希望晉華在發(fā)展路徑上可以堅持自主研發(fā)，哪怕走的慢一點。

　　比特幣挖礦機對臺積電10nm產(chǎn)能購買力令人側目。與比特幣的哈希算法碰撞猜謎不同，以太坊采用的ETHASH算法比拼DRAM頻寬，據(jù)說一臺礦機會配備72GByte DRAM。礦機所搭配的DRAM是否必須是符合JEDEC的標準產(chǎn)品?對新晉的業(yè)者會不會是機遇?

　　NAND Flash

　　NAND Flash三步走：存儲卡-移動終端-SSD

　　閃存的增長來自于移動終端、消費級SSD(筆記本電腦)和企業(yè)級SSD。其他如存儲卡等也保持著一定的份額。長江存儲已經(jīng)演示了32層3D閃存，紫光集團早期收購的展銳擁有移動處理器、基帶和射頻，2016年入主新華三提供云服務，之后頻頻收購下游芯片封裝和SSD制造企業(yè)，垂直一體化指向非常明顯。日前紫光存儲發(fā)布了一系列的產(chǎn)品，目前使用的應該是大廠的顆粒，一旦長江存儲開始出貨相信會迅速導入。NAND Flash不同于DRAM，DRAM只要有一個點失效(出廠前尚可小規(guī)模修補)，一顆芯片乃至一個模組就不能正常工作了;而NAND Flash由主控芯片規(guī)劃數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，當閃存芯片出現(xiàn)失效單元后主控可以把這部分隔離，整體依然可用。紫光存儲的發(fā)布中出現(xiàn)了自研的SSD主控芯片。