某行車記錄儀，測試的時候要加一個外接適配器，在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點是84MHz、144MHz、168MHz，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對策。輻射測試數(shù)據(jù)如下：
該產(chǎn)品只有一塊PCB，其上有一個12MHz的晶體。其中超標(biāo)頻點恰好都是12MHz的倍頻，而分析該機器容易EMI輻射超標(biāo)的屏和攝像頭，發(fā)現(xiàn)LCD-CLK是33MHz，而攝像頭MCLK是24MHz；通過排除發(fā)現(xiàn)去掉攝像頭后，超標(biāo)點依然存在，而通過屏蔽12MHz晶體，超標(biāo)點有降低，由此判斷144MHz超標(biāo)點與晶體有關(guān)，PCB布局如下：
從PCB布局可以看出，12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時，被測產(chǎn)品的高速器件與實驗室中參考地會形成一定的容性耦合，產(chǎn)生寄生電容，導(dǎo)致出現(xiàn)共模輻射，寄生電容越大，共模輻射越強；而寄生電容實質(zhì)就是晶體與參考地之間的電場分布，當(dāng)兩者之間電壓恒定時，兩者之間電場分布越多，兩者之間電場強度就越大，寄生電容也會越大，晶體在PCB邊緣與在PCB中間時電場分布如下：
圖3：PCB邊緣的晶振與參考接地板之間的電場分布示意圖
圖4：PCB中間的晶振與參考接地板之間的電場分布示意圖
從圖中可以看出，當(dāng)晶振布置在PCB中間，或離PCB邊緣較遠時，由于PCB中工作地（GND）平面的存在，使大部分的電場控制在晶振與工作地之間，即在PCB內(nèi)部，分布到參考接地板的電場大大減小，導(dǎo)致輻射發(fā)射就降低了。
將晶振內(nèi)移，使其離PCB邊緣至少1cm以上的距離
，并在PCB表層離晶振1cm的范圍內(nèi)敷銅，同時把表層的銅通過過孔與PCB地平面相連。經(jīng)過修改后的測試結(jié)果頻譜圖如下，從圖可以看出，輻射發(fā)射有了明顯改善。
高速的印制線或器件與參考接地板之間的容性耦合，會產(chǎn)生EMI問題，敏感印制線或器件布置在PCB邊緣會產(chǎn)生抗擾度問題。
如果設(shè)計中由于其他一些原因一定要布置在PCB邊緣，那么可以在印制線邊上再布一根工作地線，并多增加過孔將此工作地線與工作地平面相連。
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