我們是工程師，我們?yōu)楣こ處煻Ｌ┛税雽?dǎo)體云講堂第一季已完美收官，上千人趕赴這場(chǎng)流動(dòng)的知識(shí)盛宴學(xué)習(xí)和交流。第二季半導(dǎo)體云講堂即將開(kāi)啟，7月17日~9月25日將迎來(lái)本季5場(chǎng)宴會(huì)，第二季以寬禁帶半導(dǎo)體、功率IGBT、MEMS測(cè)試、MOSFET測(cè)試、半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測(cè)試為主題。預(yù)約直播，請(qǐng)關(guān)注泰克官方微信。

半導(dǎo)體材料已發(fā)展到第三代。第一代半導(dǎo)體材料主要以硅(Si)、鍺(Ge)為主，主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測(cè)器中。隨著移動(dòng)通信的飛速發(fā)展、以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料開(kāi)始嶄露頭腳。第三代半導(dǎo)體材料主要包括 SiC、GaN、金剛石等，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可滿(mǎn)足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

每一次半導(dǎo)體材料的突破帶來(lái)的是一系列技術(shù)變革，也使尖端的新型器件研發(fā)面世成為可能。3D Flash存儲(chǔ)器，人工智能芯片，MEMS/傳感器芯片，GaN/SiC 功率半導(dǎo)體器件在前所未有的應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。新應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，新材料特性，新設(shè)計(jì)和測(cè)試方式，新生產(chǎn)工藝流程，新半導(dǎo)體流片技術(shù)對(duì)測(cè)試設(shè)備和技術(shù)帶來(lái)持續(xù)挑戰(zhàn)。

泰克公司為了推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，作為專(zhuān)業(yè)的測(cè)試平臺(tái)，將帶您從測(cè)試的角度，切分出六大類(lèi)測(cè)試流程，去剖析并解決半導(dǎo)體從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)過(guò)程中帶來(lái)的一系列新問(wèn)題。通過(guò)半導(dǎo)體材料與器件科學(xué)云講堂，針對(duì)主流和前沿的半導(dǎo)體應(yīng)用推出了一系列測(cè)試培訓(xùn)課程，幫助您理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實(shí)際應(yīng)用，以及其測(cè)試痛點(diǎn)。

第二季半導(dǎo)體云講堂即將開(kāi)啟

7月17日|寬禁帶半導(dǎo)體(GaN/SiC)材料及器件測(cè)試

7月31日|功率IGBT器件測(cè)試系統(tǒng)及自動(dòng)化簡(jiǎn)介

8月14日|微機(jī)電系統(tǒng)MEMS測(cè)試概述

8月28日|MOSFET的準(zhǔn)靜態(tài)CV/超低頻CV測(cè)試

9月11日|半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測(cè)試

9月25日|番外篇二：測(cè)試技巧——快速上手自動(dòng)化半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)