本文中，小編將對Thermaltake GT 650電源的輸出紋波進(jìn)行測評，一起來了解下吧。

我們使用數(shù)字示波器在20MHz模擬帶寬下按照Intel規(guī)范給治具板測量點(diǎn)處并接去耦電容，對電源進(jìn)行滿載紋波的測量，以低頻下的紋波峰峰值作為打分基準(zhǔn)。

Thermaltake GT 650W電源在100%滿載時(shí)的+12V、+5V、+3.3V低頻紋波為42mV、18mV和16mV，屬于表現(xiàn)優(yōu)秀的水平;超載至115%也就是750W后，電源輸出紋波有小幅度的增加，三路輸出分別上升至51mV、24mV和19mV，并沒有本質(zhì)上的性能改變，這說明電源的紋波抑制還是做得不錯(cuò)的。

以上便是小編此次為大家?guī)淼乃薪榻B，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨百度、google進(jìn)行探索哦。