DRAM模塊是大多電子設備均存在的模塊之一，大家對于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎?DRAM的基本單元的結構是什么樣的呢?DRAM的工作原理是什么呢?如果你對DRAM具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、DRAM介紹

DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態(tài)隨機存儲器"。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM 必須隔一段時間刷新(refresh)一次。如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。 DRAM用于通常的數據存取。我們常說內存有多大，主要是指DRAM的容量。

所有的DRAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。請看下圖：

上圖只是DRAM一個基本單位的結構示意圖：電容器的狀態(tài)決定了這個DRAM單位的邏輯狀態(tài)是1還是0，但是電容的被利用的這個特性也是它的缺點。一個電容器可以存儲一定量的電子或者是電荷。一個充電的電容器在數字電子中被認為是邏輯上的1，而“空”的電容器則是0。電容器不能持久的保持儲存的電荷，所以內存需要不斷定時刷新，才能保持暫存的數據。電容器可以由電流來充電——當然這個電流是有一定限制的，否則會把電容擊穿。同時電容的充放電需要一定的時間，雖然對于內存基本單位中的電容這個時間很短，只有大約0.2-0.18微秒，但是這個期間內存是不能執(zhí)行存取操作的。

DRAM制造商的一些資料中顯示，內存至少要每64ms刷新一次，這也就意味著內存有1%的時間要用來刷新。內存的自動刷新對于內存廠商來說不是一個難題，而關鍵在于當對內存單元進行讀取操作時保持內存的內容不變——所以DRAM單元每次讀取操作之后都要進行刷新：執(zhí)行一次回寫操作，因為讀取操作也會破壞內存中的電荷，也就是說對于內存中存儲的數據是具有破壞性的。所以內存不但要每64ms刷新一次，每次讀操作之后也要刷新一次。這樣就增加了存取操作的周期，當然潛伏期也就越長。 SRAM，靜態(tài)(Static)RAM不存在刷新的問題，一個SRAM基本單元包括4個晶體管和2個電阻。它不是通過利用電容充放電的特性來存儲數據，而是利用設置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)——同CPU中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對于SRAM不是破壞性的，所以SRAM不存在刷新的問題。

SRAM不但可以運行在比DRAM高的時鐘頻率上，而且潛伏期比DRAM短的多。SRAM僅僅需要2到3個時鐘周期就能從CPU緩存調入需要的數據，而DRAM卻需要3到9個時鐘周期(這里我們忽略了信號在CPU、芯片組和內存控制電路之間傳輸的時間)。

二、基本原理

DRAM由晶體管和小容f電容存儲單元組成。每個存儲單元都有一小的蝕刻晶體管，這個晶體管通過小電容的電荷保持存儲狀態(tài)，即開和關。電容類似于小充電電池。它可以用電壓充電以代表1，放電后代表0，但是被充電的電容會因放電而丟掉電荷，所以它們必須由一新電荷持續(xù)地“刷新氣。

下圖所示的是標準的DRAM結構的框架圖，和SRAM不同的是，標準DRAM的地址線分成兩組以減少輸入地址引腳的數量，提高封裝的效率。雖然在標準的DRAM結構中，輸入地址引腳的數量可以通過安排多元的地址方式來減少，但是這樣的話，標準DRAM存儲單元的時鐘控制就會變得更加復雜，同時運行速度會受到影響。為了滿足對于高速DRAM應用的需求，一般都用分開的地址輸入引腳來減少時鐘控制的復雜性和提高運行速度。

DRAM的控制器提供行地址選通脈沖-M (Row Address Strobe)和列地址選通脈沖CAS(Column Address Strobe)來鎖定行地址和列地址。正如圖所示，標準DRAM的引腳為:

地址: 分成兩組，行地址引腳，列地址引腳;

地址控制信號引腳:RAS和CAS;

寫允許信號:WRITE;

數據輸入/輸出引腳;

電源引腳。

以上便是此次小編帶來的”DRAM”相關內容，通過本文，希望大家對DRAM的組成、DRAM的工作原理等內容具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關注我們網站哦，小編將于后期帶來更多精彩內容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!