近日，據(jù)報道，芯片代工商臺積電將于本周五（1月26日）在臺灣南部科學工業(yè)園區(qū)（STSP）開工建設新的5nm工廠，臺積電董事長張忠謀將親自主持動土典禮，這也將成為全球第一座5nm工廠。與此同時，三星電子最近也與IBM開始展開合作，欲共同打造5nm新工藝，與臺積電一爭高低。

2018年1月10日，臺積電公布了2017年第四季度營收數(shù)據(jù)與整年營收狀況，財報顯示，第四季度其營收為92.1億美元，同比增長5.9%，較2017年第三季度增長10.1%。而臺積電2017年總營收為330.6億美元，同比增長3.1%。

據(jù)了解，2017年第四季度，臺積電10nm制程出貨量占第四季度銷售金額的25%;16nm和20nm的出貨量占整年銷售金額的20%。整體來看，臺積電2017年主要營收則來源于20nm、16nm以及10nm制程工藝。

同時，臺積電公司財務長兼副總經理何麗梅表示，臺積電在2017年第四季度營收成長還來源于自行動裝置的重要新產品的推出，以及來自加密貨幣挖礦運算的持續(xù)需求?？梢灶A料的是，在2018年，加密貨幣運算的需求將更為強勁。

2017年，比特幣迎來了爆發(fā)式的增長，從年初的1000美元，最高漲到2萬美元，全世界都為之震動。無數(shù)巨資的砸入下，導致比特幣市場亂象叢生，隨著部分國家的干預，比特幣市場已經漸漸穩(wěn)定下來。但即使如此，臺積電在2017年第三季度中，僅憑加密貨幣挖礦領域便獲得了4萬億美元的營收。

當然，臺積電的布局遠非如此，在2017年市場剛剛適應10nm工藝不久，2018年便直接發(fā)力5nm工藝，同時最近臺積電的7nm工藝已經獲得了50多家客戶的訂單，其中不乏有高通、蘋果以及海思等大客戶。而這些布局則讓同行的英特爾以及三星電子壓力倍增，這不，三星無奈只能與IBM攜手共同研發(fā)5nm工藝，欲與臺積電平分市場。要知道，2017年中，英特爾由于發(fā)布10nm工藝較晚的原因，錯失市場良機，即使在10nm工藝遠超三星電子與臺積電的情況下，也只能落得個“有力無處使”的下場。

三星與IBM合作的關系已非一朝一夕，早在2007年，他們雙方便攜手一起研發(fā)過32nm制程工藝。2016年，兩者更是共同推出新款非易失“通用型”磁性隨機訪問存儲器（簡稱MRAM），欲直接取代DRAM。可以明顯感覺到，三星很多技術突破中都有IBM的影子。

目前市面上最先進的工藝應屬于英特爾的10nm工藝，至于7nm工藝臺積電和三星仍在生產中，甚至有人說7nm工藝將成為目前工藝的極限，當然此說法也并非空穴來風。部分業(yè)者認為隨著晶體管尺寸的縮小，凹槽的寬度不斷減小，在一定尺寸范圍內，量子的隧穿效應開始起作用，也就是電子會有幾率從“墻壁”的一側突然出現(xiàn)在“墻壁”另一側，意味著不加電壓，源級和漏級是互通的，晶體管失去了開關作用，其實跟漏電差不多。在7nm這樣小的尺寸下，受“量子力學”的影響越來越大。那么，既然7nm工藝被認為是目前的物理極限，5nm工藝又是怎么回事呢？

據(jù)業(yè)者表示，5nm工藝如果想要實現(xiàn)，那么就必須要改變傳統(tǒng)的硅半導體行業(yè)的垂直堆疊架構，而目前研究團隊正在進行將硅納米層進行水平堆疊的實驗，如果實驗成功，那么5nm芯片生產只是時間問題。

對于外界的各種疑問，半導體制造公司VLSL Research首席執(zhí)行官Dan Hutcheson曾表示，F(xiàn)inFET是目前10nm處理器常用的晶體管，用在7nm工藝上應該也沒有問題，但如果要用在5nm工藝上，恐怕不行。

事實上，對于臺積電與三星電子來說，5nm工藝或將成為兩者決戰(zhàn)的決勝點。至于英特爾，兩者或許都沒放在眼中，畢竟據(jù)英特爾官方消息稱，英特爾欲在2020年左右推出7nm工藝，這比臺積電與三星電子計劃的時間還要晚一年多，至此來看，英特爾“牙膏廠”的名聲也是直接被坐實了。

在半導體市場上，三星電子、臺積電以及英特爾等巨頭戰(zhàn)的熱火朝天，國內的廠商卻只能默默觀戰(zhàn)，偶爾分得一杯“殘羹”，看著有些凄涼，但這就是目前國內的實況。事實上，國內半導體廠商這幾年也沒少發(fā)力，并購重組也都玩得不亦樂乎，可是就是得不到真正的技術，這讓國內廠商也有些泄氣。

眾所周知，中芯國際是國內最大的半導體公司，但是最新工藝也僅僅是28nm，雖然目前已在研究14nm和10工藝，但是想要正式商用、量產還差的遠。而國內另一大半導體企業(yè)華力微電子，自從挖了聯(lián)電的團隊后，便開始“閉門造車”，至今未傳出新的進展。

在2017年10月，中芯國際傳來喜訊，梁孟松將擔任中芯國際聯(lián)合首席CEO，帶領公司的研發(fā)部門。梁孟松是何人？要知道，現(xiàn)年65歲的梁孟松，曾先后擔任過臺積電研發(fā)處處長以及三星研發(fā)副總經理，目前的FinFET技術，也是梁孟松的強項之一，臺積電曾表示，“梁孟松深入參與臺積電公司FinFET的制程研發(fā)，并為相關專利發(fā)明人。”

梁孟松在三星電子任職期間，使得三星電子與臺積電技術差距急速縮短，這也使得梁孟松任職到期時，三星電子極力挽留。而隨著梁孟松進入中心國際挑起研發(fā)大梁，可以預料的是，中心國際制程工藝開發(fā)的速度將大幅度提升。另一方面，隨著5nm工藝制造難度的增加，臺積電以及三星電子等巨頭研發(fā)所耗費的時間勢必會增加不少，這也為中芯國際彎道超車提供了一定的機遇。

以目前國內的局勢來看，中芯國際在獲得梁孟松這一大將后，其實力勢必直線上升，同時，華力微電子在獲得聯(lián)電的助力后，實力與潛力也不可小視。隨著制程工藝的不斷進步，其研發(fā)難度也將大大增加，而這期間，勢必要耗費大量的時間去實現(xiàn)全新突破，這也將成為中國半導體企業(yè)彎道超車的契機。但是半導體芯片領域技術門檻非常高，并不是購買先進的設備就能解決問題。在政策的“猛藥”之下，中國半導體產業(yè)還是剛剛摸著了門。