人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產品的更新換代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產品的組成，比如碳化硅肖特基二極管。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說，可以最大限度地提高系統的可靠性和耐用性，實現穩(wěn)定和持久的應用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設計人員可以減少對外部保護電路的需求，降低系統成本和復雜性。

碳化硅是最早發(fā)現的半導體材料之一，然而，由于生長高質量的碳化硅晶體比較困難，使碳化硅器件的發(fā)展落后于其他同族材料。近幾年來，碳化硅器件發(fā)展有顯著進步，而且證實了碳化硅由于優(yōu)越的物理和電學特性，與硅材料和器件相比更適合應用于大功率電路。

Microchip分立產品業(yè)務部副總裁LeonGross表示：“作為汽車行業(yè)的長期供應商，Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案，引領汽車電氣化領域的電源系統轉型。我們一直專注于提供汽車解決方案，幫助客戶輕松過渡到碳化硅(SiC)，同時將質量、供應和支持挑戰(zhàn)的風險降至最低。”

碳化硅具有比硅更寬的禁帶寬度(3C-SIC：2.3eV，6H-SIC：2.9eV，4H-SIC：3.2eV)，臨界擊穿電場比硅高8～10倍。因此，碳化硅高壓器件可以通過高摻雜的薄漂移層實現，從而使器件的導通電阻降低幾個數量級。

Microchip作為汽車行業(yè)供應商的歷史已經超過25年。公司擁有碳化硅(SiC)技術以及多個通過IATF16949:2016認證的制造工廠，可通過靈活的制造方案提供高質量器件，幫助最大限度地降低供應鏈風險。

SIC材料以其優(yōu)越的電學特性使其在高功率、高溫應用中具有獨特的優(yōu)勢。對于式(1)，與硅材料相比，4H-SIC的臨界擊穿電場大約比硅高10倍，對于給定的擊穿電壓，由式(1)得到的比導通電阻將減小約3個數量級。

經過Microchip內部以及第三方測試，關鍵可靠性指標已經證明，與其他廠商生產的SiC器件相比，Microchip的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現性能下降的碳化硅(SiC)器件不同，Microchip器件性能保持穩(wěn)定，有助于延長應用壽命。Microchip碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領先水平。其耐用性測試表明，Microchip的碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)在非箝位電感開關(UIS)中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統壽命，實現更可靠的運行。

碳化硅肖特基二極管不僅應用于功率電路，還用于其他領域，如氣敏傳感器、微波和紫外探測器等。

Microchip的SiC汽車功率器件進一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產品組合，為設計人員提供電動汽車和充電站的整體系統解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片，提供700、1200和1700V碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)功率模塊的廣泛產品組合。此外，Microchip推出的dsPIC®數字信號控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設。Microchip的AgileSwitch®系列數字可編程門驅動器進一步加快了從設計階段到生產的進程。這些解決方案還可應用于可再生能源、電網、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數據中心、航空航天和國防系統。

本文只能帶領大家對碳化硅肖特基二極管有了初步的了解，對大家入門會有一定的幫助，同時需要不斷總結，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點。