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AD5116具有64個可用的游標位置，端到端電阻容差為±8%。此外，AD5116包含一個EEPROM來存儲游標位置，可通過按鈕手動設(shè)置。對于需要固定標準上電電壓的應(yīng)用，這個功能非常有用。

該電路由電壓 V_IN供電，最高可達20 V。AD5116和ADCMP371的電源電壓 V_DD 也可由 V_IN生成，例如，通過ADP121等穩(wěn)壓器。

圖1.帶可變輸出、通過按鈕控制的高壓開關(guān)穩(wěn)壓器。

輸出電壓 V_OUT 通過反饋網(wǎng)絡(luò)的開關(guān)頻率控制。通過分壓器反饋到比較器，然后與數(shù)字電位器設(shè)置的基準電壓進行比較。如果從 V_OUT 獲取的電壓高于基準電壓，比較器輸出切換到低電平，以阻隔NMOS晶體管T1和PMOS晶體管T2，從而降低 V_OUT。如果從 V_OUT 獲取的電壓低于基準電壓，比較器輸出切換到高電平，兩個晶體管切換到導(dǎo)通狀態(tài)（飽和），從而增加 V_OUT。通過這種基于比較的功能，晶體管在開啟/關(guān)斷模式下以短脈沖工作，使各晶體管保持低損耗。除電位器的輸出電壓外，開關(guān)頻率還受 V_OUT的負載影響。

隨著數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)輸出電壓增高，T2關(guān)斷的時間變長，比較器輸出相應(yīng)增高。比較器輸出提供一系列更高頻率、速度更快的正電源輸出脈沖。如果DAC輸出電壓降低，則情況相反。

經(jīng)過濾波的V_OUT 通過公式1確定。

V_W 為電位器抽頭W處的DAC輸出電壓。

AD5116的A抽頭和B抽頭之間的電阻標稱值為5 kΩ，劃分為64級階躍。在量程的較低端，典型游標電阻 R_W 降至45 Ω到70 Ω之間。相對于GND的 V_W 輸出電壓為：

其中 R_WB 為：

• R_WB是抽頭W和較低端的GND之間的電阻值。

• R_AB 為電位器的總電阻。

• V_A為分壓器串頂端的電壓；在本例中，它等于 V_DD。

• D為AD5116的R_DAC寄存器中二進制代碼的十進制等效值。

AD5116的R_DAC 寄存器通過按鈕PD和PU進行控制。默認的上電位置（例如 V_OUT = 0 V）可以通過ASE引腳存儲在電位器的EEPROM中。

為了獲得平穩(wěn)的輸出電壓VOUT并減少開關(guān)T1和T2導(dǎo)致的紋波，需要使用額外的濾波器電路（參見圖2）。在設(shè)計此濾波器時，需考慮AD5116的最大和最小開關(guān)頻率，以及其工作電壓范圍。

對于圖2所示的電路，開關(guān)頻率范圍約為1.8 Hz至500 Hz。因為這個值相當(dāng)?shù)?，所以在確定濾波器的截止頻率時，通常需要使用更大的R、L和C值。但是，濾波器的串聯(lián)電阻和輸出負載構(gòu)成了一個分壓器，會降低輸出電壓。所以，在選擇R值時，應(yīng)選擇相對較低的值。

圖2.用于使輸出電壓平穩(wěn)的濾波器電路。

AD5116

• 標稱電阻容差誤差：±8%（最大值）

• 游標電流：±6 mA

• 可變電阻器模式下的溫度系數(shù)：35 ppm/°C

• 低功耗：2.5 μA（最大值，2.7 V，125°C）

• 寬帶寬：4 MHz（5 kΩ選項）

• 上電EEPROM刷新時間：< 50 μs

• 125°C時典型數(shù)據(jù)保留期：50年

• 100萬寫周期

• 2.3 V至5.5 V電源供電

• 內(nèi)置自適應(yīng)去抖器

• 寬工作溫度范圍：-40℃至+125℃

• 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引腳超薄LFCSP封裝