2020 年 8 月 11 日，近日，中芯國(guó)際公布了截至 2020 年 6 月 30 日未經(jīng)審計(jì)的第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)中顯示：

2020 年第二季的銷(xiāo)售額為 938.5 百萬(wàn)美元，相較于 2020 年第一季的 904.9 百萬(wàn)美元增加 3.7%，相較于 2019 年第二季的 790.9 百萬(wàn)美元增加 18.7%。

2020 年第二季毛利為 248.6 百萬(wàn)美元，較 2020 年第一季的 233.6 百萬(wàn)美元增加 6.4%，較 2019 年第二季的 151.2 百萬(wàn)美元增加 64.5%。

2020 年第二季毛利率為 26.5%，相比 2020 年第一季為 25.8%，2019 年第二季為 19.1%。

從財(cái)報(bào)上看，中芯國(guó)際整體業(yè)績(jī)的表現(xiàn)還是很優(yōu)秀的。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，芯片制程越做越小，性能也在不斷提升。但并非所有芯片設(shè)計(jì)公司都會(huì)選擇最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。根據(jù)中的數(shù)據(jù)顯示，先進(jìn)制程（28nm 及以下工藝）占據(jù)了 48% 的市場(chǎng)份額，而其它成熟工藝則占據(jù)了 52% 的市場(chǎng)份額。如果將 28nm 工藝也視作 “成熟工藝”的話(huà)，成熟工藝的市場(chǎng)份額就更大了?？梢哉f(shuō)，成熟工藝才是業(yè)界的主流。

在談 28 納米工藝之前，先提一下 FinFET。FinFET（Fin Field-Effect Transistor）中文名為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET 的命名是根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性，中芯國(guó)際的 14nm 工藝就使用了這種結(jié)構(gòu)。

FinFET 結(jié)構(gòu)示意圖

FinFET 結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域是一個(gè)被柵極包裹的魚(yú)鰭狀半導(dǎo)體。從圖上源極到漏極方向上鰭的長(zhǎng)度為溝道長(zhǎng)度。柵極采用了包裹式的結(jié)構(gòu)，這樣增強(qiáng)了柵的控制能力，對(duì)溝道提供了更好的電學(xué)控制，從而降低了漏電流，抑制短溝道效應(yīng)。

通俗點(diǎn)說(shuō)，如果把電流想象成水流，那么圖上的魚(yú)鰭狀半導(dǎo)體就是一根水管，源極和漏極就是水管的進(jìn)水口和出水口，而中間的柵極則是水管閥門(mén)。

對(duì)于晶體管來(lái)說(shuō)讓它導(dǎo)通電流比較簡(jiǎn)單，如何讓它在關(guān)閉的時(shí)候還不漏電才是難點(diǎn)。所以 FinFET 結(jié)構(gòu)就是把溝道區(qū)域做薄來(lái)抑制漏電，就像是把水管做薄之后，中間的閥門(mén)只要輕輕一夾就能把水管完全關(guān)閉。

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)很難制造 25 納米以下的工藝，F(xiàn)inFET 結(jié)構(gòu)就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而產(chǎn)生的。通常情況下制造 25 納米以下的工藝需要 FinFET、FD-SOI 或者其它更先進(jìn)的技術(shù)。

使用 FinFET 可以讓芯片的性能變得更好，那么對(duì)于沒(méi)有使用 FinFET 結(jié)構(gòu)的 28nm 工藝和使用了 FinFET 的 14nm 工藝對(duì)比，是不是 28nm 工藝就不太好呢？

這要看評(píng)價(jià)角度了，評(píng)價(jià)一種半導(dǎo)體制造工藝的好壞并不能單單看性能、功耗。

數(shù)據(jù)來(lái)自

根據(jù)中的數(shù)據(jù)，14nm 工藝開(kāi)發(fā)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò) 28nm 工藝。如果從成本角度看，使用了 FinFET 的 14nm 工藝在成本方面體現(xiàn)出了明顯的劣勢(shì)。

更何況不是所有的芯片都像 CPU、GPU 那樣需要極高的性能，很多芯片只是能夠?qū)崿F(xiàn)特定的功能就可以了，由此看來(lái) 28 納米工藝是一款極具 “性?xún)r(jià)比”的工藝。如果一個(gè)芯片項(xiàng)目對(duì)于性能有一定要求但不是很高，并且需要控制成本。那么對(duì)于這類(lèi)芯片來(lái)說(shuō)，28 納米工藝目前是一個(gè)非常好的 “妥協(xié)點(diǎn)”。

以臺(tái)積電 7nm 工藝為例，臺(tái)積電的 7nm 工藝分為第一代 7nm 工藝（N7）、第二代 7nm 工藝（N7P）、7nm EUV（N7+）。其中 N7 和 N7P 使用的是 DUV 光刻，但為了用 DUV 制作 7nm 工藝，它還使用了例如沉浸式光刻、多重曝光等技術(shù)。而 N7 + 則直接使用了 EUV 光刻。所以說(shuō)這三種 7nm 工藝雖然在性能、功耗等方面表現(xiàn)優(yōu)異，但成本都十分高昂。通常像華為、蘋(píng)果、AMD 這樣的大廠(chǎng)才會(huì)使用。

數(shù)據(jù)來(lái)自臺(tái)積電

可以從數(shù)據(jù)中看出手機(jī)芯片和高性能計(jì)算芯片（例如 CPU、GPU）一直在臺(tái)積電收入中占據(jù)了過(guò)半的比重。

電腦芯片對(duì)于性能有著較高的要求，所以電腦芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商更傾向于使用 “高端”工藝。而對(duì)于手機(jī)芯片來(lái)說(shuō)，除了性能，功耗也是十分重要的參數(shù)。特別是在當(dāng)今電池技術(shù)發(fā)展緩慢的情況下，降低手機(jī)芯片的功耗可以大大提高手機(jī)的續(xù)航能力。因此手機(jī)芯片廠(chǎng)商也十分愿意追捧 “高端”工藝。

對(duì)于中芯國(guó)際 14nm 工藝來(lái)說(shuō)，向上有性能壓制的 7nm 工藝，向下又有性?xún)r(jià)比極高的 28nm 工藝，這種情況對(duì)于中芯國(guó)際的 14nm 工藝來(lái)說(shuō)并不太友好。

數(shù)據(jù)來(lái)自中芯國(guó)際

在今年第一季度的財(cái)報(bào)中，中芯國(guó)際 14nm 工藝收入占比僅為 1.3%, 這種情況并不算太理想。

數(shù)據(jù)來(lái)自中芯國(guó)際

而在今年第二季度的財(cái)報(bào)中，中芯國(guó)際干脆沒(méi)有公示 14nm 工藝的收入占比，僅公示了 14/28nm 的占比數(shù)據(jù)。

圖片截取自中芯國(guó)際官網(wǎng)

雖說(shuō)過(guò)去確實(shí)有人將 14nm 工藝和 28nm 工藝都算作先進(jìn)工藝，但在中芯國(guó)際官網(wǎng)上明確的將 14nm 工藝列為先進(jìn)邏輯技術(shù)，而將 28nm 工藝列為成熟邏輯技術(shù)。更何況中芯國(guó)際之前的財(cái)報(bào)都是將 14nm 工藝和 28nm 工藝占比分開(kāi)統(tǒng)計(jì)，現(xiàn)在卻將一種 “先進(jìn)邏輯技術(shù)”和一種 “成熟邏輯技術(shù)”強(qiáng)行放在一起統(tǒng)計(jì)，這種舉動(dòng)顯然有些奇怪。不免會(huì)讓人認(rèn)為中芯國(guó)際有意隱藏 14nm 工藝占比數(shù)據(jù)，或者是讓 14nm 工藝的占比數(shù)據(jù)更好看一些。

從目前的數(shù)據(jù)看，中芯國(guó)際 14nm 工藝的占比在非常緩慢的爬升，而且會(huì)在未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)依舊保持一種較低的占比，短期內(nèi)無(wú)法成為盈利支柱。比起 14nm，自家的 28nm 工藝收入占比更高，而且爬升速度更快，這種性?xún)r(jià)比更高的成熟工藝更容易盈利。

數(shù)據(jù)來(lái)自各公司公開(kāi)信息

從表格中可以看出，不少芯片制造廠(chǎng)商集中在 2015 年推出 14nm 工藝，業(yè)界標(biāo)桿的臺(tái)積電也是在 2015 年推出了水平與業(yè)界 14nm 工藝相似的 16nm 工藝。在那時(shí)候 14/16nm 工藝是業(yè)界頂級(jí)工藝，各大芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商紛紛追捧。

數(shù)據(jù)來(lái)自臺(tái)積電

以臺(tái)積電的數(shù)據(jù)為例，其 16nm 工藝的收入占比在以很快的速度下滑，而 7nm 工藝的占比則在快速提升。由此可見(jiàn) 14/16nm 工藝的市場(chǎng)火熱程度已大不如前。

在 2019 年的時(shí)候中芯國(guó)際才推出 14nm 工藝，但此時(shí)業(yè)界頂級(jí)工藝已經(jīng)開(kāi)始向 7nm 工藝過(guò)渡。