華為在內部開啟塔山計劃，根據(jù)消息，華為已經開始與相關企業(yè)合作，準備建設一條完全沒有美國技術的45nm的芯片生產線，預計年內建成，同時還在探索合作建立28nm的自主技術芯片生產線。

一旦臺積電向我們斷供，中國大陸芯片的真實現(xiàn)狀就是，落后西方5-10年，甚至更多。這也是華為“塔山計劃”迅速開啟的原因。芯片生產大致分芯片設計、芯片制造、芯片封測三大環(huán)節(jié)。我國在芯片封測領域的技術水平相對于其他兩個環(huán)節(jié)來說較為領先。

芯片設計：芯片設計的工具，用的是國外的EDA軟件，就連中國最好的芯片設計公司華為海思，也只是剛剛開始“去美國化”。

芯片制造：全球最大最好的芯片制造廠商，就是臺積電。臺積電現(xiàn)在已經實現(xiàn)5納米工藝制式的量產，而大陸最好的芯片制造公司中芯國際，剛剛完成14納米的量產。

而制造最先進制程芯片使用的光刻機，都得從荷蘭ASML公司進口。但現(xiàn)在也買不到了，因為美國不讓。大陸最好的光刻機生產廠商是上海微電子，現(xiàn)在生產的是90納米的光刻機。

中芯國際為代表的中國芯片代工制造現(xiàn)在已經處于事實上的被制裁狀態(tài)，由于得不到EUV光刻機，它的技術上限已經被美國封鎖，預計2-3年內到達技術上限，美國已經給我們設置了天花板，也就是說，如果我們搞不定國產半導體裝備，那么中國制造將會停留在7nm的天花板。

芯片封測：封裝測試屬于芯片產業(yè)鏈末端，相比光刻、蝕刻等工藝對技術要求沒那么高。高端市場方面，盡管美國、德國、日本企業(yè)占據(jù)了較大比例，但我國大陸和臺灣不少芯片封測公司在規(guī)模、速度和工藝標準上也絲毫不遜色。

芯片的發(fā)展除了人才，核心材料也是制約國內芯片企業(yè)發(fā)展的重要因素，我們一起來看看影響芯片發(fā)展的核心材料目前在國內的發(fā)展現(xiàn)狀：

1.單晶硅：晶圓和硅片的核心材料

單晶硅是制作芯片的重要材料，制作難度在于純度要求高。目前高純度單晶硅產量較領先的企業(yè)都集中在日本，我國作為后起之秀，近年來也開始具備生產高純度晶圓的能力，不僅實現(xiàn)了對內供給，如今更是出口半導體強國韓國。

2.CMP拋光材料：晶圓CMP工藝的關鍵耗材

拋光材料的技術具有一定的行業(yè)壁壘，主要受技術要求、資金成本和認證體系影響，目前在這一領域我國專利技術積累不高，主要還是依賴向美日韓進口。

3.光掩膜版：芯片制程的核心瓶頸

光掩膜版是光刻設備的關鍵器件，也是限制芯片工藝最小線寬的核心瓶頸，技術門檻較高。目前世界上已可以量產7納米制程的芯片，更小制程的研發(fā)也即將上流水線，這對光掩膜版的要求將進一步提高。

在光刻機生產方面，荷蘭ASML公司一家獨大，而能生產優(yōu)質光掩膜版的企業(yè)，目前也是以臺積電、韓國三星、美國英特爾等半導體巨頭為主。

4.光刻膠：芯片光刻的重要材料

當今世界光刻膠市場，主流以光刻波長為248nm的KrF和193nm的ArF為主，這一系列的光刻膠技術大多被日本和美國壟斷，我國光刻膠近年來也掌握了436nm和365nm光刻波長的技術，逐步從低端向高端發(fā)展。

5.濕電子化學品：蝕刻和清洗的重要耗材

我國的蝕刻技術基本與世界持平，雖然目前濕電子化學品市場依舊主要被歐美日韓等地區(qū)企業(yè)瓜分，但他們已無法對我們形成壟斷，甚至有被我們取代的趨勢。

6.電子氣體：芯片制造的血液

電子特種氣體行業(yè)集中度高，我國已有不少新興企業(yè)擁有生產資質，盡管在國際市場方面依舊被一些傳統(tǒng)半導體地區(qū)壟斷，但目前我國企業(yè)已形成有力的挑戰(zhàn)。

7.濺射靶材：摻雜和鍍膜的主要材料

高純度濺射靶材的制造有一定的技術門檻，對制造設備的投資金額要求也相對較高，早年間這一領域被美日壟斷，但近年來隨著國產技術的成熟，這一領域市場規(guī)模增速高于全球增速，正逐漸占領世界市場。

8.晶圓封裝材料：先進封裝工藝的耗材

傳統(tǒng)芯片封裝工藝是先切割晶圓，后封裝芯片，這會增加約20%的原芯片體積，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術是先封裝測試后切割成芯片，這一方法不僅可以減少封裝體積，也可以提升芯片穩(wěn)定性，這對晶元封裝材料，如陶瓷基板、封裝基板、引線框架等要求更高。