今天的文章簡單總結(jié)一下MOS管，如下是本文目錄。

▉?場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。

JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也分為N溝道和P溝道兩種，在實際中幾乎不用。

MOSFET英文全稱是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，應(yīng)用廣泛，MOSFET一般稱MOS管。

MOSFET有增強型和耗盡型兩大類，增強型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS。

增強型MOS管的英文為Enhancement MOS或者EMOS，耗盡型MOS管的英文為Depletion MOS或者DMOS。

一般主板上使用最多的是增強型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號控制上，其次是PMOS，多用在電源開關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。

▉?N和P區(qū)分

如下紅色箭頭指向G極的為NMOS，箭頭背向G極的為PMOS。

▉?寄生二極管

由于生產(chǎn)工藝，一般的MOS管會有一個寄生二極管，有的也叫體二極管。

紅色標(biāo)注的為體二極管

從上圖可以看出NMOS和PMOS寄生二極管方向不一樣，NMOS是由S極→D極，PMOS是由D極→S極。

寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導(dǎo)通，反接截止，對于NMOS，當(dāng)S極接正，D極接負(fù)，寄生二極管會導(dǎo)通，反之截止；對于PMOS管，當(dāng)D極接正，S極接負(fù)，寄生二極管導(dǎo)通，反之截止。

某些應(yīng)用場合，也會選擇走體二極管，以降低DS之間的壓降（體二極管的壓降是比MOS的導(dǎo)通壓降大很多的），同時也要關(guān)注體二極管的過電流能力。

當(dāng)滿足MOS管的導(dǎo)通條件時，MOS管的D極和S極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài) ，因為MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻極小，一般mΩ級別，流過1A級別的電流，也才mV級別，所以D極和S極之間的導(dǎo)通壓降很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通，這點需要特別注意。

▉ 導(dǎo)通條件

MOS管是壓控型，導(dǎo)通由G和S極之間壓差決定。

對NMOS來說，Vg-Vs>Vgs(th)，即G極和S極的壓差大于一定值，MOS管會導(dǎo)通，但是也不能大太多，否則燒壞MOS管，開啟電壓和其他參數(shù)可以看具體器件的SPEC。

對PMOS來說，Vs-Vg>Vgs(th)，即S極和G極的壓差大于一定值，MOS管會導(dǎo)通，同樣的，具體參數(shù)看器件的SPEC。

▉ 基本開關(guān)電路

NMOS管開關(guān)電路

當(dāng)GPIO_CTRL電壓小于MOS管開啟電壓時，MOS管截止，OUT通過R1上拉到5V，OUT=5V。

當(dāng)GPIO_CTRL電壓大于MOS管開啟電壓時，MOS管導(dǎo)通，D極電壓等于S極電壓，即OUT=0V。

PMOS管開關(guān)電路

PMOS管最常用在電源開關(guān)電路中，下圖所示，當(dāng)GPIO_CRTL=0V時，S和G極壓差大于MOS管開啟電壓時，MOS管導(dǎo)通，5V_VOUT=5V_VIN。

▉ 與三極管的區(qū)別

三極管是電流控制，MOS管是電壓控制，主要有如下的區(qū)別：

1，只容許從信號源取少量電流的情況下，選用MOS管；在信號電壓較低，有容許從信號源取較多電流的條件下，選用三極管。

2，MOS管是單極性器件（靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電），三極管是雙極性器件（既有多數(shù)載流子，也要少數(shù)載流子導(dǎo)電）。

3，有些MOS管的源極和漏極可以互換運用，柵極也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。

4，MOS管應(yīng)用普遍，可以在很小電流和很低電壓下工作。

5，MOS管輸入阻抗大，低噪聲，MOS管較貴，三極管的損耗大。

6，MOS管常用來作為電源開關(guān)，以及大電流開關(guān)電路、高頻高速電路中，三極管常用來數(shù)字電路開關(guān)控制。

▉ G和S極串聯(lián)電阻的作用

MOS管的輸入阻抗很大，容易受到外界信號的干擾，只要少量的靜電，就能使G-S極間等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把靜電釋放掉，兩端的高壓容易使MOS管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿G-S極，起到一個固定電平的作用。

▉ G極串聯(lián)電阻的作用

MOS管是壓控型，有的情況下，為什么還需要在G極串聯(lián)一個電阻呢？

1，減緩Rds從無窮大到Rds(on)。

2，防止震蕩，一般單片機的I/O輸出口都會帶點雜散電感，在電壓突變的情況下，可能與柵極電容形成LC震蕩，串聯(lián)電阻可以增大阻尼減小震蕩效果。

3，減小柵極充電峰值電流。

▉ MOS管的米勒效應(yīng)

關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，可以閱讀文章： 臭名昭著的MOS管米勒效應(yīng)

▉ 選型要點

1.電壓值

關(guān)注Vds最大導(dǎo)通電壓和Vgs最大耐壓，實際使用中，不能超過這個值，否則MOS管會損壞。

關(guān)注導(dǎo)通電壓Vgs(th)，一般MOS管都是用單片機進行控制，根據(jù)單片機GPIO的電平來選擇合適導(dǎo)通閾值的MOS管，并且盡量留有一定的余量，以確保MOS可以正常開關(guān)。

2.電流值

關(guān)注ID電流，這個值代表了PMOS管的能流過多大電流，反應(yīng)帶負(fù)載的能力，超過這個值，MOS管也會損壞。

3.功率損耗

功率損耗需要關(guān)注以下幾個參數(shù)，包括熱阻、溫度。熱阻指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W，熱阻的公式為ThetaJA = (Tj-Ta)/P，和功率和環(huán)境溫度都有關(guān)系。

4.導(dǎo)通內(nèi)阻

導(dǎo)通內(nèi)阻關(guān)注PMOS的Rds(on)參數(shù)，導(dǎo)通內(nèi)阻越小，PMOS管的損耗越小，一般PMOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都是在mΩ級別。

5.開關(guān)時間

MOS作為開關(guān)器件，就會有開關(guān)時間概念，在高速電路中，盡可能選擇輸入、輸出電容Ciss&Coss小、開關(guān)時間Ton&Toff短的MOS管，以保證數(shù)據(jù)通信正常。

參數(shù)解釋推薦閱讀文章：帶你讀懂MOS管參數(shù)「熱阻、輸入輸出電容及開關(guān)時間」

6.封裝

根據(jù)PCB板的尺寸，選擇合適的PMOS管尺寸，在板載面積有限的情況下，盡可能選擇小封裝；盡量選擇常見封裝，以備后續(xù)選擇合適的替代料。