在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)MOSFET。

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia響應(yīng)行業(yè)需求，通過定義一組全新的MOSFET產(chǎn)品，最大限度提高性能。特定型應(yīng)用FET(簡(jiǎn)稱ASFET)所采用的MOSFET能為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)。通過專注于特定的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)顯著的改進(jìn)。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱功率MOSFET(Power MOSFET)。

Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。定制ASFET可實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)因應(yīng)用而異，例如對(duì)于熱插拔應(yīng)用，安全工作區(qū)域(SOA)能提高3至5倍;對(duì)于電機(jī)應(yīng)用，最大額定電流可超過300A。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。

Nexperia功率MOSFET事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)ChrisBoyce評(píng)論道：“隨著設(shè)計(jì)人員打破性能界限，了解如何在應(yīng)用中使用MOSFET至關(guān)重要。一份普通MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中有超過100個(gè)參數(shù)，但在每個(gè)項(xiàng)目中，通常只有幾個(gè)參數(shù)是重要的。然而，隨著應(yīng)用的改變，重要參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化。在Nexperia，我們會(huì)確定產(chǎn)品中每個(gè)元素的性能，包括：核心晶圓技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)、封裝、制造與測(cè)試程序。通過將特定應(yīng)用的需求放在我們考慮的中心位置，我們可選擇對(duì)特定應(yīng)用中最重要的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，而這通常要犧牲其他較不相關(guān)的參數(shù)。本質(zhì)上，我們將久經(jīng)驗(yàn)證的MOSFET專業(yè)知識(shí)與對(duì)應(yīng)用的廣泛理解相結(jié)合，因此我們可以為特定應(yīng)用或功能量身定制并提供最佳性能的產(chǎn)品。”

功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型;對(duì)于N(P)溝道器件，柵極電壓大于(小于)零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。

憑借即將發(fā)布的全新車用產(chǎn)品系列，ASFET類別將進(jìn)一步增強(qiáng)，能夠?yàn)轵?qū)動(dòng)感性負(fù)載提供有保證的重復(fù)雪崩耐受性。

相信通過閱讀上面的內(nèi)容，大家對(duì)MOSFET有了初步的了解，同時(shí)也希望大家在學(xué)習(xí)過程中，做好總結(jié)，這樣才能不斷提升自己的設(shè)計(jì)水平。