國(guó)際整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越的性能。

　　嶄新的Gen8設(shè)計(jì)讓頂尖的Vce（on） 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR透過(guò)開發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺(tái)，彰顯出我們?cè)跀?shù)十年來(lái)致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)提供百分百變頻，藉以更有效使用電能，并且綠化環(huán)境。”

　　新技術(shù)針對(duì)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt減到最低，從而減少電磁干擾和過(guò)壓，以提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較狹窄，在高電流功率模組內(nèi)并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí)，可帶來(lái)出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱阻和達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。

　　潘大偉表示：“IR的Gen8 IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越的技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑藉頂尖的Vce（on）、超卓的耐用性及一流的開關(guān)功能，把工業(yè)市場(chǎng)所面對(duì)的艱巨難題迎刃而解。”

　　IR的Gen8 1200V IGBT平臺(tái)的樣本現(xiàn)供應(yīng)予各大塬始設(shè)備製造商 （OEM） 及塬始設(shè)計(jì)製造商 （ODM） 合作伙伴。