在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，人們的生活越來越離不開電子產(chǎn)品，而電子元器件的多樣性也促進(jìn)了電子產(chǎn)品的發(fā)展，比如全SiC功率模塊，那么你知道什么是全SiC功率模塊嗎?

BSM250D17P2E004，1700V耐壓產(chǎn)品的需求高漲，采用新的芯片涂覆材料和工藝方法，絕緣擊穿，高溫高濕反偏試驗(yàn)，HV-H3TRB，導(dǎo)通電阻降低10%。

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。

目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。

近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì)，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，1700V耐壓產(chǎn)品受可靠性等因素影響，遲遲難以推出SiC產(chǎn)品，目前主要使用IGBT。

最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-(即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET)，以進(jìn)一步降低損耗。

此次開發(fā)的1700V模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預(yù)防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流的增加。另外，在高溫高濕反偏試驗(yàn)中，呈現(xiàn)出極高可靠性，超過1，000小時(shí)也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象，從而成功推出了額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊。

以上就是電子產(chǎn)品中可能用到的全SiC功率模塊的詳細(xì)介紹，希望通過閱讀本文，能給大家一定的收獲，幫助大家更快提高專業(yè)知識(shí)。